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連于慧 2025/1/9

2024年幾乎每1～2個月都會有三星HBM3E即將通過Nvidia測試通過的消息出來，很像是街坊鄰居三不五時就會關心一下三星「肚皮有沒有動靜」、「什麼時候能添個金孫」、「這次能一舉得男吧！」，突然間三星在全世界多了許多「關心」他的公公婆婆（想必三星壓力是頂天大）。一直到2024年下半，韓國媒體都還在放消息說：快了快了、馬上、即將…會通過Nvidia認證。不過，三星在10月份的投資人會議中也透露雙方合作延宕的訊息。

黃仁勳在CES 2025記者會上直接給出答案：三星的HBM需要全新設計，才能通過Nvidia對於HBM的驗證。

老黃畢竟是非常懂得說會之道且情商超高的人，也補充說：三星是家非常優秀的公司，我相信三星能克服這些困難。 記者追問三星測試也太久了吧？ 黃仁勳回答更妙：韓國人總是比較急（impatient），但這是件好事，Nvidia使用的第一款HBM就是三星做的，相信他們最終一定能成功生產出來，就如同我相信明天是星期三！（記者會當天是星期二）

目前SK海力士是HBM3E記憶體的主要廠商，2024年初8層HBM3E晶片量產交貨，相隔僅半年，2024年下半就再度宣布12層HBM3E晶片量產，容量增加50%。自2013年，SK海力士開始供應從第一代HBM2到第五代HBM3E完整的HBM產品線。海力士的HBM4晶片預計2026年量產。

美光最新的HBM3E晶片，也成功打入Nvidia的H200供應鏈，而且公司也指出，2025年HBM晶片已售罄，被誰買光光大家心裡應該都很清楚（最近換皮衣的那位！！）再者，美光的HBM4晶片也預計會在2026年量產的，應用在Nvidia的Rubin R100產品上。

眼看SK海力士和美光的HBM3E都開始與Nvidia配合，接下來新一代技術更是與台積電保持緊密的技術搭配，三星非常著急！但著急沒有用，2024年著急了一整年，也還是沒有通過認證，接下來要看2025年了。也有人說三星的HBM技術一直沒做好，是因為早期銷售市場以中國為主，當地對於HBM認證的要求不高，所以最後與SK海力士的差距越來越遠。而現在，黃仁勳透露，三星的產品需要「重新設計」。

HBM除了用在現在最夯的AI服務器上，未來自動駕駛輔助系統ADAS對HBM需求也開始升溫。SK海力士已宣布，HBM2E已供應給美國自駕車公司Waymo，三星也表示將在2027年推出車用HBM4E。隨著未來Level 5自駕車需要的記憶體容量、頻寬等條件，已讓目前的傳統車用記憶體無法承擔，因為未來自動駕駛技術會加入AI來增加應變和處理速度，因此也需要HBM記憶體。
 

連于慧 2024/12/22
全球半導體雲端戰火的炙熱程度，已是人人抬頭可看遠處的火花四射，而這股AI熱情已經悄悄「下放」至邊緣端，群聚而起的邊緣AI商機即將引爆，台系半導體廠私下佈局多時的獨門邊緣AI技術，也陸續浮上檯面！

鈺創董事長盧超群每年都會親自出征CES，今年行前特別點名邊緣AI和機器人兩大未來趨勢，將可帶動全球半導體產業再攀高峰！ 盧超群尤其看好生成式AI邊緣端，鈺創推出的全球首創採用WLCSP微型封裝技術的RPC DRAM，相較於傳統DDR3產品，不僅大幅減少超過一半的接腳數，所需PCB面積更僅為原本的十分之一，是兼具尺寸、成本、功耗挑戰的最佳解決方案。再者， RPC DRAM也通過AEC-Q100 Grade-2車規級可靠度測試標準，並打入國際領導品牌車廠供應鏈。

日前，因為雲端AI資料中心的帶動，HBM成為記憶體領域的一陣話題，但鈺創已經看到未來HBM層數技術不斷堆疊上去，未來在能耗會是很帶挑戰，因此公司做法是將資源集中於底層架構和控制器，將重點研發放在記憶體與邏輯之間溝通的技術上，推出獨特的一站式開發平台MemoraiLink，來實現記憶體與邏輯設計的深度整合，提供高頻寬、客製化的利基型記憶體解決方案。

盧超群指出，MemoraiLink並非市場常見的橋接技術如NV Link、UA Link，它是專門做記憶體與邏輯之間的溝通，特點在於控制器的設計。例如，信號線數量由傳統的16根或32根提升至256根，強化數據傳輸效率，以因應邊緣AI運算產生的龐大數據。並且能有效降低功耗，以及縮短開發時程。MemorAiLink 的一站式開發平台也提供多樣的記憶體選擇，提供成本效益最佳化的異質整合多元封裝規畫，加上完整的記憶體介面IP，加速客戶邊緣AI系統解決方案在最短的時間實現落地！

此外，鈺創也展示即將在CEO上展出整合AI與半導體的創新技術，包括針對醫療維安場景打造的智慧相機，該系統整合DRAM、SoC、AI運算，實現高效能、低功耗的應用，目前已在台大醫院竹科分院落地使用，可於醫院內的安全監控、病人行為檢測及醫療器材管理，系統能即時處理影像數據，並結合AI運算判斷異常情況。

鈺創也展示，旗下子公司鈺立微電子正式發表全新eSP936多傳感器影像控制晶片，支援多達 7 路視覺傳感器數據，並搭配專屬的Sense and Reac人機互動開發者介面，實現智慧控制，成為推動智慧應用落地的關鍵引擎。 eSP936晶片結合多模態視覺語言模型，能夠整合多視覺傳感器與即時AI邊緣運算功能，適用於智慧應用場景，無人載具如自動導引車、自主移動機器人、無人機可透過該晶片高速同步處理多路2D影像並生成3D深度圖，提升高精準環境識別能力，搭配嵌入式AI晶片，能有效應對多變的導航環境。此外，工業機器人與服務型機器人則能在複雜場景中獲得更精準的智慧感知，結合即時運算、自動化操作，實現高效率運行。

沉浸式人機互動系統方面，eSP936能結合AI SoC平台，增強Sense and React互動體驗，廣泛應用於視訊會議、擴增教育及XR（擴展實境）領域，這款晶片支援多達7路視覺傳感器數據同步處理，內建DRAM 晶片與廣角影像去扭曲技術，實現高精準度環境感知與多視角3D深度圖生成，同時具備高效能數據壓縮能力，有效減少延遲。此外，其MIPI+USB同時處理技術，確保輸出高品質的2D影像與3D深度圖，進一步提升影像辨識精準度。

