三星從2年前就規劃逐步要退出DDR3供應，市場傳出，原本計畫2024年底要針對DDR3做EOL（end-of-life）現在提前至2024年中停止生產DDR3，而SK海力士在DDR3晶片上的供應原本就不多，預計未來會更淡出DDR3供應之列。業界預期，DDR3提前退役，可望加速DDR3庫存消化，準備啟動另一番漲勢。
記憶體今年市況不錯，主要是2023年上游原廠虧損嚴重，開始從源頭控盤拉抬價格，這招式是千年不變，萬年受用！NAND Flash和DRAM產業也在這一輪的景氣循環中，正大光明地走出谷底，等待終端需求大力添加柴火。
這一波DRAM產業有兩個題材，一是AI需要的高頻寬記憶體HBM對於DDR5的排擠效應，且HBM真的吃掉很多記憶體的Wafer產能; 第二是韓系國際記憶體大廠年底前要陸續退出DDR3的生產之列。
兩大韓廠三星、SK海力士要退出DDR3生產已經規劃許久，日前傳出最大供應商三星原本是計劃年底前停止生產，基於產能配置，提前到2024年中停止生產DDR3，SK海力士原本的DDR3供應數量就很少，逐步淡出符合預期規劃，這對於台灣DRAM相關廠商是好消息。
HBM在AI時代成為要角，記憶體產業主軸是“排擠”。
首先，HBM是SK海力士的翻身之作，未來在技術、產能、資源分配上，無論是SK海力士、三星或美光，絕對是全力搶占HBM市佔率，AI才是未來主角。因此，這些大廠不可能會有太多產能給傳統的DRAM，HBM對DDR5產能的排擠，恐怕剛開始而已。除非，你覺得AI是泡沫，是曇花一現，你覺得ChatGPT很快會消失。
業界分析，HBM生產週期包含TSV封裝，比DDR5的生產週期至少多出1.5個月，HBM3E的Wafer面積更是DDR5的三倍大。假如投片16Gb DDR5顆粒，每片Wafer的Gross die是1800顆，同樣的Wafer拿去生產HBM3E，搞不好只剩下600顆。
DRAM廠為了解決HBM瓶頸且拉升良率，只會有越來越多的DRAM產能轉移到HBM身上。有消息指出，HBM平均良率約在65%左右，但業界認為實際的良率其實更低。而且，HBM一旦有一個晶片有缺陷，整個封裝都不能用。另外，HBM的生命週期又比傳統DRAM短。
美光執行長Sanjay Mehrotra 曾表示，HBM因為包含了邏輯控制晶片，加上更複雜的封裝堆疊，且生產HBM過程會很大幅度影響良率，因此生產HBM3和HBM3E會吃掉很大部分的DRAM Wafer供應。
輝達Nvidia執行長黃仁勳也指出，HBM是技術奇蹟，它的技術非常複雜，但能提高AI效能，附加價值非常高，他非常重視與SK 海力士、三星在HBM記憶體上的合作關係。
全球市場中，HBM市佔率最高的是SK海力士，其次是三星，兩者合計應該有占90%市場，美光排名第三。
目前，SK 海力士的 HBM3E已經量產，輝達Nvidia絕對是優先出貨的重要客戶。
三星的8層HBM3E在量產時程上微幅落後，外傳，三星HBM3的良率只有10~20%，但SK海力士的HBM3良率卻已來到60~70%。幸好，三星最終仍是拿下輝達H200訂單。三星也強調自己將會推出業界首款12層HBM3E，是目前容量最高HBM產品，預計會很快量產。
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