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    AI浪潮助推,台積電與韓國從敵人變盟友,HBM江山分杯羹,三星非常著急

    連于慧
    過去曾是張忠謀口中的兩隻「700磅大猩猩」的英特爾與三星,前者在COMPUTEX期間CEO積極巡攤位與下游OEM廠搏感情; 另一家三星則是SEMICON Taiwan期間,與台積電高層坐在台上華山論劍談AI,兩家公司高層中間還特別隔著一個Google代表,微妙的距離看上去是「友達以上,合作未滿」!
     



    在「AI晶片世紀對談」中,作為論壇主持人的日月光執行長吳田玉話鋒犀利指出:你們看這AI商機多大、多美好,迫使我們得跟韓國的朋友(指同在台上的三星)來討論AI這個議題。話一說完還不忘問台積電共同營運長米玉傑「我這樣說有太超過嗎?」


    他也不斷拋出同一個議題讓大家思考:今日我們對AI的投資如此巨大,包括三星、SK海力士、台積電在硬體製造上高度資本密集的投入,還有先進封裝、設備材料行業極力往前衝,但最大的受益者卻是美國,且前方回收之日十分漫長。
     



    三星記憶體業務副總李禎培Jung-bae Lee認為,現在只是投資播種期而已,呼籲要有耐心。
     



    確實,在AI時代已經明顯落後的三星,不但需要展現耐心極力追趕,更對勁敵台積電努力拋出橄欖枝。其實,就算三星想選擇「躺平」...大客戶Nvidia也絕對不會允許!
     



    只是,進入HBM4技術世代後,三星面臨的壓力會比以往更巨大,因為要面臨記憶體和邏輯兩大勁敵SK海力士和台積電的攜手合作。




     



    從HBM4技術開始,記憶體與邏輯之間的邊界開始被打破,台積電更是直接嶄露跨足記憶體的雄心,與SK海力士宣布合作共同開發HBM4記憶體,將於2026年正式量產。
     



    在HBM領域已經落後的三星,眼看SK海力士和台積電合作,心中著急自是不言而喻,在SEMICON TAIWAN 2024中,三星表示,HBM4合作將不限於自家晶圓代工廠,對台積電揮手的意圖十分明顯。
     



    翻開台積電的歷史,身為半導體常勝軍的張忠謀,DRAM一直是他的魔咒。台積電在1994年主導成立世界先進做DRAM,卻在2000年之後宣布退出,從此專注在邏輯製程領域,不碰記憶體。
     



    沒想到在20年後,AI這股颶風讓台積電順理成章打開記憶體大門,更與一向是對立面的韓國,並肩作戰成為技術盟友!
     



    為什麼HBM會需要台積電邏輯製程技術的幫助? 
     



    HBM的架構是將DRAM晶片堆疊在Base Die(基礎裸晶)之上,再用矽穿孔TSV技術結合,之前HBM的Base Die是用DRAM製程做,但從HBM4開始,考慮到需要更強大的運算功能和傳輸速度加快,HBM的Base Die需要改成用由先進邏輯製程生產。而SK海力士沒有邏輯先進製程,因此需要與台積電合作,預計雙方合作的HBM4產品會用到台積電的5奈米製程。
     



    李禎培在「AI晶片世紀對談」論壇中也指出,為了打破限制,HBM必須加入邏輯處理的技術,提供客製化HBM,現在三星HBM4的Base Die已經交給晶圓代工廠。
     



    他更強調,HBM4技術世代後,記憶體業者、晶圓代工廠、客戶三方之間的合作越將更為緊密,而三星本身有記憶體、晶圓代工等業務,可滿足客戶一條龍式生產服務。再者,三星記憶體已準備好Base Die的IP解決方案,可以提供給客戶自行設計,保持代工服務彈性,因此未來合作並不限於三星自己的晶圓代工廠。
     



    SK海力士社長金柱善(Justin Kim)也出席了大師論壇,表示2024年以來已經來台灣十次了! 至於為何而來,台下聽眾皆是會心一笑。
     



    SK海力士與三星一同出席SEMICON TAIWAN 2024舉辦的大師論壇,是這兩家韓系記憶體廠首次在台灣同台競技,目的都是拉攏台灣的半導體產業供應鏈。
     



    這要感謝AI時代,把台灣產業鏈的重要性提升到另一個高度與層次,讓台灣成功掌握PC、智慧型手機時代後,又站在AI時代的浪潮頂峰!
     



