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連于慧
過去曾是張忠謀口中的兩隻「700磅大猩猩」的英特爾與三星，前者在COMPUTEX期間CEO積極巡攤位與下游OEM廠搏感情; 另一家三星則是SEMICON Taiwan期間，與台積電高層坐在台上華山論劍談AI，兩家公司高層中間還特別隔著一個Google代表，微妙的距離看上去是「友達以上，合作未滿」！
 



在「AI晶片世紀對談」中，作為論壇主持人的日月光執行長吳田玉話鋒犀利指出：你們看這AI商機多大、多美好，迫使我們得跟韓國的朋友（指同在台上的三星）來討論AI這個議題。話一說完還不忘問台積電共同營運長米玉傑「我這樣說有太超過嗎？」


他也不斷拋出同一個議題讓大家思考：今日我們對AI的投資如此巨大，包括三星、SK海力士、台積電在硬體製造上高度資本密集的投入，還有先進封裝、設備材料行業極力往前衝，但最大的受益者卻是美國，且前方回收之日十分漫長。
 



三星記憶體業務副總李禎培Jung-bae Lee認為，現在只是投資播種期而已，呼籲要有耐心。
 



確實，在AI時代已經明顯落後的三星，不但需要展現耐心極力追趕，更對勁敵台積電努力拋出橄欖枝。其實，就算三星想選擇「躺平」...大客戶Nvidia也絕對不會允許！
 



只是，進入HBM4技術世代後，三星面臨的壓力會比以往更巨大，因為要面臨記憶體和邏輯兩大勁敵SK海力士和台積電的攜手合作。




 



從HBM4技術開始，記憶體與邏輯之間的邊界開始被打破，台積電更是直接嶄露跨足記憶體的雄心，與SK海力士宣布合作共同開發HBM4記憶體，將於2026年正式量產。
 



在HBM領域已經落後的三星，眼看SK海力士和台積電合作，心中著急自是不言而喻，在SEMICON TAIWAN 2024中，三星表示，HBM4合作將不限於自家晶圓代工廠，對台積電揮手的意圖十分明顯。
 



翻開台積電的歷史，身為半導體常勝軍的張忠謀，DRAM一直是他的魔咒。台積電在1994年主導成立世界先進做DRAM，卻在2000年之後宣布退出，從此專注在邏輯製程領域，不碰記憶體。
 



沒想到在20年後，AI這股颶風讓台積電順理成章打開記憶體大門，更與一向是對立面的韓國，並肩作戰成為技術盟友！
 



為什麼HBM會需要台積電邏輯製程技術的幫助？ 
 



HBM的架構是將DRAM晶片堆疊在Base Die（基礎裸晶）之上，再用矽穿孔TSV技術結合，之前HBM的Base Die是用DRAM製程做，但從HBM4開始，考慮到需要更強大的運算功能和傳輸速度加快，HBM的Base Die需要改成用由先進邏輯製程生產。而SK海力士沒有邏輯先進製程，因此需要與台積電合作，預計雙方合作的HBM4產品會用到台積電的5奈米製程。
 



李禎培在「AI晶片世紀對談」論壇中也指出，為了打破限制，HBM必須加入邏輯處理的技術，提供客製化HBM，現在三星HBM4的Base Die已經交給晶圓代工廠。
 



他更強調，HBM4技術世代後，記憶體業者、晶圓代工廠、客戶三方之間的合作越將更為緊密，而三星本身有記憶體、晶圓代工等業務，可滿足客戶一條龍式生產服務。再者，三星記憶體已準備好Base Die的IP解決方案，可以提供給客戶自行設計，保持代工服務彈性，因此未來合作並不限於三星自己的晶圓代工廠。
 



