TAG :DRAM

連于慧 2026.3.4

近期中東爆發激烈戰火，全球記憶體股價呈現失血性崩跌，之前人人追捧的三星、SK海力士股價出現人踩人大規模傷亡現場，還以為這些飛彈、無人機是朝DRAM和NAND晶圓廠精準攻擊。

AI產業前景當前並未因為中東戰事有結構性改變，但須觀察戰火持續多久。隨著伊朗實質性封鎖荷姆茲海峽，以及卡達的液化天然氣基地遭軍事攻擊，這兩項變數都影響石油和液化天然氣的全球供給，未來若因為液化天然氣短缺而導致電力供給受限，最大風險是AI算力中心的用電成本拉高，屆時是否會出現AI基礎建設延後建置的狀況，是這一波AI大浪在面臨中東戰事時要面臨的考驗。

若是回歸常規化的市場供需，農曆年結束後的DRAM交易買盤非常熱絡，不少客戶甚至願意追高搶貨，DRAM買氣絲毫不受地緣政治變動的影響，這點在今日的南亞科媒體春酒宴上，公司也證實此事，表示年後DRAM市場買盤極強，不但是DDR4和DDR5需求強勁，近兩個月DDR3價格也受惠需求熱絡而大漲。

南亞科總經理李培瑛表示，從今年一直到2027年上半，市場供不應求格局不變，就算是短期出現漲幅趨緩的現象，也不太可能回落太多，因為整個供需缺口非常大，足以支撐價格到2027年。

其實對於DRAM供需的前景，市場最擔心的反而不是AI泡沫化的問題，而是繞不開中國產能大舉開出的事實。

李培瑛表示，目前中國兩大記憶體供應商是鎖定部分手機和雲端應用，而非廣泛的消費性電子產品，產能開出對目前市場供需影響不大，更重要是，中國DRAM和NAND目標是鎖定國際大廠，不是針對南亞科而來，真正該擔心中國記憶體產能大軍的，反而應該是三家國際記憶體大廠。即使現在長鑫存儲已經在供應DDR5產品，DDR5價格仍是非常強勁大漲，從這點可以觀察到中國產能的開出對整個記憶體市場衝擊並非這麼讓人擔心。





李培瑛指出，HBM和伺服器DRAM對於整個DRAM需求量已經超過50%，對非AI記憶體排擠的效應持續，今年HBM佔比已經來到10％，別以為這比重不高，這樣的需求量相當於一個美光，而且要生產10％的HBM高頻寬記憶體晶片，等同消耗掉25％的標準型DRAM產能，就能知道為什麼DRAM產業會如此供需吃緊，而且短時間根本看不到解方。

如果要看DRAM供需是否會出現鬆動跡象，可預見的變數是在2028年之後。因為近兩年投入的新產能，真正大規模產出都要2028年之後，尤其當前晶圓廠設備、廠務工程、建廠人才團隊、AI晶片需要的機電設施的標準高和匱乏，都成為蓋新晶圓廠的瓶頸，現在無論是記憶體或是邏輯晶片，要蓋一座新廠或是無塵室，都不是件容易的事。

南亞科昨日公布2月營收達156億元，非常意外地2月營收高於1月份，通常農曆過年的月份因為工作天數銳減，營收都會縮減，這次南亞科2月營收非但沒減少，還成長，顯示DRAM報價漲幅相當可觀。以目前DRAM合約價走勢，美光、三星、SK海力士生產出來的晶圓都全部賣光，2026年合約價逐月攀升的格局沒有改變，第一季的營收和獲利不會是南亞科的高峰，甚至第二季都不是，預計一路到第三季都會不斷重寫營收和獲利新高。

即使南亞科交出單月營收150億元以上、單季EPS挑戰7～10元的超驚人獲利能力，還是有很多人詬病南亞科只是靠很多大廠不做的DDR4賺錢，賺的是機會財。但其實針對未來2～3年，南亞科都有向上一層樓的佈局，接棒這一波的AI記憶體排擠潮紅利。

首先，南亞科泰山新廠加速趕工下，預計2027年第一季裝機，新廠總投資額高達100億美元，最大產能可到4.5萬片，會率先導入最成熟的1b製程，其他陸續1c、1d製程都會導入，因應新廠房擴建，南亞科2026年資本支出也將高達520億元。

在產品規劃下，南亞科不只是只有DDR4，新產品DDR5穩定出貨一年，未來會和DDR4成為兩隻腳並行，看市場需求戶組合將獲利能力最大化。針對資料中心和邊緣運算市場，南亞科也和同集團的福懋科合作高密度128GB DDR5 RDIMM 5600/6400。另外，現在LPDDR4比標準型DDR4還要缺貨，有很大需求量在ADAS、安防等領域上。

客製化的類HBM解決方案上，據了解，南亞科手上客戶至少10家，都是客製化專案接單合作，運用南亞科在記憶體上的技術，結合客戶的高階邏輯製程能力，提供客製化適合的AI運算產品，這10家客戶中有邊緣端應用，也有雲端的應用，因為Nvidia非常昂貴，很多廠商都在研發可以替代的雲端方案，至於細節方面，南亞科在此時間點不願透露太多。業界認為，南亞科內部相當重視客製化記憶體的案子，這一塊在2027、2028年之後會陸續發酵，讓公司營運持續增添財火。
 

連于慧 2025.12.8
記憶體產業現在是全線全面出現結構性斷層，舊規格的DDR4因為三星、SK海力士、長鑫存儲全面退出下，半年時間價格上漲四倍，唯一有充足DDR4貨源的南亞科被全球客戶追著跑。但近期三星有主導DRAM漲勢從DDR4轉向DDR5移動的跡象，傳出11月底三星一口氣把16G DDR5合約價拉到19.5美元，逼近20美元，相較上一次合約價DDR5整整上漲超過100％。

三星雙手一攤，對下游客戶表示「沒貨！」 這一招，把11月底最新出爐的16G DDR5合約價硬是拉到19.5美元，從9美元拉上來，快速追上現貨價格，等同是一口氣把合約價拉升100％。業界也覺得這招夠狠，讓客戶不管是繼續留在DDR4規格，或是產品設計轉進DDR5，都是跑不掉的貴，且無處可逃，只能乖乖任憑宰殺。

另外，11月底出爐的16G DDR4最新合約價也拉到18美元。原本市場以為經歷上一波又急又猛的漲幅後，現貨價開始出現由漲轉跌的訊號，似乎整個DRAM漲勢最陡峭的波段告終，沒想到進入12 月後，卻是迎來DDR5更兇狠的漲式，DDR4漲勢也不想休息，只能說這次三星控盤能力不減當年，不愧是記憶體老手，非常「懂玩！」

值得一提的是，當DRAM漲勢原本是舊規格的DDR4最兇猛，現在開始DDR5合約價快速點火下，南亞科傳出大利多消息，新量產的DDR5顆粒已經通過微星、技嘉等主機板廠認證，而且DDR5產能全部被金士頓包下，原本市場認為南亞科最大弱點是只有DDR4產品，一旦這波DDR4缺貨潮過去，舊產品的紅利將會結束。但現在看來，南亞科不但滿手價格飆漲的DDR4，DDR5如期量產並且通過認證被金士頓全包產能，隨著DDR5產出比重逐漸放大，南亞科未來是DDR4和DDR5兩隻腳同步會越走越穩。