    金柱善表示,台灣和南韓之間要密切合作,能彰顯高度價值,不僅是對眼前業務有利,也是為了因應解決前方挑戰而共同努力。
     



    他也表示,SK海力士在HBM領域享有最高的全球市占率,HBM3E是市面上最具主導地位的產品,預計9月就會推出12層堆疊的HBM3E產品,應用在AI伺服器上。同時,SK海力士的HBM4也在研發中,將配合客戶量產時程,在結合自己HBM技術和台積電的先進製程代工,將會誕生無與倫比的產品。
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    中國DRAM產能即將大軍壓進!台系記憶體廠陷入高庫存、低買氣的困局

    AI應用需求的高寬頻記憶體HBM,以及AI PC換機潮需要的DDR5,是AI大時代下所需要的兩款晶片,全數都掌握在三大國際記憶體廠手上,這是巨頭們的競技主戰場!台灣記憶體供應商中,唯有南亞科將在2024年中首度切入DDR5供應行列,因此備受市場關注。
     



    不過,近日記憶體市場的氣氛,一反之前欣欣向榮的基調,開始出現眾多雜音,主要有三方面疑慮:首先,市場傳出南亞科年中量產的DDR5鎖定5600MHz(DDR5最低時脈4800)認證時間可能會比預期長,開始擔心其DDR5放量的時間點可能延後。對此南亞科回應:「謠言!沒有這種事。」
     

    再者,DRAM現貨價格始終很冷清,持續與合約價表現嚴重脫鉤,主要是反應終端需求沒有起色。最新的618促銷檔期對整個消費市場的刺激仍是有限,DDR3和DDR4沒有循之前預期有補漲跡象,反而是價格更疲弱。由於DDR3和DDR4本身就一直有庫存偏高的問題,現在買氣無法點火加速消化庫存,恐會加劇之後價格走跌。
     



    第三,是來自中國DRAM產能將持續放大帶來的壓力。長鑫存儲這幾年一直是美系半導體設備廠的大買家之一,擴產的產品集中在DDR4利基型記憶體、LPDDR5行動記憶體等,與台系記憶體南亞科、華邦兩家供應商基本上是狹路相逢,長期目標長鑫月產能上看超過30萬片。
     



    市場期待南亞科在2024年中之後,可以快速駛上DDR5賽道,部分產能加速遠離中國漸漸握有主導權的DDR4戰場,避免中國DRAM產能大舉開出。這一切都要看南亞科在年中後,轉進DDR5的速度夠不夠快,2024年下半成為南亞科很關鍵的時期。
     



    此外,傳出長鑫存儲除了現有合肥、北京兩地的晶圓廠,也要在上海唐鎮成立據點,是否會投入相同產品線建置,或是有其他規劃尚不得而知。同時,也傳出長鑫有IPO的計畫,估值將不低於1000億元人民幣。
     



    以製程技術角度來看,美國的出口管制清單將長鑫限制在18nm製程以下,意思是長鑫在採購先進製程機台設備時,18nm以下的設備會受到限制。目前長鑫是以自主研發介於18nm和19nm的技術,也不斷拉高國產設備使用的比重。
     



    在產能方面,三期全開的滿載產能可能高達單月36萬片,一旦全產能運行,對於整個利基型記憶體市場帶來的壓力將十分巨大。
     



    雖然長鑫的晶片主要還是滿足中國內需市場的消費性產品為主,但長期來看,如果是處於消費需求不能提升,而持續產能過剩下,各種低價產品的輸出和外溢是絕對會發生。
     



    短期看記憶體市場有兩個觀點。第一,DDR4和DDR3短期的問題在買氣不振和庫存仍高,DRAM現貨價格仍是下跌。大家看好7、8月傳統旺季會有需求刺激買氣,然若是今年走上旺季不旺的格局,DDR4和DDR3加速拋出庫存,恐讓價格更疲弱。
     