 

連于慧 2024/12/18
AI和非AI造成全球科技產業極度懸殊的貧富差距，也反映在記憶體產業上！ 傳統DRAM和NAND Flash乏人問津，高頻寬記憶體HBM卻是洛陽紙貴，原本在該領域腳步一直落後的台系記憶體廠，也決定高調出招！ 南亞科董事會宣布參與DRAM IC設計公司補丁科技的現金增資，以總投資額不超過新台幣6.6億元，現增後取得補丁38%股權。據了解，雙方要一起開發類HBM技術。

補丁科技是何方神聖？ 補丁科技原本就是南亞科的子公司，由丁達剛創立。最早期，丁達剛曾在英特爾、貝爾實驗室工作，1990年代回台灣後，次微米計畫發展DRAM技術時，由美國回來的盧超群、丁達剛、趙瑚、毛敘、陳冠中等人一同實現了自有DRAM技術的量產，之後更是創立了鈺創科技，而基於微米計畫發展的DRAM自有技術也在1994年成立世界先進，當時世界先進就是做DRAM自有技術，一直到2004年才轉型為晶圓代工至今。丁達剛在鈺創成立初期擔任過IC設計副總，也在南亞科工作過，後來成立補丁科技至今，一直是從事DRAM IC設計領域。

補丁科技研發的高頻寬記憶體為HBLL-RAM，立體堆疊記憶體的技術做法和華邦的Cube、力積電/愛普的解決方案類似，都是不需要用到台積電的CoWoS封裝技術。

在應用市場面上，台積電、SK海力士、三星、美光的HBM＋CoWoS封裝是鎖定雲端資料中心伺服器，而南亞科/補丁、華邦、力積電/愛普的解決方案比較偏向鎖定邊緣Edge AI領域，訴求是運算高性能AI計算時，能耗非常低。

據了解，南亞科以10nm DRAM製程和補丁科技一起針對客製化高頻寬記憶體的合作，是要一起開發第二代的HBLL 2。業界人士分析，南亞科內部一直有開發設計這種客製化類HBM技術的團隊，只是一直沒有浮上檯面，這次公開與補丁科技攜手，可能是南亞科內部的類HBM技術開發團隊進度還未成熟，同時補丁科技此時也有資金需求，因此雙方決定一起開發類HBM技術，希望能加速AI應用技術的突破。

記憶體廠佈局AI領域是一道不能迴避的必考題。但是，如果直接去挑戰HBM技術，等同是和美光、SK海力士、三星這幾家DRAM大廠競爭雲端資料中心市場，其技術門檻之高，需要投入資金之龐大，對於台灣記憶體廠而言，完全不實際，更何況三星這樣的強勢競爭者都可以屢屢受挫。

如何做出類似傳統HBM，但可以不需要用到2.5D/3D封裝技術，繞開台積電的CoWoS封裝技術，是台灣記憶體廠商正在做的解決方案。更重要的是，台記憶體廠這樣做法不需要最先進製程的技術，只需要用成熟的半導體技術就可以實現，差別在於容量密度和耗電，特別適合用在邊緣AI領域。這種類HBM的做法，也比傳統且真正的HBM記憶體便宜非常多，台廠也能利用高性價比的優勢，來創造出一些客製化和特殊需求的市場，來開創藍海。
 

連于慧 2024/12/3
美國第三波新出口管制清單的主要管制三大塊（前兩次出口管制為2022/10、2023/10）：HBM、華為、設備材料，另外還有EDA。整個管制清單串起來，針對華為和HBM相關的AI訓練和推理晶片的全產業鏈封鎖蠻徹底的，連當初吃下紫光集團的建廣資本和智路資本都上出口管制清單。

HBM限制：管制設於「記憶體頻寬密度」大於每秒每平方毫米 (mm) 每秒2 GB，目前生產的所有HBM堆疊均超過此閾值，意即HBM2、HBM3全部封鎖。不過，這項規定有的豁免方式，就是允許西方國家的企業在中國大陸封裝HBM2晶片，這應該是為Nvida、英特爾、AMD的AI晶片開一條路。

之前傳出美國原本針對HBM全都封鎖，但三星對於中國市場的依賴度比較高，極力遊說HBM2可以持續供應，甚至傳出三星同意「一比一搭配」供貨，就是在將HBM搭配台積電或台灣封裝廠出貨，以保證不會單獨銷售到對岸。（就是燒餅和油條一定要用夾在一起賣，油條不單賣就對了…）不過最後結果看來，只要封裝後的HBM2即有豁免權，也沒限制在哪裡封裝，主要應該是為Nvidia這些公司開小路。

武漢新芯：估計也是因為這家的母公司為NAND Flash廠長江存儲，所以被盯上。

為什麼每次的出口管制，長鑫存儲始終能置身事外？ 這問題很多人問，傳出長鑫在美國的遊說團強而有力，也有一說法是DRAM技術屬於60年前的成熟技術，在美國適用的法規是管制度較低的EAR99，目前美國只管制14/16nm 以下邏輯晶片製造設備、18奈米以下DRAM製造設備，以及128層以上Flash記憶體製造設備賣設備到中國市場。

還有，長江存儲和同期集團的武漢新芯被美國封鎖，是因為NAND Flash在中國當地只有他們在做，直接全封看起來很省事。但如果因為要封殺長鑫存儲，那可能不能只管制一家，得管制在中國境內做DRAM晶片所有廠商，還包括三星西安、SK海力士無錫廠，這代價太大了！

華為體系：芯恩青島、深圳昇維旭、深圳鹏新旭這三家傳言和華為有關的公司，毫不意外都上清單。

設備材料：幾乎從塗膠顯影、刻蝕、薄膜沉積、清洗、離子注入、CMP等等全產業鏈封鎖，包括北方華創、盛美、屹唐、中科飛測、至純、凱世通、拓荊、睿励、深圳新凯来全上了出口管制清單。其中，章閣儀器是昇维旭旗下的，深圳新凯来也與華為相關。唯一沒上榜的是中微半導體。不過，當今這種氣氛下，中微還是不要當唯一例外比較好，免得被當成美國同路人。