南亞科的16G DDR5是採用10奈米級第二代製程（1B）生產，今年中開始生產，第四季開始放量，也穩定供貨給客戶，接下來是第三、四代1C和1D製程。同時也有客製化的高頻寬記憶體HBM項目與客戶合作中。

這一波記憶體的全面上漲始於AI基建化的概念，與過去週期性暴漲暴跌的價格，已經完全不同，客戶結構與層次也與過去完全不一樣。過去，記憶體最大的客戶是手機、PC，這次由AI驅動的記憶體革命客戶是美國的Google、Amazon、微軟、Meta、OpenAI、Oracle，可以再加計中國四大雲端客戶的「隱形」買盤，包括阿里、騰訊、字節跳動、百度，無論是美國中國雲端服務CSP，背後象徵的意義都是算力與國力，這樣的買盤可以看成在建置巨大「算力」幫國家做AI基建，以下幾個數據和趨勢可參考：


通用伺服器＋AI伺服器合計對DRAM產能的消耗在2025年正式超越手機，佔比超過50％




展望2026年，DRAM位元供給成長率約20％，但需求成長率達26%，代表中間的供需缺口至少6％




三星、SK海力士、美光的新廠房建設完成的時間點至少都要到2027年下半，加上採購設備到位、安裝、投片、試產，到進入實際的量產週期，這些新產房要貢獻產能，預計也要到2028年。




LPDDR應用仍是以手機為最大宗，但自從LPDDR開始被伺服器採用後，將會對手機領域造成嚴重排擠，除了產能排擠之外，有一個關鍵原因是：記憶體廠將LPDDR賣給伺服器會比手機廠商的規格更高，價格可以高出50％，所以犧牲了給手機廠的LPDDR產能。換個角度看，手機廠商為了確保足量的產能，也一定會競價搶貨。只要產能、不問價錢，真真切切成為2026年記憶體產業的主軸。




這一波DRAM價格到底漲多少？ 從2025年5月底算起到11月底，估計DDR4合約價大約上漲四倍，DDR5合約價上漲三倍，展望2026年供需缺口仍大，價格會持續上漲。




這一波記憶體全面缺貨潮是從AI用的HBM高頻寬記憶體開始，初期HBM利潤最好，為了搶進Nvidia供應鏈，所有資源都傾斜到HBM上，嚴重擠壓DDR5、DDR4、LPDDR產能。但現在開始出現「反排擠」現象，隨著DDR5、DDR4價格在半年內漲了3～4倍，利潤已經和HBM差不多了。原廠掐指一算，一些舊規格的HBM例如HBM3/HBM3e等，利潤可能還不如標準型DRAM，於是，傳出三星開始思考將部分舊規格的HBM減產，可能回頭生產標準型DRAM產品，或是升級幾台設備去滿足客戶更多的更高規格HBM4的需求。這種「反排擠」是合理的現象，目前記憶體產業的產能真的非常非常吃緊，在沒有新產能加入的情況下，必須在現有的產能配置上，將「利潤最大化」!




中國的記憶體產能不會是PC廠的救火隊！ 長鑫存儲明年要拼IPO了，要IPO就要端出最高大上的題材，DDR4利潤再好，上市審議過會的時候，總不能跟人家說…因為舊產品DDR4現在賺大錢了，所以我們決定回頭多做一點，這樣IPO上不了檯面。近期長鑫發布了新一代的DDR5和LPDDR5X產品，預計2026年全面量產，這個題材可以讓長鑫的競爭對手直接挑戰三星、美光等國際大廠，檔次完全是從地方本土劇直上Netflix，這才是IPO時端得上檯面的題材。再者，長鑫的總產能到2026年底，會從28萬片提升至30萬片，屬於原本的規劃，都不是新增產能，不會打亂這一波記憶體超級循環。




2026年記憶體產業「上肥下瘦」格局確立，記憶體廠全面大賺，中小型通路商在拿不到貨、沒有特殊管道下，會出現糧荒後的生存危機。糧荒有多嚴重？ 連美光自己都宣布的結束旗下專門做消費性業務的Crucial品牌，因為實在沒有足量的NAND晶片可以去支援消費性產品，產能都被雲端CSP大廠吸走，可見這一波DRAM、NAND缺貨潮是產業結構性的新常態，不會是短暫週期性現象。另外，是下游OEM/ODM組裝廠、手機廠等，須面臨晶片不足和漲價的困擾，勢必壓縮利潤或下修出貨量。


 

連于慧 2025.10.27

AI重塑的記憶體產業，從傳統命定的景氣循環、供需拉鋸，正式脫胎換骨進入產業結構性的改變！

DRAM和NAND Flash的缺貨，已經不是什麼終端某殺手級應用矽含量大增、供應商今年擴幾座廠，明年就變成供給過剩，報價就會為由漲轉跌，這次是AI熱潮下帶動的記憶體產業結構性轉骨，脫離過去常說的景氣循環，缺貨只是短暫的，記憶體敢這樣無法無天的漲下去，大不了（老子就）降容量！！！ 你覺得AI競賽下的算力之爭、國力之爭，有哪一個國家會因為記憶體報價太多、太貴，我就不拼算力，不搞AI基礎建設了嗎？

AI重塑的記憶體產業結構中，沒有在玩「降規」、「降容量」這一套，只會拚了命的去搞最高等級的記憶體產品：HBM高頻寬記憶體，而且只許成功，沒有退而求其次這個選項。 有趣的地方是，拼越多HBM，就會有更多的DRAM產能折損，然後DRAM就會越缺，HBM排擠DDR5、DDR5排擠DDR4，最後連DDR3都缺。

這一波的DRAM和NAND Flash缺貨也造就了另一波景象：「硬體通膨」時代來臨！

中國智慧型手機小米指出，因為記憶體的價格飆漲，導致新手機生產成本大增，會反映在售價上，新發布的Redmi K90系列手機價格調漲。 雖然在新機發布後，小米針對主流的12GB＋256GB版本容量，做出降價讓步來回饋消費者，但小米手機部門總裁盧偉冰也強調，「我們無法改變全球供應鏈的走勢，存儲成本上漲遠高於預期，且會持續加劇。」

的確，現在整個地球上的DRAM和NAND晶片都整批整廠的流向雲端資料中心，品牌手機廠未來在發布新機時，要決定是以高規格取勝？ 還是降規打親民價格牌？ 手機還搶得到記憶體還得趕緊漲價謝恩，不要搞到產能排擠效應到最尾端，是什麼晶片都搶不到！

ChatGPT帶動的AI狂潮創造了三組大贏家：Nvidia（GPU）、台積電（HPC先進製程）、記憶體廠。前兩組地球勝利組是早早備受世人吹捧，Nvidia從夜市咖、阿婆水果攤的好碰友，一舉坐直升機直接變成美國川普好麻吉，台積電更是不用說了，根本人紅「是非」多，而記憶體這組Champion Team團隊初期不受重視，只有SK海力士一支獨秀，現在變成全部記憶體都變成地球上的金礦、油礦、稀土礦，全線都洛陽紙貴。