    第二,AI PC是今年COMPUTEX最大賣點,更是整個科技產業寄與厚望的殺手級應用。高通高喊的「The PC Reborn」僅是開短而已,這是PC產業大復興的機會,不會是短線炒作的商機而已。不過,假如首波AI PC買氣有限,DDR5價格不排除會出現補跌。
     



    長線而言,要密切觀察的當然是中國DRAM廠的擴產會逐漸傾巢而出。首當其衝的不會是三星、SK海力士、美光三大記憶體大廠火拼的HBM和DDDR5戰場,受到正面衝擊的都是台系記憶體廠南亞科和華邦的DDR4/DDR3/LPDDR5等產品,因此這部分要滾動式觀察其發展。

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    美光COMPUTEX進行武力展示,HBM進度成為全場焦點

     
    2024年COMPUTEX創下史上空前盛況,加上Nvidia黃仁勳帶動的“逛夜市”風潮,台灣成為全世界最閃亮的地方。Nvidia於COMPUTEX期間舉行的全球媒體記者會中,第一個被提出的問題居然是與AI息息相關的HBM記憶體,在盛況空前的COMPUTEX舉行當下,國際記憶體大廠的HBM武力佈局完全沒有鬆懈的一刻!
     



    美光Micron在COMPUTEX期間舉行了一場新技術發佈會,宣布推出GDDR7繪圖記憶體,採用美光1-beta技術。不過,在場媒體最關心的話題,仍是HBM! 連美光主管在當天主軸是GDDR7的聯訪記者會開到最後,都開玩笑表示:“還有任何關於HBM的問題嗎?”
     



    HBM技術非常複雜,要做十幾、二十層的堆疊,技術門檻非常高。但是,如果沒有HBM記憶體,GPU也無用武之地,AI商機也是海市蜃樓。
     



    美光的HBM記憶體將在台灣和日本兩地生產。事實上,美光有60%的DRAM產能放在台灣生產,1-Beta 製程已在台灣廠房進入量產,預計2025年會在台灣引入EUV機台來生產1γ(Gamma)製程DRAM晶片。在日本廣島廠方面,美光也會引入EUV機台,在2025年生產1γ(Gamma) DRAM。
     



    美光2024年已經宣佈24GB的HBM3E記憶體正式量產,採用1-Beta 製程技術,獲得Nvidia的H200 GPU採用,預計2024年第二季開始出貨,第三季放量。同時,美光也宣布推出12 層堆疊的36GB HBM3E樣品。
     



    美光看好到了2025年HBM3E的市占率將可望上升到20~25%,與美光在全球DRAM市佔率相當。HBM市佔率的提升,背後象徵兩大意義,一是技術上站穩腳步,二是產能要能跟上腳步。另外,H200的採用也是一大助力。
     



    美光在HBM上急起直追,以及強大的企圖心,看在日前傳出HBM產品不順、出現過熱且未通過Nvidia認證的三星的眼裡,勢必是著急不已。
     



    接下來,來談一天COMPUTEX當天美光的技術發佈會的重點。
     



    美光次世代GDDR7繪圖記憶體已正式送樣,採用美光1β (1-beta) DRAM技術和創新架構,最高速度達每秒32 Gb,系統頻寬提升至1.5 TB/s以上,頻寬相較前一代美光GDDR6高出60%。
     



    相比前一代GDDR6,美光GDDR7的能源效率亦提升超過50%,有效改善散熱問題並延長電池壽命。GDDR7新的睡眠模式可降低系統待機功耗最高達70%。
     



    美光GDDR7擁有四個獨立通道,最佳化工作負載與更快的回應速度、更流暢的遊戲體驗並顯著縮短處理時間。
     



    美光預計,採用GDDR7製作的顯示卡在1080p、1440p和4K解析度下的光線追蹤和光柵化每秒幀數(FPS)相較於GDDR6和GDDR6X可提升超過30%。
     



    GDDR7產品的推出,讓完美光的產品布局CPU、NPU和GPU元件的邊緣 AI 推理應用,提供 DDR、LPDDR 和 GDDR 記憶體選項。針對遊戲應用,美光GDDR7記憶體透過效能和幀緩衝區擴展,以可隨遊戲內容變換的場景、玩家和故事情節實現 AI 增強的遊戲體驗。
     