EDA：華大九天。這家是中國EDA龍頭，估計是針對7nm、5nm先進製程開發工具，因此上了清單。

投資機構：建廠資本、智路資本（這兩家是當初吃下紫光集團的兩大資本集團）

聞泰：上清單感覺最倒霉的是聞泰，不過就做的汽車晶片，然後躺著也中槍，可能是太有名了。

傳三家VEU企業被撤銷：原本與美國有三家VEU計畫中的半導體廠商分別為華潤微電子、上海華虹宏力、中微半導體，傳出這次VEU撤銷。美國在2000年代設立最終用戶認證項目VEU（Validated End User），經認證的企業在特定場所按特定用途使用的項目，無需額外申請許可證，這些申請VEU的企業在內控管理上有特殊的合規要求。
 

連于慧 2024/11/27
在美國新一輪出口管制即將公佈之際，傳出美國網通大廠已對供應商發出通知函，要從嚴執行提供晶片原產地證明COO（Certification of Original），供應商的產品不能有中國製造，且COO的標準認定更由晶片的最終封裝地點，升級為追溯晶片和光罩產地，確保不是中國製造後的「洗產地」。這次是美國網通設備大廠先執行，業界在觀察未來是否所有消費性電子產品都會跟進。（先前已有Dell先要求所有產品逐漸去中化，傳HP評估跟進中）。
 
關於美國可能進一步要求「去中化」，且嚴格限制晶片產地的消息，我們在7月中有一篇詳盡報導《美國擴大中國成熟製程關稅力道，傳晶片產地認定將追溯至前段半導體製造》。業界透露，網通設備有國家安全考量，因此必須嚴格追溯晶片產地可以理解，但不一定會擴及至所有消費性電子產品，除非有官方規定。
 
先前，傳出PC大廠戴爾已經開了第一槍，要求從美國市場銷售的產品開始，目標在2026年前，PC、ＮB、伺服器和周邊產品如鍵盤、電源供應器等產品內部晶片產地都要完成去中化。雖然Dell出面否認，但業界都心知肚明，這是美國政策引導的方向，像是Dell和HP這樣規模的指標性大廠，以及這次傳出要求供應商提供COO證明的美國網通大廠思科，必須要在官方政策正式出台前，先下手執行。
 
晶片產地「去中化」嚴格實施後，有三個趨勢會更為明確：

第一，是全球科技產品供應鏈分為中國製和非中國製兩套系統運作的趨勢明確。未來，供應鏈安全為第一優先考量，生產成本的考量其次。
 
第二，中國不斷大力擴建成熟製程產能，未來如果只能使用在中國境內產品，會陷入自己卷自己，出現嚴重供過於求。即使產能滿載，都不一定能有合理利潤，只能依靠政府補帖重點企業，然後再來一場嚴峻的淘汰賽。
 
第三，中國以外的成熟製程產能（即台灣邏輯和記憶體半導體廠），眼前有危機，但也深具轉機。表面上的危機是中國因為成熟製程產能供過於求，把價格殺很低。但從另一個角度看，全球晶片「去中化」已經開始多年，只是沒有徹底執行。川普2.0捲土重來，在對中的科技戰略上不會手軟。拜登在最後任期開始從嚴管制，預計川普上任後，科技廠只能選邊站，沒有模糊空間。當所有科技產品的成熟製程投片都必須「去中化」時，台系半導體廠、記憶體廠有機會來一場翻身戰。
 
未來電子產品內的晶片如果都要求去中化，至少在美國市場銷售的部分，所有成熟製程必須大量依賴聯電、世界先進、力積電。記憶體最大獲益者當然是正宗美國招牌的美光，其次是南亞科和華邦兩大記憶體晶圓廠，這兩家台廠大量供應消費性電子、網通設備用的成熟製程利基型記憶體晶片，未來會獲得最大轉單機會。再者，台系記憶體IC設計鈺創和晶豪等，也不能偷偷去中系記憶體廠投片，要乖乖回台系記憶體廠的體系投片。至於兩大韓系記憶體廠三星和SK海力士，主要戰場還是在AI應用上的HBM記憶體。
 
在晶片「去中化」背景下，台系成熟製程大廠聯電、世界先進、力積電，以及記憶體廠南亞科和華邦是唯一可以承接的晶圓代工訂單的供應商群。其他如GlobalFoundries規模有限，英特爾的晶圓代工部門拼的也是對標台積電的先進製程，其成熟製程也只能拉聯電一起合作。
 
現在半導體產業的最大問題不是「紅潮」，是終端需求不振。中國的成熟製程產能再擴下去，只會自己卷自己，最後殺到自己，非中系的供應鏈只要設下防火牆，是可以跳脫紅潮危機的。
 
整體來看，2024年下半的終端需求有比上半年好一些，但仍是反應季節性的旺季不旺。有個很重要的產業背景是，需求不振已經持續很多年了，意即經過多年的消化庫存，現在供應鏈的庫存也處於低水位，只待終端需求一點火，整個產業鏈就會動起來。
 
當前台灣成熟製程廠雖然面臨地緣政治挑戰，但也是前所未有的轉機。川普第一次上任時，把華為禁掉，當時大家認為台積電失去華為這位大客戶，恐面臨訂單空窗期，但事實證明是所有非中系客戶訂單都搶著遞補上來。（當然後來加入疫情背景，供應鏈擔心斷鏈下的搶晶圓潮）。未來歐美會延續供應鏈安全第一的準則，基本上所有成熟製程的晶片都只能依靠台灣，台灣成熟製程半導體廠、記憶體廠的訂單回籠，是遲早的事。
 
關於中國的成熟製程廠，還有一個思考面向。美國和歐洲對於中國不斷擴增成熟製程產能，已經著手防禦。不久前，更傳出美系半導體設備大廠包括應用材料(Applied Materials)和科林研發（Lam Research），要求他們的零組件供應商不能有中國色彩，以遵循美國的出口管制。另外，雖然美國也要求設備廠尤其是ASML要中斷對中國半導體廠的機台設備售後維修服務，但這一點ASML並未同意。在2022年美國出台的出口管制後，基本上只要是美國公民包括綠卡持有者，都不能繼續在中國半導體廠生產基地工作，當時有一波半導體設備廠外國人員撤出潮。
 
業界指出，要設備廠中斷維修服務，業者多半不願意遵從，因為售後服務也是設備廠一大生意來源，不可能斷然放棄，有些還有合約問題，無法直接違約，但這部分後續發展，可能要看美國會動用多少行政手段干預，這也會牽涉中國成熟製程機台後續的維修問題。


 