記憶體的大缺貨固然AI是最大引爆點，但這種「看不到盡頭」的缺口，其實隱藏的更深層的產業結構性重置。初期的AI伺服器HBM排擠潮是很關鍵的原因，三大記憶體SK海力士、三星、美光都傾全力將資源投入HBM高頻寬記憶體，因為HBM超級賺啊！ 最後更是毅然決然退出DDR4以下的產品線，中國因為Nvidia的GPU一直被禁，連降規版都不給買，最後索性拼了，除了自己搞GPU，也自己搞HBM，長鑫存儲成為全村的希望，開始力拼HBM，造成整個DRAM產業缺貨注定「看不到盡頭」。

而更深層的推力是傳統2D DRAM微縮技術也開始面臨物理極限了，DRAM技術往下走會有儲存單元電容的尺寸過小，容量不夠等問題，導致無法在正常操作電壓下，儲存足夠的電荷來維持穩定的資料讀寫。 還有漏電的問題，儲存單元尺寸不斷縮小，導致電晶體在關閉狀態下仍會小電流通過，產生漏電的狀況。

再者，DRAM製程導入ASML的極紫外光EUV機台後，雖然解決了很多DUV解析的問題，但面臨的新問題除了EUV機台成本昂貴不說，會有throughput慢、光阻厚度和缺陷控制難度高等問題，且良率的拉升需要適應期。

現在記憶體廠意識到DRAM大缺貨想擴產，當然還是可以，但首現要面臨過兩關：機台的lead time長和DRAM生產的cycle time也拉長。 所以，你還覺得DRAM是在走景氣循環的老路，價格狂漲一陣子後，就會開始進入下行暴跌期嗎？ 至少中短期都看不到。

NAND Flahs產業也一樣，堆疊層數來到200層，再上300層後，技術與良率越來越難，包括垂直蝕刻要兼顧深度和均勻度，還有300層以上多晶矽沉積困難，以及晶圓翹曲更是挑戰，會影響後續製程的均勻性和圖案成型完整性，進而降低產品良率和性能。整體而言，3D NAND層數越高，垂直蝕刻、通道填充、電氣干擾、翹取、良率等等都是挑戰。當然記憶體廠也有對症下藥找到解決對策，也朝著500層以上邁進，甚至喊出「千層時代」（千層派！！）

NAND從大虧減產，到面臨大缺貨時代，想想以後的生成AI影像和影音的需求，現在ChatGPT、Grok也都開始提供「成年人」的內容（嘿嘿嘿～），未來需要的記憶體容量潛力驚人，加上智慧型手機買氣沈寂很多年了，但一定溫和復甦，整個來看，後續對於NAND Flash記憶體的容量難以想像。 

總結來說，這一波DRAM和NAND Flash在AI狂潮的驅動下，眼前的缺貨已經不是傳統景氣循環中的暫時性缺貨，而是地球上各國在角力AI算力下，各種GPU和ASIC都需要HBM高頻寬記憶體，導致DRAM產能整個被「抽離」，怎麼辦？？！！ 再來是生成式AI需要的影像和影音對於NAND Flash的需求就像是無底洞。 記憶體廠想擴產不是一時半刻的事，也要有機台，以及物理微縮和層數增加難度增高。 AI根本性的重塑記憶體產業，結構性的轉變讓這一波記憶體缺口，真的暫時看不到盡頭。
 

連于慧 2025.10.21
力積電在今日召開法人說明會中指出，受惠AI熱潮的高頻寬記憶體HBM產能排擠，DRAM至少吃緊到2026年上半，但邏輯晶片面臨挑戰較多，包括關稅未定，以及中國十一長假對消費性電子的採購力道未出現，以及中國廠商也看淡雙十一購物節，備貨並不積極。另外在歐美市場上，美國取消小額包裹免稅的政策，以及中國電動車持續擴張壓縮歐美日汽車產業，面臨低產能利用率、裁員等問題。一句話總結：記憶體強、邏輯弱（只有台積電的邏輯先進製程強勁）。

力積電2025年第三季虧損縮小，單季每股虧損0.65元，產能利用率比第二季75%提升，來到78%，主要是受惠記憶體產品價格上揚，展望第四季產能利用率，預計和第三季差不多，主因是記憶體的產能利用率已達滿載，但邏輯產品目前仍處於較為低迷的現狀。

近期DRAM價格大漲，力積電看好DRAM在AI需求帶動的HBM產能排擠之下，會持續吃緊到2026年上半，下半年目前還看不到。在SLC NAND產品上，受惠韓系兩大記憶體廠三星、SK海力士減產效應，第三季價格谷底翻揚，整個市場的熱度大大提升，不過SLC NAND的市場主要是標案為主，因此在這塊的需求上沒有太大拉貨的跡象，也沒有殺手級應用。NOR Flash方面，隨著物聯網應用對於低功耗記憶體需求增加，NOR Flash價格也持續上揚。

邏輯製程方面，中國十一長假期間，主要是刺激旅遊需求，對於消費性電子產品採購力道並未出現，因此在長假後，當地面板廠普遍控產，使得產能利用率下降，使得面板驅動IC的客戶需求較為疲弱，電源管理IC則是需求相對穩健。手機需求方面，整個市場呈現兩極化表現，高階機種刺激需求，但中低階仍是買氣疲弱。即將來臨的雙11購物節，中國廠商的備貨也明顯偏保守。

全球的汽車市場也面臨供應鏈重組壓力，主要是中國電動車品牌持續擴張，歐美日的汽車品牌受到衝擊不小，歐洲整體車廠產能利用率僅約55％，Bosch更在9月底宣布裁員1.3萬人。

力積電也提到，AI時代除了讓高頻寬記憶體HBM引領風騷之外，高頻寬快閃記憶體HBF（High Bandwidth Flash）未來也會是一大亮點。

HBF與HBM類似，都是透過矽穿孔TSV將多層晶片堆疊連接，與GPU做整合，差別在於HBM是堆連結DRAM晶片，HBF是堆疊連結NAND Flash晶片，可以因應AI時代需要生成巨量文字圖片，甚至是影片，需要非常龐大的記憶體容量。

HBF是由SanDisk提出，結合HBM高頻寬的特性和Flash非揮發性和大容量的優勢，將多層 NAND dies 堆疊，Layer 之間使用矽穿孔TSV連接，底部有logic die或 I/O die，可以直接透過High-Bandwidth 通道介面連接GPU或ASIC ，減少傳統SS透過=PCl的延遲與頻寬瓶頸。
 

連于慧 2025.1015
半導體設備大廠ASML 發佈 2025 年第三季財報，單季銷售淨額為 75 億歐元，淨收入為21 億歐元，毛利率51.6%，第三季度訂單金額為 54 億歐元，其中，36億歐元為EUV訂單。展望2025年第四季，ASML預估銷售淨額約92億～98億歐元之間，毛利率預估約51％～53％。

ASML執行長Christophe Fouquet在本次的財報會議上提到幾個重點：

AI投資基礎建設的動能持續強勁，這也代表客戶對於邏輯晶片和DRAM晶片的投資會持續增加。

極紫外光EUV機台方面，目前DRAM客戶和先進邏輯晶片客戶都正在繼續採用。在高數值孔徑極紫外光機台High-NA EUV上，客戶採用ASML機台已生產了超過30萬片晶圓的數量，從ASML客戶的反饋也了解到，現今High-NA EUV的成熟度領先於同期低NA機台的成熟度。