    美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示,透過採用先進製程和介面技術打造出最高頻寬的記憶體解決方案,再次引領記憶體產業創新,並維持在繪圖記憶體效能的領導地位。

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    盧超群:DRAM回暖旺到2025年,報價重回疫情前水平

    鈺創董事長盧超群指出,自家利基型記憶體DRAM陸續導入WiFi 7、機器人、汽車、智慧家庭等新應用領域,整體來看2024年下半年景氣會優於上半年,2025年會延續這股景氣回升力道,DRAM價格可望重回疫情前水平。
     



    全球記憶體產業谷底翻身的軌跡,也是拜OpenAI帶動生成式AI狂潮之賜,新式HBM記憶體成為AI伺服器必備,吃掉越來越多DDR5的產能。再者,DDR5是PC主流規格,下半年起又有AI PC題材發酵,使得國際DRAM大廠需要不斷加大HBM、DDR5投片,陸續棄守DDR3、DDR4市場。利基型記憶體市場在此背景下,開始邁向供需平衡,待庫存消化後,產業會越來越健康。
     



    盧超群表示,鈺創耕耘的不少新產品領域逐漸發酵,尤其網通相關的利基型記憶體產品一直是鈺創的重點佈局,占營收比重超過30%,鈺創提供完整的DRAM、SPI NAND Flash解決方案,滿足客戶從WiFi 5、WiFi 6/WiFi 6E、WiFi 7需要的規格與容量。
     



    他進一步指出,鈺創的利基型記憶體產品線已經獲得WiFI主晶片供應商包括高通、博通、聯發科和瑞昱列入合格供應商清單 (Approved Vendor List,AVL)。並且,已經看到8Gb/4Gb的DDR4、4Gb DDR3導入印太和歐洲客戶的Wi-Fi 6E產品並進入量產,且在WiFi 7方面,8Gb/4Gb DDR4也獲得Wi-Fi 7晶片組供應商的清單認可,陸續向終端客戶提供樣品。
     



    不單是網通,公司也指出,在汽車、智慧家電等業務上,日前都有回升跡象,像是汽車領域,鈺創的產品導入車子車載市場包括顯示器、娛樂系統、硬碟、數位音訊、行車記錄器等、環景系統、ADAS等。
     



    智慧家電方面,鈺創的KGD和Discrete方案也導入像是智慧門鎖、全景相機、藍光DVD播放器、智慧音箱、掃地機器人等,未來期待更多邊緣AI商機落地。
     



    展望未來,盧超群指出,2030 年全球由 AI 主導的經濟產值高達 80 兆美元,其中硬體僅佔40分之1,大概 2 兆美元,而半導體約0.5兆美元。台灣建立了半導體加異質整合的應用堡壘,一定會卡位到創新技術,就如同台灣過往在 PC、手機等,都抓到應用爆發的關鍵。
     



    他也訂下目標,鈺創要在半導體0.5兆美元佔有一席之地,尤其懂邏輯的業者不一定懂記憶體,懂記憶體的不一定懂異質整合,鈺創因為掌握了邏輯IC和DRAM兩大技術,位居獨特地位,要利用異質整合技術的優勢,贏得AI時代的巨大商機。
     



    再者,鈺創看好許許多利基型DRAM客戶在拿到產品後,需要額外找尋封裝和Controller IP服務,導致效能犧牲和成本墊高。因此,鈺創提出一站式開發服務「MemorAiLink」,提供多樣化的記憶體選擇,並提供完整的IP服務,實現高度複雜晶片設計並縮短產品上市時間。
     



    盧超群解釋,要發揮鈺創在邏輯IC和記憶體兩邊的強項,MemorAiLink平台可讓記憶體與不同元件封裝整合,實現高度複雜的晶片設計及縮短產品上市時間,MemorAiLink平台率先推出異質整合晶片產品,切入影音擷取IC次系統市場,且現在客戶已經進入量產,可讓客戶產品多重訊號切換或融合,讓影音串流應用或商業模式提供更多可能性。

