全球設備龍頭ASML在2024年第一季營收中，中國區淨系統收入占比高達49%，逼近整體營收一半，且更較2023年第四季佔比39%上升。顯示，在美國禁令步步逼近下，ASML快馬加鞭將設備出貨給中國。
整體來看，ASML交出的第一財財報是低於預期的。第一季36 億歐元的訂單金額，相較上季91.9億歐元的歷史最高紀錄大幅減少，且EUV 訂單金額為 6.56 億歐元也大幅減少。
根據ASML公布，第一季營收 53 億歐元，其中包括 13 億歐元的安裝基礎業務，平均毛利率為 51%，淨利潤為 12 億歐元。在手訂單金額為 36 億歐元，其中 EUV 訂單金額為 6.56 億歐元。
ASML也預計第二季營收為 57 億～62 億歐元。 其中包括 14 億歐元的安裝基礎業務，預計毛利率在 50%～51% 之間。
ASML強調，公司看待 2024 年的節奏並沒有改變，延續之前的基調，會將2024年視為一個過渡年，預期2024 年的收入與 2023 年相差無幾，這意味著2024年下半會比上半場更強勁。而2024 年毛利率會略低於 2023 年的毛利率。
庫存方面，ASML指出，下游庫存獲得很好的控制，下降到我們認知的正常水平，符合預期。意即，ASML看好2024 年半導體行業逐漸復甦，為2025年的大成長年做好準備。
ASML看好2025年有三個原因：
第一，2025 年ASML的EUV設備的最大份額、低數值孔徑 EUV工具將是 NXE:3800，帶來更好的售價和毛利率。
第二，在安裝基礎業務方面，2025 年將是更加強勁的一年，原因是ASML持續提高 EUV 服務的毛利率，隨著市場復甦， 2025 年的升級業務將明顯成長。
第三，高數值孔徑極NA方面，銷售量將成長，成本可望降低。
EUV技術方面的最新進展：
相較於傳統DUV浸入式曝光系統（193nm），EUV 曝光機使用的極紫外光波長（13.5nm）顯著降低，晶片廠生產7奈米製程以下的技術時，多圖案的DUV步驟可以用單次曝光EUV 步驟代替。
當進入3奈米以下製程，則是使用EUV曝光機，如果要大量推進至2奈米製程，或是更小的尺寸，那就要使用高數值孔徑NA曝光機。
相較於0.33 數值孔徑的EUV曝光機，高數值孔徑NA曝光機。
將數值孔徑提升到 0.55，可進一步提升解析度。NA越大、解析度越高。
ASML第一台第三代EUV曝光機NXE:3800已經交付。NXE:3800系廾可以用來生產4奈米、5奈米、3奈米和2奈米製程晶片。其吞吐量相較NXE:3600D，可以從每小時 160 片晶圓增加到每小時 220 片晶圓，生產力提高了 37.5%，NXE:3800設備美台單價1.8億美元。
ASML預期，2024年下半和2025年，NXE:3800 將成為 EUV 銷售中越來越重要的一部分，也會為公司帶來了更好的平均售價和更好的毛利率。
高數值孔徑極NA設備方面，提供的電晶體密度實際上是低 NA 工具（標準型EUV）電晶體密度的 3 倍。ASML的第一個高數值孔徑EUV設備位於荷蘭 Veldhoven 的 實驗室，第二個高數值孔徑EUV系統EXE：5200是在英特爾，計劃會在14A晶片的生產中使用該工具。
高數值孔徑極NA系統一台造價3.5億美元，ASML致力推進高數值孔徑極NA設備進入半導體產業，旨在兩大目的：一是維持在晶片設備製造領域龍頭的地位，二是滿足台積電和英特爾兩大半導體客戶的需求。業界則是預估，半導體廠要大量採購並使用高數值孔徑EUV設備，預計也要到2030年之後。
ASML 下一代高數值孔徑極NA設備是EXE：5200系統，可用來生產 2 奈米製程晶片。EXE:5200 具有更高解析度，可將晶片縮小 1.7 分之一，同時密度增加至 2.9 倍。
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