極紫外光EUV機台進入DRAM製程的進度上也有突破，SK海力士宣布安裝第一台EXE:5200，這台裝置會是DRAM未來的關鍵推動者之一。

ASML也宣佈交付首款應用在先進封裝領域的產品－TWINSCAN XT:260，這是一款 i-line 微影設備，其生產力較市場上現有的解決方案高出四倍之多，提供給3D 整合領域為客戶支持。

針對中國市場，ASML表示2026年中國客戶的需求將顯著低於2024年和2025年，尤其會降低DUV業務的需求。

ASML 預計 2025 年的銷售淨額會比2024年成長15%，毛利率約為52%，而2026年的總銷售淨額會較2025 年成長，尤其是在EUV業務上，詳細情況會留待2026年初的財報會議上說明。公司並且重申，預計到2030年，營收將有機會達到440億～600億歐元，毛利率將達到56％～60％的目標。

針對ASML擔任人工智慧公司Mistral AI的C輪融資領投方，雙方未來合作的方向為何？ ASML指出，Mistral AI以B2B模式而聞名，其大型語言模型的品質也得到了認可，尤其是在軟體編碼和軟體編碼開發方面。很多人關注ASML多偏硬體方面，但未來系統中的軟體也非常重要，利用軟體的能力來協助掃描器的精度和速度，提升計量和檢測的水平。整體而言，要讓AI提高產品開發速度，縮短產品開發到客戶上市的時間，這正是ASML投資Mistral AI的關鍵原因之一。目前對Mistral AI的持股為11％，也在其戰略委員會中擁有席位。

 

連于慧 2025.9.16
DRAM產業再度出現極為罕見的「價格倒掛」奇觀！ 上一次「價格倒掛」是今年6月DDR4現貨價首次超車DDR5報價，這次傳出9月8Gb DDR4合約價已經成交來到5.7美元，不但比8月合約價3.9美元再度暴增近50％，更是近年來首度出現DRAM合約價「超車」現貨價的另一番奇特景象，這代表OEM系統廠深怕後面買不到足量的DDR4晶片，因此願意不斷加碼跟DRAM廠商要貨。

DDR4再現難得一見的合約價超過現貨價後，恐逼迫想「休兵」的現貨價通路商只能持續出手追高價，呈現現貨、合約兩者都爭相向上比價，多年難得一見的景象！

記憶體業者指出，8Gb DDR4合約價再度從8月3.9美元大漲至9月5.7美元，隱約透露一個訊息：三星、SK海力士等上游記憶體大廠並沒有意願要延後DDR4退出舞台EOL的時間點，他們想逼著OEM系統客戶把產品的設計，從搭配DDR4晶片轉換到使用DDR5晶片，因此釋出的DDR4顆粒相當有限，強迫讓系統廠去修改產銷規劃，多賣一點搭配DDR5記憶體的機種，全面升級多用點DDR5。

上周也傳出美光DRAM開始暫停報價，對DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5 等協議價格都取消。業界指出，美光很快要進入財報發佈日，此時突如其來的暫停報價舉措，應該是盤點了客戶需求預估，與自己生產規劃和庫存狀況後，看到後面AI伺服器、傳統伺服器、車用電子等需求都持續強勁，將出手釀下一輪高幅度的漲價比重，推估DRAM漲價幅度根據不同應用品項會落在20％～40％。

如無意外，經歷DDR4瘋狂上漲，今年6月首次價格超車DDR5的第一次「價格倒掛」，以及9月首次8Gb DDR4合約價超車現貨價的第二次「價格倒掛」後，接下來「重頭戲」是DDR5漲價要準備粉墨登場，唯有扮演主流角色的DDR5漲價訊號出現，整個DRAM產業才能稱為是一場完美無缺的漲價風暴！

業者認為，這次DDR4晶片的嚴重缺口是始於DRAM原廠都把產能資源拿去生產HBM和DDR5晶片，三大廠退出DDR4形成的巨大缺口，但仍是有相當數量的低價手機、家電產品、機上盒、車規、工規等應用需要DDR4晶片，需求不可能馬上消失，也無法立刻去升級搭配DDR5晶片。

有研究機構推估，從現在到2026年底，全球DDR4產能只會剩下現在的三分之一，但需求減少的速度不會這麼快，這一次的DDR4缺口的時間，可能會比我們預測的長很多。
 

前言：記憶體進入全面十年難得一見的超級景氣循環時代 ，不但是NAND Flash、DRAM、NOR Flash三大記憶體齊漲，HDD廠WD也來湊熱鬧發了一封漲價函。

連于慧 2025.9.15

業界透露，原本在中芯國際代工NOR Flash晶片的NOR大廠北京兆易創新GD，開始減少在中芯國際的代工業務，尋求與其他晶圓代工廠合作。一方面是中芯國際的產能有其他規劃，另一原因是兆易創新有很多海外客戶，需要執行非中國的晶圓廠生產（Out of China）計畫，因此，傳出兆易創新來台找力積電談合作，但傳力積電要考慮產能與製程來判斷是否承接，也傳出兆易創新也有找華虹談，確保後續產能充足。

關鍵是，原本兆易創新在中芯國際代工的產能數量非常大，傳出中芯減少代工的比重達到2/3，推估減少晶圓可能接近4000～5000片NOR Flash產能，這樣數量的NOR Flash在尋求轉換晶圓廠的過程中，不可能完美的順利銜接，因為轉廠要磨合技術、良率、產品重新認證等流程，勢必會造成接下來的一段不短的時間，NOR Flash會出現缺口。

因此，傳出原本第四季才要漲價的NOR Flash晶片，中國市場報價提早宣布9月1日開始先漲價5％～10％，就是看到兆易創新轉廠造成的缺口即將發酵，最大受惠者是旺宏和華邦！

眼前的NOR Flash產業，等同是出現供給端減少（GD轉廠），加上需求端的使用量也是倍增，NOR Flash產業將會出現一段時間不小的缺口，因此中國在9月忍不住提前漲價後，第四季NOR Flash價格估計也會再漲，至於這缺口何時收斂，以及後續的漲價幅度，要看需求端能有多熱？ 以及兆易創新轉換晶圓廠生產的磨合是否順利。

值得注意的是，近期NAND Flash和DRAM價格已經率先起漲，而且漲價的形成原因和結構非常結實，現在連NOR Flash都加入漲價行列，而且是供需端完美配合的漲價結構，這次可以說是記憶體產業十年難得一見的超級行情，NAND Flash、DRAM、NOR Flash三大記憶體品項全部進入供不應求的漲價時代！

這次的記憶體缺貨潮，追究最初原因，是由AI伺服器上使用的HBM高頻寬記憶體帶動，HBM技術不好做，生產過程又大量消耗且排擠傳統的DRAM晶圓產能，讓原本供過於求的DRAM產能命運翻轉。 AI資料中心的崛起，讓HBM開始排擠DDR5，然後三大記憶體廠三星、SK海力士、美光為了打贏AI這場利潤豐厚的戰役，決定把所有資源投注到HBM和DDR5，退出舊產品DDR4生產。

但問題是：DDR4還有很多的產品都用得到，像是機上盒、車規、工規、低價手機晶片等，就算要把這些應用品項從DDR4引導到DDR5設計，也不是一時半刻可以完成，最後造成DDR4極度缺貨，僅存的台系DRAM供應商南亞科、華邦成為最大受惠者。