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    50%關稅加上去,恐讓中國成熟製程產能過剩更嚴重,「國產化」速度勢必提前

     
    中美貿易戰隨著美國宣布對電動車、半導體、鋰電池課徵高關稅而再度緊張。尤其,美國針對中國半導體的關稅提高到50%,將導致現在中國已經供過於求的成熟製程產能,未來過剩的情況更嚴重,因為採用中國成熟製程所生產的半導體產品,勢必因為高關稅而減少外銷。
     



    因此,預計中國官方將祭出更多的政策與方案,來加大力度來推動國產化,可能是更多的補貼政策刺激國產化的速度前進。否則,這幾年中國瘋狂新建的成熟製程晶圓代工廠,產能過剩的情況將難以想像。
     



    美國這次的大舉提高關稅,最大一刀是砍向電動車,關稅直接拉到100%,呼應特斯拉馬斯克所言「如果沒有貿易壁壘,世界上多數汽車企業都會被中企擊垮。」但目前比亞迪並未進軍美國,中國電動車在美國佔比不高,提高電動車關稅是在防範未來,要觀察的是歐盟會不會跟進針對中國電動車課高關稅,因為中國電動車在歐洲佔比很高。
     



    美國關稅的第二大刀是對中國半導體出手,關稅從25%提高到50%,主要目的是降低美國對中國成熟製程產能的依賴。
     



    美國手上有兩張牌「關稅」與「出口管制」,在先進製程上,美國拿出的是出口管制禁令,而在成熟製程上,則是拿出籌謀已經的關稅政策。
     



    過去幾年美國已循序漸進透過限制設備與材料的進口,封鎖中國在14~16nm以下的先進製程的邏輯晶片製造。
     



    後遺症是,中國開始往成熟製程領域來擴充產能,過去幾年加速購買機台設備,甚至是二手機台設備也搶購,中國半導體廠就是怕美國的禁令一步步逼近下,連成熟製程都被封鎖。
     

    長期下來,演變成中國的成熟製程產能過剩,便宜的IC、廉價的產品逐漸外銷到全世界且極具競爭力,席捲全球,美國也因此有了警戒。
     



    不過,對中國成熟製程發出限制令不是美國想做的,祭出高關稅的手段壓制,才是美國一直以來的計畫。
     



    除了要阻擋中國低價產品輸出海外,晶片透過外銷產品滲透到所有電子產品之外,美國打得另一個算盤是,降低對中國製造的傳統晶片的依賴度,於是宣佈將半導體關稅提高到50%。未來將會產生四個影響:
     



    第一,過去幾年來,歐美客戶原本委由中國半導體代工,在地緣政治的氣氛下,都逐漸將訂單轉出,首選當然是轉給台灣半導體廠代工,包括台積電、聯電、力積電、世界先進。像是,面板驅動IC原本是台灣的強項,後來中國不斷逼近追趕,一方面也是狹持其在面板上的優勢之故。
     



    未來中國的晶圓代工廠會承接中國客戶訂單為主,形成一個世界,兩個系統。至於NAND Flash和DRAM記憶體產品,目前中國分別有長江存儲和合肥長鑫為供應商,未來也將以供給本土需求為主。
     



    第二,中國會加速推展「國產化」,祭出更多政策來鼓勵國產化進程。
     



    美國對中國半導體課徵50%關稅,就是衝著中國成熟製程產能而來,如果中國不加速去推國產化,使用國產IC,未來成熟製程供過於求的嚴重程度,會難以想像。總之,未來中國應該會加速「國產化」,以去除嚴重過剩的成熟製程產能。
     



    第三,如果有想要外銷給美國市場的中國客戶,搞不好會選擇到非中國本土系統的晶圓代工廠投片,或是使用非中國製造的IC,不然半導體產品會被課徵50%關稅,估計消費型產品的機率最大。
     



    第四,該趨勢發展下去,全世界電子相關產品會持續面臨成本上漲的挑戰。原本全球化運作的世界,現在分裂成兩個系統運作,自然會帶來成本上升。

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    盧超群:HBM良率轉順至少還要2~3年,對DRAM排擠效應剛開始而已