連于慧 2024/11.12

中國記憶體廠長鑫存儲近日來傳出合肥晶圓廠因為人為疏失，導致出現上數萬片晶圓報廢事件，甚至該工廠的廠長遭到撤換。據悉，該名長鑫合肥廠的高管是之前台積電上海松江廠的廠長，當年甚至從台積電位於上海松江8寸和南京12寸晶圓廠帶兵百人投靠長鑫存儲。業內認為，原本整個PC、手機、消費性產品市場的終端需求原本就極為疲弱，如果該事件導致有不良品低價賣到市場，恐進一步壓抑DRAM價格。
 

在生成式AI需求爆炸性帶動下，全球記憶體的光芒都集中在高頻寬記憶體HBM身上，更成為SK海力士、美光、三星競技戰場，反而是傳統DRAM和快閃記憶體NAND Flash，因為PC、手機、消費性電子、車用等需求疲軟，一直乏人問津，今年以來的價格走勢更是疲軟。原本市場期待HBM在量產和拉升良率的過程中，因為大量消耗wafer，大幅排擠DDR5的產能，帶動價格攀升，但實則效果有限，再加上DDR4和DDR3庫存問題，實在很難看到DRAM市場何時才能走出谷底。
 

中國記憶體廠的大舉擴增產能動作，一直被視為是未來DRAM和NAND Flash市場供需的一大變數。沒想到，近日卻傳出長鑫存儲的合肥廠出現晶圓報廢事件。原本業界認為，隨著美國出口管制一年年趨嚴，中國半導體持續加速設備和材料進入快速國產化階段，在過程中出現良率損失或影響晶圓廠運行效率的狀況，其實是不令人意外。因此，原本各界認為這次長鑫合肥廠的失誤，可能與導入國產化的材料或設備有關。不過，根據供應鏈人士指出，這事件應該是人為失誤，因此出現有高管被撤換。
 

據了解，長鑫存儲的DRAM月產能約20萬片，將逐步朝月產能30萬片邁進，主要產品除了原有的DDR4和LPDDR4，也開始跨入DDR5、LPDDR5X，並且計劃跨入HBM記憶體，傳出已購入半導體設備將發展堆疊8層的HBM2。由於長鑫存儲主要產品在利基型DRAM晶片上，隨著產能不斷擴大，首當其衝影響的會是台廠南亞科和華邦電。在需求疲弱、供給增加的雙重壓力下，DRAM價格也確實一直被壓抑。
 

長鑫存儲成立於2016年，與長江存儲同年成立，當年度美光併購台系DRAM合資廠華亞科（南亞科和德商英飛凌合資），全球DRAM產業陷入一陣大整頓，於是出現華亞科的300~400名工程師被長鑫和長江存儲挖角到中國工作，當時因為長鑫的合肥晶圓廠建設速度比較快，華亞科的工程師主要都被長鑫存儲挖走，當時傳出薪水是台灣薪資的三倍起跳。
 

幾年後，長鑫存儲的台灣籍員工已經離職一大部分，大多數都讓本地員工取代。據悉，長鑫在台籍員工多數離職後，從台積電上海松江廠和南京廠挖角上百名工程師。這次報廢事件遭到撤換的合肥廠長，當年就是從台積電上海松江廠跳槽去長鑫工作。
 

長鑫存儲目前產能超過20萬片，除了合肥廠，也有北京廠，今年以來更增加上海廠，據了解上海廠會從前段做到後段一條龍統包。同時，長鑫存儲也將跨入AI領域的主戰場HBM記憶體，從HBM2切入。
 

半導體業界對於中國切入自主HBM開發並不意外。因為，一直傳言美國出口管制禁令的重點，會是在中國的HBM。這次台積電的7奈米製程先被美國商務部口頭要求部分審查，應該是因為華為白手套事件的突發狀況因此『插隊』。不然，下一輪科技戰的主戰場會是在HBM。
 

業內人士透露，對於美國出口管制鎖定HBM一事，最緊張的是三星，因為SK海力士的HBM主要都供應給Nvidia，美光也成功獲得Nvidia認證，一直到明後年出貨配合的數量都會放大。
 

相較起來，三星對於中國市場的依賴度最高，仍有一定比重的HBM是供應給中國數據中心的客戶，如果接下來HBM輸中被列入出口管制，對三星衝擊最大。因此傳出三星一直在遊說美方放寬HBM出口管制的範圍，例如只管制HBM3以上，但就規格的HBM2以下希望能放行。

連于慧 2024/11/10

台積電自2024年11月11日起，多數7奈米製程（包含7奈米）以下晶片將先暫停對中國客戶投片，未來採取逐一審核取得美國商務部許可證的方式，來放行下單。該消息最早傳出是停止所有中國7奈米以下客戶的投片，因此被部分人解讀為「假新聞」、「假消息」，事實上不算是停止投片，只是投片前先要先審查，再者也不是所有7奈米製程的客戶都會被拒絕投片。這邊想強調的是，很多最早期獲得的消息細節，確實很難做到100%完全精準，但大方向沒錯，其實不應該以一句「假新聞」來評論或概括整個事件。  
 



先來談談中國7奈米製程被暫時叫停的起源，這肯定與華為找了白手套迂迴繞道拿到台積電7奈米製程產能脫不了干係。美國最近氣氛很詭異，包括商務部主動公開GlobalFoundries自首在3～4年前出貨給黑名單上的中國公司而被罰50萬美元，美眾院中國特別委員會近期又發函給ASML、應用材料、東京威力科創TEL、科林研發Lam Research、KLA等半導體設備公司，要求提供中國客戶清單和出貨細節，更提到讓中國購買製造晶片的設備，等同是幫助俄羅斯取得武器，並威脅台灣安全。
 



看來在川普勝選確定再度入主白宮後，民主黨拜登最後幾個月任期的態度轉為強硬，為的是不讓川普上台後有太多把柄可以抨擊，尤其是對中國的出口管制措施方面，接連爆發一連串的漏洞。
 



台積電針對中國客戶在7奈米製程以下暫停投片，採取先審查發許可證的方式進行，有些人說是美國商務部要求，也有人認為是台積電為了在此敏感期間能更精準把內控做好，主動執行該策略。根據我們掌握的消息指出，美國商務部的人上周確實在台灣拜會幾家公司，當然重點是會晤台積電高層。因此，在此時傳出台積電暫停中國客戶部分7奈米製程投片，我們可以合理推測，與美國商務部或主動、或被動的要求脫不了干係。（我們比較傾向認為是商務部主動提出的要求，或是美方要求中國客戶7奈米以下全部禁止投片，但台積電提議可以從晶片條件來把關，而非是全部都禁止。）
 