NAND Flash、DRAM、NOR Flash三大記憶體正式宣佈進入十年難得一見的超期景氣循環時代，連HDD廠威騰WD都來湊熱鬧，發了一封漲價函，表示也要調漲HDD的價格。如果要評比，這一波缺貨缺最兇的應該還是DDR4，三大記憶體廠撤守DDR4全力拼HBM和DDR4是正確道路，但創造出來的DDR4需求缺口，搞不好都不是一整個南亞科可以補足的。

DDR4價格早已經飆漲，原本市場認為是短期缺口，只要三星、SK海力士轉回一點產能生產DDR4，整個DDR4缺貨的情勢就會逆轉，但是對記憶體大廠而言，根本沒有轉回來生產DDR4的必要性。之前是傳出下游系統客戶擔心缺貨，因此拜託三星、SK海力士繼續生產DDR4，不要這麼快EOL（end of lie），不過這個傳言後來也被威剛說明，表示三星並沒有讓DDR4延後EOL。

一句話評論近期的記憶體市場：Welcome to the era of rising memory prices!!! 
NAND Flash、DRAM、NOR Flash、HDD四箭齊漲！！

 

連于慧 2025.8.12
美光昨天突發裁撤位於上海將近300名NAND Flash相關的軟體工程師，只留了少部分的FAE人員，主因是公司考慮到手機UFS和eMMC業務沒有利潤，決定全面退出該業務，未來只會賣NAND Flash晶圓給下游的模組廠客戶，讓他們自己去做成UFS和eMMC成品。

據供應鏈透露，美光該策略轉向，主要是AI產品前景的成長性節節攀升，相較之下，傳統PC、智慧型手機等產品需求不突出，因此決定把NAND Flash所有資源都專注在AI伺服器資料中心的業務上，放棄手機記憶體業務。

在2022年，美光也曾宣布撤出上海研發中心的DRAM設計工程團隊，傳出當時公司有提供當地的部分核心員工攜帶家屬移民美國的選項，而當時美光結束上海DRAM設計部門的原因，是基於防止技術外洩的討考量。但這次美光裁撤上海研發部門NAND Flash相關軟體工程師，主要原因應該手機UFS和eMMC業務利潤太低，美光計畫退出，把資源全集中在拼AI資料中心上。

在此之前，美光在內的其他記憶體原廠包括三星、SK海力士、中國長鑫存儲等也都宣布陸續退出DDR4，專注在DDR5和AI伺服器用的HBM記憶體上。顯示AI時代潮流下，為了卡位商機，打贏這場AI這場時代大競賽，全球所有記憶體廠都重新分配資源，只要是利潤不高、不具戰略意義價值的產品性，會陸續被捨棄掉。

DDR4在原廠陸續退出的激勵下，價格出現史上難得一見的暴漲期。有網友說，短短兩個月不到DDR4 3200 32GB單支價格上漲超過50％，DDR4 3200 16GBx2價格上漲47％，這根本比川普的關稅還賺！

根據TrendForce統計，7月消費型DDR4合約價飆漲超過60～85％，因此上修第三季消費性電子DDR4合約價將季增80～90％。PC OEM廠買不到DDR4晶片，只能增加DDR5晶片的機種，DDR4晶片在PC DRAM市場上呈現「價漲量縮」格局，未來在伺服器市場，預計以會加速由DDR4轉進DDR5。

至於智慧型手機上使用的LPDDR4X，多數的記憶體原廠還未停產，不過市場認為未來邁向減少供應，甚至是停產也會是趨勢。TrendForce也統計，第三季上修該產品的價格至季增38～43％。新一代的LPDDR5X主要是應用在中高階的智慧型手機、NB、AI伺服器等產品上，第三季合約價上調幅度，估計約季增10～15％。

美光剛剛宣布上調第三季財測，原本預估單季營收為104億～110億美元、季增11％～18％，毛利率會介於41～43％，ESS介於2.35~2.65美元; 上修後，美光宣布的財測數字為111億~114億美元，季增19.3％～21.4％，毛利率介於44～45％，EPS介於2.78~2.72美元。

 

連于慧 2025.7.10
在全球DRAM供應商都集中火力拚AI伺服器使用的高頻寬HBM記憶體和DDR5之下，原本供過於求的DDR4報價從6月起，不但止跌回升，而且還瘋狂漲價快一倍，原本受到中國DRAM廠長鑫存儲壓制的南亞科，一夕變成全球唯一的DDR4供應商（還有華邦的小部分產能），身價從乏人問津變得洛陽紙貴。不過，DDR4在6月份的幸福飆漲，來得相當突然，但南亞科第二季財報中仍是被4、5月價格下跌影響頗深，合約價的漲勢較現貨價晚，也讓DDR4價格狂飆的效應，在南亞科身上會晚一點反應，以下是南亞科今日法人說明會中，市場對於南亞科的靈魂十大拷問！

2025年第二季財報成果？

南亞科第二季自結財報，單季營收為105.26億元，較第一季成長46.4%，DRAM平均售價ASP較上季微幅下滑，但出貨量大幅成長70％。第二季毛利率為-20.6%，營業淨損為45.1億元，稅後淨損為41.9億元，第二季匯兌損失約11.24億元影響，整體第二季稅後淨損41.09億元，單季EPS虧損1.32元。南亞科第二季財報仍處虧損，是在市場預期之內，主要是DRAM價格在5月以前仍處於低檔，公司也一直對外表示要到第四季才能轉虧為盈。
 
近期DDR4價格暴漲對南亞科帶來的轉機為何？

DRAM在今年5月以前都非常低迷，導致供應商持續虧損，直到今年6月初，確定SK海力士、三星、美光、中國長鑫存儲都全力轉進AI伺服器使用的高頻寬HBM記憶體和DDR5，南亞科生產的主力產品DDR4才自6月起才進入迅猛的漲價階段，更是史上第一次出現DDR4現貨價飛越DDR5的奇觀，16G DDR4更在短短一個月內上漲100％，挽救了南亞科被國際大廠和中國DRAM廠雙面夾殺的窘境，一躍成為全球最大的DDR4晶片供應商，也是DDR4漲價的最大受益者。
 
DDR4在6月單月份價格暴漲，甚至價格高於新規格的DDR5，因此市場認為會加速部分終端應用產品從DDR4轉進DDR5，導致DDR4會在明年再度出現崩跌，這樣的可能性高嗎？

南亞科不認為此趨勢會發生，至少2025年下半都不會看到。目前PC與伺服器市場的確多數已經轉進DDR5，但仍有部分系統基於設計需求使用DDR4。再者，DDR4與LPDDR4在消費性應用中持續增加。以成本結構來看，8Gb DDR4仍優於16Gb DDR5，因此很多應用仍會繼續使用4Gb或8Gb DDR4。