    鈺創董事長盧超群出席力積電銅鑼12吋廠啟用儀式時對《SEMICONVoice》表示,AI廣泛使用的高頻寬記憶體HBM要堆疊8層、16層,售價高達300美元~600美元,這在半導體產業根本是天價,而且還一堆客戶都搶著要買。
     



    盧超群進一步分析,現在HBM記憶體還在技術與良率的摸索期,良率瓶頸要完全打開至少要花上2~3年時間,因此HBM對傳統DRAM產能的排擠才剛開始而已。
     



    重點是,現在三大DRAM廠都在搶著爭奪HBM巨大商機,每一家記憶體廠都想當HBM老大,根本沒有力氣去對付傳統DRAM,更是傾公司所有資源和最優秀的工程師都去做HBM,預期下半年利基型DRAM產業會供給量不足,價格一定會水漲船高。
     



    DRAM業界人士更對《SEMICONVoice》透露,投產HBM記憶體不單有耗損wafer面積的問題,且HBM投產製程周期是DDR5的三倍之多,良率又還沒拉上來,現在HBM商機大爆發,但DRAM廠的生產和產能準備沒跟上腳步。
     



    尤其,過去兩年記憶體廠財報出現鉅額虧損,因此都沒有積極擴增新產能,只是把原本減產的部分逐漸恢復正常生產,但這對於未來AI時代所需要用到的DRAM和NAND Flash產能根本不夠,現在又有HBM技術瓶頸,未來DRAM產能會十分緊俏。
     



    或許你覺得現在終端需求還不好,但半導體產業鏈已經渡過漫長的庫存消化,等到PC、手機、伺服器的需求都恢復正常後,客戶和通路商開始會回補庫存,DRAM吃緊的問題會更加嚴重。
     



    市調機構TrendForce也發布報告指出,在403地震前,原先預估第二季DRAM合約價會上漲約3~8%,而最新統計出來的數據是上修漲幅大漲至13~18%。
     



    針對HBM排擠DRAM產能的程度,三星的HBM3e產品是採用1alpha製程節點,預計到2024年底將占用1alpha製程產能約60%,會排擠到DDR5供給量。尤其,第三季HBM3e進入生產放量的時間點,買方已經同意提前到第二季備貨,以防第三季HBM供應會出現短缺。
     



    TrendForce也統計,HBM位元需求可望高度成長,2024年將成長近200%,2025年再進一步倍增。2024年HBM產值占DRAM比重將超過20%,2025年將有機會突破30%。
     



    身為HBM龍頭的SK海力士也指出,DRAM產業需求確實之前較為疲弱,但下半年需求逐漸復甦,加上HBM會吃掉更多的產能,隨著越來越多DRAM產能挪移去生產HBM,傳統DRAM供應量勢必會減少,且慢慢地,供應鏈現有的庫存都會消化殆盡,看好DRAM後勢價格走勢。
     



    SK海力士也宣布,2024年HBM產能全部售罄,2025年產能基本上也賣完,為了鞏固SK海力士在HBM領域的領先地位,計畫5月會推出12層堆疊的HBM3E樣品,規劃第三季進入量產。
     



    更早前,美光也宣布2024年HBM產能全部售罄,2025年產能多數產能也都被預訂。HBM全球狂熱的程度,算是記憶體史上罕見!
     



    SK海力士為了鞏固HBM技術的領先地位,也宣布最新世代堆疊16層的HBM3E技術研發進度,目標是2026年進入量產。據了解,相較12層的HBM,SK海力士的16層HBM以相同的高度堆疊更多DRAM晶粒(die),更關鍵的是能同步減少DRAM厚度,並防止出現晶圓翹曲(warpage),SK海力士為克服這些技術難題,從HBM2E開始就採用領先的MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)技術,並且不斷進行改良。
     



    在HBM大戰中,長年龍頭的三星居然成為SK海力士的手下敗將,日前傳出不服輸的三星,精挑細選集結了100名頂尖的工程師,組成一支HBM團隊,目的就是爭取Nvidia的HBM訂單,讓良率和品質能通過Nvidia的標準,進而一步步蠶食鯨吞SK海力士手上的訂單。
     