談一談台積電針對中國7奈米以下製程的客戶，在投片前須先審批獲得許可證，大概是有哪些限制？
 



根據我們掌握的消息，不會是所有7奈米以下客戶都不能在台積電投片。首先，手機等消費類的產品沒有影響，不在這次的管制範圍，這次主要是管制AI類產品。AI晶片分為訓練和推理，比較可能被嚴加控管的會是AI訓練晶片，像是GPU等，這是美國首要管制的對象！
 



AI推理晶片或許能逃過一劫，列入不受管制的名單範圍，像是自動駕駛ADAS相關晶片會比較偏AI推理，主要是看到障礙物要做出判斷，原則上不受限制，但也要個別晶片開發設計的細節和目的，以及是否為檯面上被關注的公司，例如百度、騰訊、阿里巴巴等知名公司有機率會被特殊審核。
 



業界傳出的版本有4個標準來判斷7奈米製程晶片，是否需要美國商務部的許可證：


電晶體數目超過300
Die size超過300
用HBM記憶體（HBM估計距離中國下一波出口管制名單真的不遠了！）
用CoWoS封裝（所有CoWoS封裝產能剛好可以留給老黃？）





其實以上述四個晶片條件來看，AI訓練晶片確實是四處碰壁。大數據AI訓練晶片通常需要面積大、電晶體多、HBM用上來，估計之後的晶片都要經過許可證的發放。中國有四大雲端平台：華為、百度、騰訊、阿里巴巴，其中華為本來就是被管制公司，但未來其他三家雲公司在台積電開發晶片，可能都會被列為審核名單。
 



台積電部分中國7奈米製程以下客戶，未來投片需要許可證一事，會產生哪些後續影響？
 



目前來看，美國想管控的範圍是在AI技術上，更精準來講是AI訓練相關晶片，不會全部7奈米晶片都禁止。主要導火線當然是這次華為透過白手套獲得台積電7奈米晶片，華為和其白手套的這次大膽操作，確實讓中國許多需要先進製程技術的公司，都差點置於險境。
 



後續帶來的影響是，中國AI和GPU晶圓代工國產化的腳步會加速。其實，今年早先就傳出中國官方鼓勵採購國產化GPU取代Nvidia，中國有兩家晶圓代工廠被點名為GPU生產基地：中芯國際和上海華力微電子。雖然產能有限、技術瓶頸待克服，但看起來這次的7nm以下許可證事件，會讓很多中國IC設計公司都產生擔心，即使是不在這次管制名單中的公司，估計也會想想未來備案。
 



據了解，目前產能雖然有限但相對穩定的中芯國際，產能非常吃緊，未來會優先供貨給三類公司：

第一：華為（基本上在中國，華為已經自成一格成一大類公司）

第二：CPU公司如海光、龍芯、飛騰等

第三：GPU/AI公司如沐曦、天數智芯、燧原（另外兩大GPU公司壁仞、摩爾線程都已上黑名單）
 



中芯國際畢竟產能有限，業界認為除了早期採購的部份用來生產先進製程技術的半導體機台之外，應該也在同步與中國設備廠開發用於先進製程的半導體機台設備。經過這次，中國晶片國產化會加速且更徹底。拜登任期結束倒數計時，估計這幾個月會密集對中國出招，以免等到川普上台後，有些出口管制的漏洞被他拿來說嘴，並用來作為檢討拜登政府之用。

連于慧 2024/10/3

中國資本市場上半年狀況不佳，為了避免市場信心崩盤，上海、深圳、北京三大交易所幾乎是取消了所有IPO申請，直到進入下半年，各大交易所才再次重新受理企業IPO。
 



2024年下半，上交所受理的第一個IPO項目，是一家意義上具有重量等級的公司—武漢新芯，其背後代表的是中國NAND Flash大廠長江存儲，同時武漢新芯也正在開發人工智能AI相關的記憶體HBM技術。
 



武漢新芯究竟是何方神聖？ 它是一家三維整合、特色存儲的晶圓代工廠，也有與台系記憶體廠NOR Flash旺宏、華邦相同的SPI NOR Flash產品線，而武漢新芯背後更重要的身份和意義，是中國NAND Flash大廠長江存儲持股68%的子公司。
 



武漢新芯這次的IPO預計募資48億人民幣，這金額不算太高。不過，業界仍將武漢新芯的IPO計劃，視為未來長江存儲的「血庫」之一，因為長江存儲本身要上市有一定難度，但身上又背負NAND Flash芯片國產化的目標，需要擴大NAND Flash產能。
 



武漢新芯前身成立於2006年，最早是中芯國際與武漢政府合作成立，由武漢政府出資成立12吋半導體生產線，製程為65nm～40nm，委由中芯國際代管，於2008年9月正式投產，主要是生產中芯為美國NOR Flash大廠飛索Spansion代工的訂單，以65nm製程技術生產。
 



2008年金融海嘯期間，由於飛索Spansion訂單劇減，武漢新芯陷入嚴重虧損，導致武漢政府想要出售股權。
 



當時，美光積極接洽欲入股武漢新芯，甚至傳出台積電也參與武漢新芯股權的洽談。只是到了最後，中方希望該半導體廠的主導權能維持在中方手上，發一場業界稱為「武漢保衛戰」之役，最後成功由中芯國際注資，並持續保有武漢新芯主導權。
 



中芯國際與武漢新芯的合作到2013年正式結束，由武漢政府接手。期間，新芯也曾和飛索合作3D NAND技術研發，以及與豪威OmniVision（被韋爾半導體收購）合作開發3D IC技術，奠定日後朝3D堆疊發展的根基。
 



長江存儲是一家成立於2016年的NAND Flash半導體公司，雖然成立的時間晚於武漢新芯，但長江存儲成立後，武漢新芯遂變成其旗下轉投資公司，目前長存對武芯持股約68%。
 



2019年長江存儲發表獨家的Xtacking技術，將邏輯與記憶體晶片片做堆疊，以規避既有國際記憶體大廠的專利，該Xtacking技術就是源自於武漢新芯的3D IC技術根基來開發。
 



除此之外，武漢新芯有兩個值得關注的背景。第一，其目前的法定代表人是楊士寧。他過去曾任新加坡特許半導體的CEO、中芯國際COO，同時也曾任長江存儲CEO，之後因為其美籍身份，長江存儲被美國商務部關注後，楊逐漸從長江存儲退下，轉去掌舵武漢新芯。
 