同時，南亞科也不認為DDR4價格在大漲之後會出現崩跌，歷史上從DDR2轉進DDR3，或是DDR3轉進DDR4的世代交替過程中，前代產品價格皆未崩盤，僅溫和調整。
 
今年第三季的DDR4持續短缺，帶動價格上漲，是實際需求？還是有客戶重複下單的狀況？

根據南亞科觀察，DDR4需求為扎實的需求，因此對下半年DDR4行情充滿信心。

隨著6月起DDR4嚴重缺貨、價格飆漲，原本預計第三季轉盈，有沒有機會在第三季提前轉虧為盈呢？

南亞科總經理李培瑛進表示，全球三大DRAM廠紛紛提出DDR4最後出貨日，促使DDR4漲勢兇猛，南亞科也快速調整產能，增加DDR4的產出比重，目前DDR4產能已經達到50％，DDR3和LPDDR3佔比約20％，其他部分為DDR5。 展望下半年，第三季DRAM合約價確定大幅上調，加上庫存水位也可以顯著改善，單季毛利率有機會轉正，但淨利要轉正仍是要拼一下，第四季確定能擺脫虧損，迎向獲利。
 
產能利用率走勢為何？

今年4、5月市場低迷時有小幅度減產，6月已經全產能生產，產能利用率滿載。
 
目前製程技術的進度？ 以及DDR4和DDR5投片的比重和狀況？

目前南亞科採用10奈米級第二代製程（1B）的16Gb DDR5-5600和8Gb DDR4投片產品已經進入量產，而16Gb DDR5-6400也進入送樣階段，預期的今年底，1B製程節點的DRAM產品將占總產能30%以上。

再者，1B製程節點投片的DDR5和DDR4的比重是可以彈性調整的，因此也會根據客戶的需求和市場狀況彈性進行調配，而目前客戶對於DDR4的需求是高於DDR5。

在舊製程20奈米方面，該節點仍在生產許多8Gb和4Gb DDR4產品，以及部分的DDR3、LPDDR4和LPDDR3，也是可以根據客戶需求調配。
 
DDR4價格大漲，目前出貨比重是否有增加？

合計LPDDR4在內，6月份整體DDR4系列產品佔南亞科的總出貨已經超過50%。


市場應用端的趨勢走勢為何？

未來的趨勢是AI智慧型手機的升級會推動高密度LPDRAM需求，AI PC初期需求是來自企業市場的驅動，但傳統PC需求仍是保守。另外，DDR4/LPDDR4在PC和智慧型手機中的使用比重逐漸下降，但在消費性應用的使用率仍在上升中。
 
2025年和2026年的資本支出為何？

南亞科預估2025年全年資本支出約196億，較2024年161億元增加，2025年的位元出貨量Bit shipment由原先超過30%上調至40%。 至於2026年資本支出，可能與2025年相當。

 

連于慧 2025.6.26
美光本季財報終於不再讓分析師失望，高頻寬記憶體HBM一飛沖天，加上資料中心中的低功耗LPDRAM獨家大量供貨的成果，已明顯反映在財報上，終於讓分析師露出甚感欣慰的一抹微笑！ 以下是美光財報的技術與產品進展重點，分為有市場關心的DDR4停產狀況、AI伺服器用HBM、DRAM和NAND先進製程的展望：

關於DDR4和LPDDR4的停產(EOL)：

美光指出，DRAM先進製程包括1β和1γ將專注生產最新一代產品如DD5、LP5和HBM，不會用來生產DDR4和LP4產品。DDR4和LP4是採用1α DRAM製程生產，美光更強調，幾個月前就已向行動、客戶端、資料中心和消費等客戶發出DDR4和LP4的停產通知，唯一例外的是針對支援汽車、工業、國防和網路等領域長期且需求相對較低的客戶，會持續供應1α DRAM產品。




美光預期，DDR4最終發貨時間將在兩到三個季度後，預計到2025年財年下半，DD4產品佔總營收會下降到僅個位數，DDR4的缺貨在短期內會日益嚴重，目前手上DD4的庫存分配情況，正在與客戶討論，盡量滿足其需求。


AI伺服器用的HBM記憶體：


第三季會計年度財報中，美光的HBM收入較上一季度增加50%。




12層HBM3E良率和產能都持續提，預計HBM市佔率將在2025年下半年達到與整體 DRAM市佔率相當的水平。
AMD Advancing AI 大會上宣布美光的 HBM3E 36GB獲得Instinct MI355X GPU 平台採用。美光表示，目前正在向四家客戶大量出貨HBM產品（涵蓋GPU和ASIC平台）。




隨著生成式 AI 工作負載的規模和複雜性不斷增長，對 HBM 的效能需求也不斷提升。美光的HBM4會採用成熟的1β DRAM 技術，並結合內部開發和製造的CMOS邏輯基礎晶片，可提供超過2.0 TB/s的單記憶體堆疊頻寬，相較上一代晶片，性能會提升60%以上。再者，與HBM3E的功耗性能相比HBM4功耗將會降低20%。目前美光已向多家客戶交付 HBM4 樣品，預計2026年會配合客戶量產。


DRAM技術製程進展：


在1γ（1-gamma）DRAM技術製程上，良率提升速度已經超過1β（1-beta）製程上創下的紀錄。第三季度也完成了幾個關鍵的產品里程碑，包括首批基於1γ的LP5 DRAM認證樣品的出貨。




美光在1γ DRAM上導入了極紫外光微影技術EUV，與1β DRAM相比，美光的1γ DRAM位元密度提升30%，功耗降低20%以上，效能提升15%，之後會在整個DRAM產品組合中運用1γ技術。
HBM收入較上一季度增加50%，美光整個DRAM事業營收創下新高的另一個推手，是高容量 DIMM和低功耗伺服器 DRAM，該組合的解決方案在本季營收再創新高。美光率先在伺服器上導入低功耗 DRAM，目前是唯一大量交貨的供應商，這也使得高容量DIMM和低功耗伺服器產品，在2025財年的營收貢獻，與去年同期成長了5倍。


NAND Flash和SSD技術與產品進度：


美光在資料中心SSD領域，已成功問鼎市佔率第二。
美光已開始對基於G9 2TB QLC NAND 的SSD產品進行認證，並持續提升G9製程的產能。
資料中心SSD的市佔率也是逐季創新高，本季伺服器的9550高效能SSD正式進入NVIDIA GB200 NVL72 推薦供應商名單，並完成了多家原始OEM商的更多客戶認證。


PC市場：


美光預期2025年PC市場出貨量將以低個位數百分比成長，未來幾個季度，會是AI PC普及和Windows 11升級週期的關鍵。


手機市場：


2025年智慧型手機出貨量將維持低個位數成長，AI仍是智慧型手機DRAM容量成長的主力，目前一般智慧型手機的記憶體容量僅為8GB，未來搭載記憶體朝12GB或更大容量邁進。
美光目前採用1β和1γ技術製程生產LP5X DRAM，以及採用8G和9G技術製程生產UFS4 NAND產品。在本季度，已開始出貨基於1γ製程的LP5X記憶體的認證樣品，為2026年的旗艦智慧型手機記憶體做足準備。


汽車和工業和消費嵌入式市場方面：


美光預計 L2 和 L3 自動駕駛輔助系統ADAS，以及支援AI的車載資訊娛樂系統的普及率會不斷提高，將推動記憶體和儲存容量的成長，以及更高頻寬的需求。因此，美光在汽車市場推出業界首款支援9.6 Gbps高速的1β雙通道 LP5 DRAM，已於本季度量產。
工業領域方面，工廠自動化趨勢下，客戶對AI應用投資加快腳步，但DDR4和LPDDR4供應受限、通路庫存低，使得DDR4產品價格不斷上漲。