    三星目前的重心是在全球首款36GB 12層堆疊HBM3E,相較堆疊8層的HBM產品,堆疊12層的HBM3E可讓AI學習速度提升34%。三星總裁兼執行長慶桂顯Kye Hyun Kyung指出:“第一回合輸了,但第二回合是非贏不可。”

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    三星DDR3將提前退役,HBM耗損Wafer面積是DDR5三倍,DRAM產業正處關鍵轉折點

    三星從2年前就規劃逐步要退出DDR3供應,市場傳出,原本計畫2024年底要針對DDR3做EOL(end-of-life)現在提前至2024年中停止生產DDR3,而SK海力士在DDR3晶片上的供應原本就不多,預計未來會更淡出DDR3供應之列。業界預期,DDR3提前退役,可望加速DDR3庫存消化,準備啟動另一番漲勢。
     



    記憶體今年市況不錯,主要是2023年上游原廠虧損嚴重,開始從源頭控盤拉抬價格,這招式是千年不變,萬年受用!NAND Flash和DRAM產業也在這一輪的景氣循環中,正大光明地走出谷底,等待終端需求大力添加柴火。
     



    這一波DRAM產業有兩個題材,一是AI需要的高頻寬記憶體HBM對於DDR5的排擠效應,且HBM真的吃掉很多記憶體的Wafer產能; 第二是韓系國際記憶體大廠年底前要陸續退出DDR3的生產之列。
     



    兩大韓廠三星、SK海力士要退出DDR3生產已經規劃許久,日前傳出最大供應商三星原本是計劃年底前停止生產,基於產能配置,提前到2024年中停止生產DDR3,SK海力士原本的DDR3供應數量就很少,逐步淡出符合預期規劃,這對於台灣DRAM相關廠商是好消息。
     



    HBM在AI時代成為要角,記憶體產業主軸是“排擠”。

    首先,HBM是SK海力士的翻身之作,未來在技術、產能、資源分配上,無論是SK海力士、三星或美光,絕對是全力搶占HBM市佔率,AI才是未來主角。因此,這些大廠不可能會有太多產能給傳統的DRAM,HBM對DDR5產能的排擠,恐怕剛開始而已。除非,你覺得AI是泡沫,是曇花一現,你覺得ChatGPT很快會消失。
     



    業界分析,HBM生產週期包含TSV封裝,比DDR5的生產週期至少多出1.5個月,HBM3E的Wafer面積更是DDR5的三倍大。假如投片16Gb DDR5顆粒,每片Wafer的Gross die是1800顆,同樣的Wafer拿去生產HBM3E,搞不好只剩下600顆。
     



    DRAM廠為了解決HBM瓶頸且拉升良率,只會有越來越多的DRAM產能轉移到HBM身上。有消息指出,HBM平均良率約在65%左右,但業界認為實際的良率其實更低。而且,HBM一旦有一個晶片有缺陷,整個封裝都不能用。另外,HBM的生命週期又比傳統DRAM短。
     



    美光執行長Sanjay Mehrotra 曾表示,HBM因為包含了邏輯控制晶片,加上更複雜的封裝堆疊,且生產HBM過程會很大幅度影響良率,因此生產HBM3和HBM3E會吃掉很大部分的DRAM Wafer供應。
     



    輝達Nvidia執行長黃仁勳也指出,HBM是技術奇蹟,它的技術非常複雜,但能提高AI效能,附加價值非常高,他非常重視與SK 海力士、三星在HBM記憶體上的合作關係。
     



    全球市場中,HBM市佔率最高的是SK海力士,其次是三星,兩者合計應該有占90%市場,美光排名第三。
     



    目前,SK 海力士的 HBM3E已經量產,輝達Nvidia絕對是優先出貨的重要客戶。
     



    三星的8層HBM3E在量產時程上微幅落後,外傳,三星HBM3的良率只有10~20%,但SK海力士的HBM3良率卻已來到60~70%。幸好,三星最終仍是拿下輝達H200訂單。三星也強調自己將會推出業界首款12層HBM3E,是目前容量最高HBM產品,預計會很快量產。

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