第二，武漢新芯傳出建設12吋的HBM記憶體廠，開始購入HBM技術相關設備，初期月產能為3000片。
 



眾所周知，HBM為技術門檻十分高，目前技術以SK海力士為首，三星和美光極力追趕，HBM記憶體更是AI的敲門磚，武漢新芯作為長江存儲旗下的子公司，也極力參與HBM技術開發、設備採購，以及生產線打造，自然引人注目。







 




根據武漢新芯IPO招股書，是一家具特色工藝晶圓代工企業，聚焦於特色存儲、數模混合和三維整合等業務領域，可提供基於多種技術節點、不同工藝平台的各類半導體產品晶圓代工。
 



2023年營收比重中，晶圓代工佔67%、自有品牌佔16%。以技術平台劃分，特色存儲佔67.7%、數模混合佔20.26%、三維整合佔4.54%。招股書中指出，公司多項技術及產品已廣泛應用於汽車電子、工業控制、消費性電子、電腦等下游領域。
 

連于慧
過去曾是張忠謀口中的兩隻「700磅大猩猩」的英特爾與三星，前者在COMPUTEX期間CEO積極巡攤位與下游OEM廠搏感情; 另一家三星則是SEMICON Taiwan期間，與台積電高層坐在台上華山論劍談AI，兩家公司高層中間還特別隔著一個Google代表，微妙的距離看上去是「友達以上，合作未滿」！
 



在「AI晶片世紀對談」中，作為論壇主持人的日月光執行長吳田玉話鋒犀利指出：你們看這AI商機多大、多美好，迫使我們得跟韓國的朋友（指同在台上的三星）來討論AI這個議題。話一說完還不忘問台積電共同營運長米玉傑「我這樣說有太超過嗎？」


他也不斷拋出同一個議題讓大家思考：今日我們對AI的投資如此巨大，包括三星、SK海力士、台積電在硬體製造上高度資本密集的投入，還有先進封裝、設備材料行業極力往前衝，但最大的受益者卻是美國，且前方回收之日十分漫長。
 



三星記憶體業務副總李禎培Jung-bae Lee認為，現在只是投資播種期而已，呼籲要有耐心。
 



確實，在AI時代已經明顯落後的三星，不但需要展現耐心極力追趕，更對勁敵台積電努力拋出橄欖枝。其實，就算三星想選擇「躺平」...大客戶Nvidia也絕對不會允許！
 



只是，進入HBM4技術世代後，三星面臨的壓力會比以往更巨大，因為要面臨記憶體和邏輯兩大勁敵SK海力士和台積電的攜手合作。




 



從HBM4技術開始，記憶體與邏輯之間的邊界開始被打破，台積電更是直接嶄露跨足記憶體的雄心，與SK海力士宣布合作共同開發HBM4記憶體，將於2026年正式量產。
 



在HBM領域已經落後的三星，眼看SK海力士和台積電合作，心中著急自是不言而喻，在SEMICON TAIWAN 2024中，三星表示，HBM4合作將不限於自家晶圓代工廠，對台積電揮手的意圖十分明顯。
 



翻開台積電的歷史，身為半導體常勝軍的張忠謀，DRAM一直是他的魔咒。台積電在1994年主導成立世界先進做DRAM，卻在2000年之後宣布退出，從此專注在邏輯製程領域，不碰記憶體。
 



沒想到在20年後，AI這股颶風讓台積電順理成章打開記憶體大門，更與一向是對立面的韓國，並肩作戰成為技術盟友！
 



為什麼HBM會需要台積電邏輯製程技術的幫助？ 
 



HBM的架構是將DRAM晶片堆疊在Base Die（基礎裸晶）之上，再用矽穿孔TSV技術結合，之前HBM的Base Die是用DRAM製程做，但從HBM4開始，考慮到需要更強大的運算功能和傳輸速度加快，HBM的Base Die需要改成用由先進邏輯製程生產。而SK海力士沒有邏輯先進製程，因此需要與台積電合作，預計雙方合作的HBM4產品會用到台積電的5奈米製程。
 



李禎培在「AI晶片世紀對談」論壇中也指出，為了打破限制，HBM必須加入邏輯處理的技術，提供客製化HBM，現在三星HBM4的Base Die已經交給晶圓代工廠。
 



他更強調，HBM4技術世代後，記憶體業者、晶圓代工廠、客戶三方之間的合作越將更為緊密，而三星本身有記憶體、晶圓代工等業務，可滿足客戶一條龍式生產服務。再者，三星記憶體已準備好Base Die的IP解決方案，可以提供給客戶自行設計，保持代工服務彈性，因此未來合作並不限於三星自己的晶圓代工廠。
 



SK海力士社長金柱善（Justin Kim）也出席了大師論壇，表示2024年以來已經來台灣十次了！ 至於為何而來，台下聽眾皆是會心一笑。
 



SK海力士與三星一同出席SEMICON TAIWAN 2024舉辦的大師論壇，是這兩家韓系記憶體廠首次在台灣同台競技，目的都是拉攏台灣的半導體產業供應鏈。
 



這要感謝AI時代，把台灣產業鏈的重要性提升到另一個高度與層次，讓台灣成功掌握PC、智慧型手機時代後，又站在AI時代的浪潮頂峰！
 



金柱善表示，台灣和南韓之間要密切合作，能彰顯高度價值，不僅是對眼前業務有利，也是為了因應解決前方挑戰而共同努力。
 



他也表示，SK海力士在HBM領域享有最高的全球市占率，HBM3E是市面上最具主導地位的產品，預計9月就會推出12層堆疊的HBM3E產品，應用在AI伺服器上。同時，SK海力士的HBM4也在研發中，將配合客戶量產時程，在結合自己HBM技術和台積電的先進製程代工，將會誕生無與倫比的產品。

台積電全球業務及海外營運辦公室資深副總暨副共同營運長張曉強接受TechTechPotato YouTube頻道接專訪中談到關於摩爾定律、CoWoS、A16製程技術的看法，以下是部份內容整理：
 





很多人說摩爾定律已經失效，台積電怎麼看？



我不在乎。只要我們能夠繼續推動技術進步，我不在乎摩爾定律是否有效。



許多人只是基於平面微縮two-dimensional scaling對摩爾定律進行了狹隘的定義，事實上已不是如此。看行業內許多創新可知道，我們仍在繼續尋找不同的方法，將更多功能和更多能力整合到更小的外形尺寸。我們繼續實現更高性能和低耗電。因此，從這個角度而言，我認為摩爾定律或技術微縮的步伐持續。我們將持推動產業向前發展。
 