製造回流美國政策：


在川普倡導製造回流美國的政策下，美光才宣布將在未來 20 多年內在美國投資約 2,000 億美元，其中包括 1,500 億美元用於製造，500 億美元用於研發。
作為這項 2000 億美元投資計劃的一部分，美光在先前已宣布的計劃基礎上額外投資 300億美元，包括在愛達荷州建造第二座NAND Flash晶圓廠，以及擴建和現代化位於弗吉尼亞州的現有晶圓廠，主要是應用在汽車、航空航天、國防和工業領域的晶片。美國的 DRAM 晶圓產能達到規模後，也將會引進先進封裝產能，以支持AI伺服器中HBM記憶體高速的成長。美光強調，正對全球營運進行嚴格的投資，隨著時間的推移並且根據需求來增加供給。




在愛達荷州的第一座晶圓廠 ID1已經在2025年6月實現里程碑，預計該廠房將在2027年下半年開始投產首批DRAM晶圓。位於愛達荷州的第二家晶圓廠ID2在受益於ID1的規模化生產經濟效益，並增強研發中心的共址優勢，從而提高效率並縮短上市時間。之前美國的「晶片法案」給了美光61億美元補助款，用於紐約州和愛德荷州Boise蓋兩座晶圓廠，美光將會先從紐約的晶圓廠投入生產。


市場展望：


部分客戶可能因關稅相關因素提前拉貨，但客戶端也不斷暗示今年下半年的需求仍是很好。
美光預計2025年產業DRAM位元需求成長率將達到10%左右，NAND位元需求成長率將達到兩位數左右，非HBM DRAM和NAND位元供應成長率，將低於產業位元需求成長率。從中期來看，美光預期DRAM 和 NAND的產業需求複合年增長率將達到中等水平。
因為製程轉換，美光2025 財年末的NAND晶圓產能會較2024財年末減少10%。


庫存：


第三季會計年度末，美光庫存為87億美元，庫存週轉天數為139天，庫存季減2.8億美元。公司也指出，預計在2025財年結束時，DRAM庫存將保持緊俏，NAND庫存將大幅減少。


 

連于慧 2025.6.12
什麼是世界上有錢也買不到的東西？ 除了真愛，就是DDR4了 ！ 

DDR4即將停產的消息，讓近日的DDR4報價一路狂飆，自從上週五舊規格16Gb DDR4現貨價創下史上頭一遭超過DDR5現貨價之後，DDR4現貨報價與DDR5現貨價差距越拉越大。 這一波DDR4帶頭的大缺貨潮初期看似是關稅課徵之前的提前備貨，但實際供給端缺口比市場預期的大很多，導致DDR4現貨報價越漲越凶猛，未來DDR4合約價必須大舉跟進，更撐住DDR5報價順勢往上。

全球三大DRAM廠終止生產DDR4晶片的消息傳了多時，這次絕對玩真的！ AI伺服器在全球的需求不但沒有降溫，反而在Nvidia黃仁勳四處「傳教」AI世界的美好，加上成為川普口中的「smart cookie」好朋友之後，AI需求持續火熱，少了中國商機，來了中東市場，未來中國降規版AI晶片仍可持續銷售。日前，黃仁勳的「傳教之旅」最新一站來到歐洲，預計兩年內要將歐洲AI算力提升十倍，更宣揚英國需要更多的AI基礎設施，英國首相也聽得如癡如醉，立馬回應要加碼10億英鎊改善基礎設施，全面提升英國的AI算力！

AI需求越來越多，代表HBM記憶體供過於求的警報會逐漸緩解，因為DRAM轉進HBM帶動的技術革新、晶圓面積耗損，以及高毛利率的誘惑，是這一波DRAM缺貨潮最底層的原因，只要AI需求持續高漲，製程轉換帶動產能排擠效應，DRAM缺貨潮的故事才能繼續講下去。尤其近期的DDR4因為全球所有的供應商全數退出，DDR4缺口急速擴大，現貨報價呈現瘋狂上漲。

SK海力士、三星、美光陸續退出DDR4市場，一般仍會保留長壽需求的車規、工業用規格的產品持續供貨，直到合約走完，但很多下游客戶擔心完全斷貨，此刻都想多備貨，得到的回覆是：可以下單，但沒有交期！ 等於是給客戶軟釘子。 有些客戶則是轉向找南亞科求救要貨並且重做認證，目前南亞科幾乎可以算是全球唯一會持續生產DDR4的記憶體廠，將成為最大受益者。

據了解，南亞科在手的DDR4庫存數量原本就不少，受惠DDR4價格飆漲，手上庫存是洛陽紙貴，但仍有些價格沒這麼好的DDR3舊產品需要被消化。業界表示，傳出南亞科可能會提出類似「搭售」的策略，要買炙手可熱的DDR4晶片必須也多少拿一點DDR3晶片，剛好可以利用這一波DDR4的大缺貨，順勢把手上DDR3舊產品庫存給消化掉。

在DDR4供應商銳減下，未來下游客戶的因應方式，可能會將部分新產品規格轉向DDR5晶片，但也有些應用端產品才剛剛從DDR3轉到DDR4，不可能這麼快又轉去用DDR5，像是WiFi 7晶片等。因此，短期內DDR4仍是有相當強勁的需求作支撐，尤其在8Gb規格的DDR4晶片，主要是南亞科供應為主，應用層面十分廣，需求十分強勁。

原本中國長鑫存儲加入DDR4生產，帶給台系記憶體無比的巨大壓力。隨著長鑫存儲決定去拼HBM和DDR5，策略轉彎退出DDR4市場，空出來的DDR4市場未來只會有南亞科供應，華邦也將加入小部分產能。 據了解，長鑫存儲決定提前退出DDR4，全數轉進DDR5和力拼AI伺服器用的HBM記憶體，除了是配合中國官方政策，要全力打造自有的AI伺服器產業鏈，另一方面也是長鑫存儲的DDR5良率相當不錯，給了長鑫不少底氣，決定往高階市場一拼高下，未來長鑫存儲將會變成三星的另一個煩惱。

HBM競爭也是十分劇烈。記憶體業者表示，很多人誤以為HBM技術難如登天，其實堪用的HBM不難做，只是要通過Nvidia的認證非常困難，所以三星才會壓力這麼大。但以後AI晶片選擇很多，ASIC也是另一股勢力，仍是可以適配等級沒這麼高的HBM記憶體。 最後偷偷告訴你，其實錢夠多文章開頭的那兩樣東西都買得到！
 

連于慧 2025.6.9
近期，下游客戶在關稅90天寬限期內瘋狂備貨，帶動DRAM價格狂飆。上週五DRAM現貨市場更出現不尋常訊號，舊規格的16Gb DDR4現貨價格首度超過16Gb DDR5現貨價，創下史上頭一遭！ 除了三大DRAM廠確立退出DDR4市場，專注生產DDR5和HBM，中國長鑫存儲也急轉彎終止剛跨入生產的DDR4產品，全面催生DDR5和HBM自研晶片，配合中國政策建立自己的AI伺服器供應鏈。在全球記憶體大廠全面退出，關稅拉貨潮催化，DDR4價格狂飆，南亞科手上DDR4庫存洛陽紙貴，更傳出南亞科評估將原本轉進DDR5的產能，先倒車回頭生產DDR4，搶佔這一波十年才會出現一次的超級好光景！