有收到過來自客戶的令人驚奇的要求嗎？



不會。我們與客戶密切合作，同時保持開放，確保客戶選擇正確的技術。請記住，我們是晶圓代工業務，目標是幫助客戶實現成功的產品。我的老闆常常告訴我：“我們是晶圓代工業務，要與客戶共同努力以取得成功，但有一個順序，客戶必須先成功，然後我們才能成功。”
 



Nvidia、AMD、英特爾對CoWoS需求量都很大，目前台積電擴產的進展如何？



對我們來說，CoWoS 是 AI 加速器的主力。你可以看到目前所有的大型 AI 加速器設計，幾乎都是基於台積電 N5 或 N4 技術加上 CoWoS為主。



我們正在迅速擴大 CoWoS 產能，複合年增長率遠高於60%。這個數字非常高，但仍在繼續增長，我們與客戶密切合作，確保滿足他們最關鍵的需求。



上述是指CoWoS產能，同時我們也在擴大自身CoWoS的能力。



目前最先進的AI加速器，CoWoS 中介層尺寸大約是光罩尺寸的3倍，而光罩尺寸約為800 平方毫米，這提供了集成全光罩尺寸SoC，以及最多8個HBM堆疊的能力。但在兩年後，我們將能夠將中介層尺寸擴大到光罩尺寸的 4.5 倍，讓我們的客戶整合最多12個HBM堆疊。往前看，我們的研發團隊已經開始將 CoWoS 中介層尺寸擴大到光罩尺寸的 7 倍或 8 倍。
 



12個HBM堆疊夠嗎？ 大家想要更多！



台積電也宣布了另一項創新的系統級整合技術：晶圓系統 (SoW)。你想，晶圓加工設備所能製造的最大尺寸是單一300 毫米晶圓，因此我們將晶圓作為基礎層，並將所有邏輯和高頻寬DRAM 整合在一起，以整合整個晶圓區域。因此，如果你使用 CoWoS 術語來衡量，中介層尺寸的「X」數是 40 倍，非常龐大。這就是我們為客戶提供的服務，以繼續整合更多運算功能和更多記憶體頻寬，滿足未來AI需求。
 



A16製程技術和全新Super Power Rail 技術，帶來哪些創新？

A16 是一項重大的技術改進，採用奈米片電晶體，是業界領先且最先進的電晶體架構，特別適合HPC 和 AI 應用。



同時，我們也增加創新的背面供電設計，這樣的設計可以讓客戶將電源佈線從正面移到背面，進而騰出空間來提高效能，同時改善電源。



我們的方法與傳統的 BSPDN 設計非常不同，在傳統的背面電源軌中，你只需鑽孔即可將背面金屬連接到正面金屬，但這樣做會佔用空間，並且必須擴大庫單元的佔用空間。在我們的設計中，採用了非常創新的方法，將觸點或電晶體、電晶體的源極移到背面，而不會改變庫單元的佔用空間。
 



為了實現這一目標，是否會讓傳統的製造步驟會有些混亂？



是的。但我不想討論特定的流程步驟，我們的研發團隊不會很高興聽到這樣的討論。
 



這樣就像三明治設計：電晶體、訊號和電源，肯定會增加很多製造成本吧？



這是肯定的，但如果你看密度、功率和效能的優勢，我認為它的價值遠超過成本。這對HPC和AI尤其重要，因為節能運算是關鍵驅動因素。
 



是否選擇使用A16製程技術，也必須要採用超級電軌Super Power Rail)這種背面供電的設計？



A16製程本身定義就擁有超級電源軌，但我們也提供了技術選項，讓我們的客戶可以繼續利用現有的設計資料，而不必使用背面供電。例如，在電源佈線較不密集的行動應用中，您不必使用背面供電。
 



台積電得A16製程會在什麼時候推出呢？



我們的目標是在 2026 年下半年為主要客戶投入 A16 生產，從台灣開始生產。
 



關於導入ASML新一代高數值孔徑EUV設備，台積電怎麼想的？



回顧一下，台積電是業界第一個將EUV引入大量生產的公司，就EUV的生產使用和生產效率而言，我們今天仍然處於領導地位。我認為我們的研發團隊將繼續研究新的 EUV 功能，顯然包括高數值孔徑high-NA EUV，有很多考慮因素，像是可擴充性和成本等。

 
2024年COMPUTEX創下史上空前盛況，加上Nvidia黃仁勳帶動的“逛夜市”風潮，台灣成為全世界最閃亮的地方。Nvidia於COMPUTEX期間舉行的全球媒體記者會中，第一個被提出的問題居然是與AI息息相關的HBM記憶體，在盛況空前的COMPUTEX舉行當下，國際記憶體大廠的HBM武力佈局完全沒有鬆懈的一刻！
 



美光Micron在COMPUTEX期間舉行了一場新技術發佈會，宣布推出GDDR7繪圖記憶體，採用美光1-beta技術。不過，在場媒體最關心的話題，仍是HBM！ 連美光主管在當天主軸是GDDR7的聯訪記者會開到最後，都開玩笑表示：“還有任何關於HBM的問題嗎？”
 



HBM技術非常複雜，要做十幾、二十層的堆疊，技術門檻非常高。但是，如果沒有HBM記憶體，GPU也無用武之地，AI商機也是海市蜃樓。
 



美光的HBM記憶體將在台灣和日本兩地生產。事實上，美光有60%的DRAM產能放在台灣生產，1-Beta 製程已在台灣廠房進入量產，預計2025年會在台灣引入EUV機台來生產1γ（Gamma）製程DRAM晶片。在日本廣島廠方面，美光也會引入EUV機台，在2025年生產1γ(Gamma) DRAM。
 



美光2024年已經宣佈24GB的HBM3E記憶體正式量產，採用1-Beta 製程技術，獲得Nvidia的H200 GPU採用，預計2024年第二季開始出貨，第三季放量。同時，美光也宣布推出12 層堆疊的36GB HBM3E樣品。
 



美光看好到了2025年HBM3E的市占率將可望上升到20~25%，與美光在全球DRAM市佔率相當。HBM市佔率的提升，背後象徵兩大意義，一是技術上站穩腳步，二是產能要能跟上腳步。另外，H200的採用也是一大助力。
 



美光在HBM上急起直追，以及強大的企圖心，看在日前傳出HBM產品不順、出現過熱且未通過Nvidia認證的三星的眼裡，勢必是著急不已。
 



接下來，來談一天COMPUTEX當天美光的技術發佈會的重點。
 



美光次世代GDDR7繪圖記憶體已正式送樣，採用美光1β (1-beta) DRAM技術和創新架構，最高速度達每秒32 Gb，系統頻寬提升至1.5 TB/s以上，頻寬相較前一代美光GDDR6高出60%。
 



相比前一代GDDR6，美光GDDR7的能源效率亦提升超過50%，有效改善散熱問題並延長電池壽命。GDDR7新的睡眠模式可降低系統待機功耗最高達70%。
 



美光GDDR7擁有四個獨立通道，最佳化工作負載與更快的回應速度、更流暢的遊戲體驗並顯著縮短處理時間。
 



美光預計，採用GDDR7製作的顯示卡在1080p、1440p和4K解析度下的光線追蹤和光柵化每秒幀數（FPS）相較於GDDR6和GDDR6X可提升超過30%。
 



GDDR7產品的推出，讓完美光的產品布局CPU、NPU和GPU元件的邊緣 AI 推理應用，提供 DDR、LPDDR 和 GDDR 記憶體選項。針對遊戲應用，美光GDDR7記憶體透過效能和幀緩衝區擴展，以可隨遊戲內容變換的場景、玩家和故事情節實現 AI 增強的遊戲體驗。
 



美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，透過採用先進製程和介面技術打造出最高頻寬的記憶體解決方案，再次引領記憶體產業創新，並維持在繪圖記憶體效能的領導地位。

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中國國家積體電路產業投資基金（大基金）三期於2024年5月24日成立，註冊資本3440億RMB（約480億美元），超過大基金第一、二期總和，預計三期會投入三大領域：先進製程晶圓代工解鎖AI算力晶片、解決被ASML卡脖子的曝光機技術，以及擴大NAND Flash和DRAM產能和研發生產HBM晶片。
 



大基金第三期第一大股東為財政部，持股17.44%，合計共19 位股東，相較第二期27個股東減少。 最值得關注的是，這次地方政府只有北京、上海、廣東三地，不同於過還有合肥、武漢、成都、重慶等。 若要解讀更深一層意義，應該是投資力量更集中，不再像過去讓半導體投資、晶圓廠遍地開花。
 



大基金三期的成立，除了資金是一、二期的總和超達3440億RMB，總註冊資金3440億大致可分為四類：
 

• 中央財政 1060億


 財政部600億
 國開金融360億
 國家開發投資集團100億


• 地方國資950億（主要北京、上海、廣東三地）


北京國資350億，其中亦莊國投200億、北京國誼億元150億
上海國資300億，由上海國盛出資
 廣東國資300億，其中深圳鯤鵬170億、廣州產投90億、粵財投控40億


• 銀行1140億


中國建設銀行215億
中國銀行215億
中國農業銀行215億
中國工商行215億
交通銀行200億
郵儲銀行 80億


• 央企290億


中國誠通100億
中國菸草100億
華潤集團 50億
中國移動 40億





大基金三期到底會投資在哪些領域？  根據研判，會聚焦在三大方向：




第一，先進製程的晶圓代工製造和先進封裝如CoWoS等。 第三期會著重在佈局半導體製造，但不會是成熟製程，因為中國的成熟製程產能已經過剩，真正缺乏的是AI晶片算力，尤其是Nvidia的GPU平替方案。
 



現在中國有非常多GPU、AI加速卡設計公司像是壁刃、摩爾線程、沐曦、天數智芯、燧原，CPU公司有海思、兆芯、龍芯、飛騰、海光、申威等，但沒有先進製程，預計大基金三期會在這部分著力。
 



第二，擴大NAND Flash和DRAM記憶體晶片的產能，並且朝向HBM發展。 中國內需的記憶體晶片用量非常大，且中國的武漢長江存儲和合肥長鑫已經量產，前者卡在設備被禁運，後者要朝更高技術開發生產，相較於AI晶片，中國的記憶體晶片完成國產替代概率更高且是現在進行式，大基金三期目標是擴大產能，增加市佔率。
 



日前合肥長鑫、通富微、華為已申請HBM技術相關專利，長鑫也與通富微合作開發HBM晶片，一步步邁向HBM3。 大基金三期是要解開AI算力瓶頸，儲存技術端的HBM研發也要同步配合。
 



第三，進一步完成半導體關鍵設備與材料的國產替代，由重點在光刻機、光阻等，像是蝕刻等機台國產化產品已經非常成熟，未來重點會是ASML替代的產品。 要說替代太沈重，但未來ASML不單是極紫外光EUV機台不能進入中國，部分成熟製程DUV設備自2024年開始都會落實禁運，因此替代ASML機台會是未來中國在國產設備領域研發的重點。
 



其實，大基金二期已經重點扶植半導體設備和材料，也帶動許多民營投資基金大舉投入這兩大領域，導致設備和材料成為兩大最「卷」的領域。 但光刻機的研發與投資不是民營投資做得來的，需要規劃性帶領。
 



三期的註冊金額為470億美元，實際募款額應該更大。 尤其，如果要肩負先進製程、ASML機台開發、記憶體晶片擴產等三大任務，需要更多的資金。 台積電光是一年資本支出就要300億美元。 另一個觀察點是，根據向大基金三期注資的銀行公告，出資額將在10年內實繳到位，470億美元金額看似很大，但出資方分10年投入其實也還好。
 



大基金第一期成立於2014 年，註冊資本987億，總募資規模達1387億RMB，重點投向晶片製造領域，撬動了5,145 億元社會資金（包括股權融資、企業債券、銀行等金融機構貸款 ）。 大基金第一期於2018年投資完畢，細數投資標的，製造67％、設計17％、封測10％、設備和材料類6％，被投企業包括晶圓代工廠中芯國際、上海華虹 、長江存儲、紫光展銳、華大九天、三安光電、長電科技、北方華創和中微半導體等。
 



大基金二期成立於2019年10月，規模超過2,000億RMB，投資標的涉及全產業鏈，半導體製造佔比高達75%、EDA/設計佔10%、封測2.6%、設備及材料10%， 以及少數的應用類。 大基金二期最大投資為中芯國際，其他重點投資聚焦在設備和材料，包括刻蝕機、薄膜設備、測試設備、清洗設備、矽晶圓、光刻膠、光罩版、電子特氣等。

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