在SK海力士、三星、美光、長鑫存儲皆退出DDR4市場後，南亞科成為全球唯一的DDR4供應商，華邦雖然計畫下半年將產線從DDR3轉到DDR4，但DDR4產能規模較南亞科小非常多，相較之下，南亞科手上庫存一堆，過去是賠錢貨、是庫損，短短幾個月的時間，這批庫存即將上演「賠錢貨變黃金戲碼」！

更重要的是，記憶體業界透露，南亞科原本採用1B製程生產DDR4和DDR5，力拼下半年DDR5大量出貨，但這幾個月全球出現太多變化，導致DDR4晶片身價洛陽紙貴，傳出南亞科內部評估要將1B製程原本要投片DDR5的產能，全數回頭轉投片DDR4晶片，搶佔這一波DDR4大缺貨巨大商機，況且南亞科DDR5的良率爬坡一直有點辛苦，剛好遇到DDR4難得一見的大行情，自己突然變成全球唯一DDR4供應商，此時順勢把DDR5投片先轉回DDR4，也算是獲得的某種「下台階」。

業者更透露，今年初時，南亞科還在鼓勵員工可以多休假，強調work life balance身心健康的重要性，但從上個月，已經開始要求部分員工週末找一天來加班，全力上緊發條加速生產。原本南亞科面臨中國長鑫存儲跨入DDR4的巨大壓力，加上轉進DD5良率陣痛期，前後夾殺下，幾乎快喘不過氣來，此時遇到關稅緩徵90天大拉貨潮，以及長鑫存儲退出DDR4轉拼HBM，只能說南亞科不是上輩子燒好香，就是有前世拯救地球，才能如此戲劇化的絕處逢生。

但要提醒，眼前的DDR4現貨價雖然瘋狂飆漲，但DDR4的合約價是幾個月以前談定的，因此合約價仍在低檔慢慢爬升，南亞科與系統廠的交易是以合約價格為主，要等到未來幾個月逐月調升合約價，才會反映在營收和獲利上。更重要的是，往後看，南亞科幾乎可以說是全球唯一DDR4供應商（除了華邦還有少量供應），現在這種時機點，南亞科手上的DDR4庫存根本不用急著快速出貨給下游廠商，要慢慢出貨、有一點惜售的味道、慢慢拉升價格，不急著衝高單月營收，才是最佳策略。

談到中國政策急轉彎，今年全球AI晶片市場更經歷巨大動盪，美國對中國的AI晶片禁令加劇，讓中國產業政策是鐵了心要加速建立自己的AI晶片供應鏈，長鑫存儲是中國唯一的DRAM供應商，雖然去年才剛剛進入DDR4市場，各界認為此舉對台系記憶體廠威脅最大，只是今年在配合中國政府的政策下，已全面轉彎力拼DDR5和HBM晶片。

中國各產業內卷非常嚴重，連電動車「內卷王」比亞迪都被官方示警要車廠間展開「自律對話」並「全面規範價格戰」。業界透露，半導體產業內卷情況也相當嚴重，前幾年一窩蜂蓋成熟製程產能就是一例，最後搞到大家互砍價格結果都不賺錢，未來中國官方不排除會進行「精準補貼」，而優先順序排在最前面的，絕對是AI晶片相關供應鏈。因為算力即國力，美國鎖定中國的AI晶片封鎖之下，未來中國的資源、資金、補貼扶植絕對會擺在AI晶片、HBM晶片上，甚至傳出即使是晶圓代工龍頭的中芯國際，都可能會被削減補貼，畢竟現在中國全力扶持的重點是AI、AI、AI！！

另外，這一波DDR4大缺貨潮，已經開始有蔓延到消費性LPDDR4的跡象，且未來將帶動合約價逐月上調。再者，上週起竟然出現16Gb DDR4現貨價超越16Gb DDR5史上頭一遭，而且8Gb DDR4現貨價也站穩3.1美元以上，接下來DDR5價格有極高的機會會被DDR4的漲價帶上去。

但是，三大負面消息也是不能不提：關稅、匯損、報價漲過頭之後的需求壓抑。

首先，關稅問題就像是每一家科技業者心中的一根刺，到底是20%？還是25%？還是30%？（要課多少就直接快說快說！！）只要我們關稅不要高於韓國就好，但退一萬步說，就像是台積電說的，關稅是進口商要付，半導體是出口商，另外一點是，現在處於DRAM晶片缺貨時期，其實轉嫁給客戶也不是難事，大不了報價再漲價25%。

不過，漲價過猛確實會抑制終端需求（雖然AI以外的終端需求原本就不強），但重點是，DRAM產業特性一向是供給主導的力量遠大於需求主導。意思是，每一次的DRAM大波段缺貨潮，都是始於供給端的帶動，例如有廠商製程轉換不順導致供給減少、當年爾必達/奇夢達/茂德的破產倒閉更是產業大重整，讓供給端從極度失序走向健康。

這一波AI需求帶動的科技大革新，從今年初就開始有許多人擔心AI泡沫化、資料中心供過於求、GPU砍單等負面消息，確實都讓HBM需求有雜音，現在回頭看，AI泡沫化這個擔心不能說已經不存在，但可能不會這麼快發生。前陣子川普和Nvidia、AMD去中東談了一個大案子，中東國家也要開始拼算力即國力蓋起資料中心，阿拉伯聯合大公國更是狂，成為全球一個宣布全體國民可以享受免費使用進階版ChatGPT的國家。

只要AI需求會一直熱下去，HBM對於DRAM排擠就會持續。生產HBM所需要的晶圓面積是相同製程傳統DRAM晶圓的2.5～3倍，而且，轉進最新一代的HBM4.0相較於HBM3.0因為堆疊層數更高、良率更不好控制，估計耗損成本會再增加至少20～30％，由此可知，HBM對於傳統DRAM排擠只會越來越加劇且越來越多，三星、SK海力士、美光、長鑫存儲有哪一家會因為HBM晶片的困難而知難而退嗎？ 當然沒有！ 所以DDR4的缺貨是不可逆的。因此，就算終端需求因為DRAM漲價過高而減少，但供給端只會減少更多，供給、需求兩者PK下，絕對還是缺貨！

最後來談匯率，這可能才是真正的大魔王！ 而且是每一家出口為主的廠商都要面對的問題。以南亞科為例，由於公司還在虧損，即使DDR4現貨價已經狂飆，但因為業務模式是走合約價，只能逐月慢慢調漲，預計要第四季才能轉虧為盈。因此，不免俗的要面對第二季財報持續虧損加上匯損，估計也是一個蠻令人震撼的數字，業界傳出匯損數字約莫新台幣40億元上下…

回到最初，先暫時撇除上述的三的負面因素，整個DRAM市場在DDR4的大缺貨漲價格局非常確立，而且漲價潮有延續到LPDDR4的跡象，DDR5估計也會被一路帶上去。未來缺貨空間最大的DDR4全是台系記憶體廠的天下。有記憶體人士曾說：只要哪一天中國長鑫存儲上了第一級別的擂台賽，對戰國際DRAM廠三星、SK海力士、美光，台系記憶體廠就會獲得救贖。果然如此，只是這一天居然提前來臨，只能說幸福來得太突然了！