SK海力士社長金柱善（Justin Kim）也出席了大師論壇，表示2024年以來已經來台灣十次了！ 至於為何而來，台下聽眾皆是會心一笑。
 



SK海力士與三星一同出席SEMICON TAIWAN 2024舉辦的大師論壇，是這兩家韓系記憶體廠首次在台灣同台競技，目的都是拉攏台灣的半導體產業供應鏈。
 



這要感謝AI時代，把台灣產業鏈的重要性提升到另一個高度與層次，讓台灣成功掌握PC、智慧型手機時代後，又站在AI時代的浪潮頂峰！
 



金柱善表示，台灣和南韓之間要密切合作，能彰顯高度價值，不僅是對眼前業務有利，也是為了因應解決前方挑戰而共同努力。
 



他也表示，SK海力士在HBM領域享有最高的全球市占率，HBM3E是市面上最具主導地位的產品，預計9月就會推出12層堆疊的HBM3E產品，應用在AI伺服器上。同時，SK海力士的HBM4也在研發中，將配合客戶量產時程，在結合自己HBM技術和台積電的先進製程代工，將會誕生無與倫比的產品。

AI應用需求的高寬頻記憶體HBM，以及AI PC換機潮需要的DDR5，是AI大時代下所需要的兩款晶片，全數都掌握在三大國際記憶體廠手上，這是巨頭們的競技主戰場！台灣記憶體供應商中，唯有南亞科將在2024年中首度切入DDR5供應行列，因此備受市場關注。
 



不過，近日記憶體市場的氣氛，一反之前欣欣向榮的基調，開始出現眾多雜音，主要有三方面疑慮：首先，市場傳出南亞科年中量產的DDR5鎖定5600MHz（DDR5最低時脈4800）認證時間可能會比預期長，開始擔心其DDR5放量的時間點可能延後。對此南亞科回應：「謠言！沒有這種事。」
 

再者，DRAM現貨價格始終很冷清，持續與合約價表現嚴重脫鉤，主要是反應終端需求沒有起色。最新的618促銷檔期對整個消費市場的刺激仍是有限，DDR3和DDR4沒有循之前預期有補漲跡象，反而是價格更疲弱。由於DDR3和DDR4本身就一直有庫存偏高的問題，現在買氣無法點火加速消化庫存，恐會加劇之後價格走跌。
 



第三，是來自中國DRAM產能將持續放大帶來的壓力。長鑫存儲這幾年一直是美系半導體設備廠的大買家之一，擴產的產品集中在DDR4利基型記憶體、LPDDR5行動記憶體等，與台系記憶體南亞科、華邦兩家供應商基本上是狹路相逢，長期目標長鑫月產能上看超過30萬片。
 



市場期待南亞科在2024年中之後，可以快速駛上DDR5賽道，部分產能加速遠離中國漸漸握有主導權的DDR4戰場，避免中國DRAM產能大舉開出。這一切都要看南亞科在年中後，轉進DDR5的速度夠不夠快，2024年下半成為南亞科很關鍵的時期。
 



此外，傳出長鑫存儲除了現有合肥、北京兩地的晶圓廠，也要在上海唐鎮成立據點，是否會投入相同產品線建置，或是有其他規劃尚不得而知。同時，也傳出長鑫有IPO的計畫，估值將不低於1000億元人民幣。
 



以製程技術角度來看，美國的出口管制清單將長鑫限制在18nm製程以下，意思是長鑫在採購先進製程機台設備時，18nm以下的設備會受到限制。目前長鑫是以自主研發介於18nm和19nm的技術，也不斷拉高國產設備使用的比重。
 



在產能方面，三期全開的滿載產能可能高達單月36萬片，一旦全產能運行，對於整個利基型記憶體市場帶來的壓力將十分巨大。
 



雖然長鑫的晶片主要還是滿足中國內需市場的消費性產品為主，但長期來看，如果是處於消費需求不能提升，而持續產能過剩下，各種低價產品的輸出和外溢是絕對會發生。
 



短期看記憶體市場有兩個觀點。第一，DDR4和DDR3短期的問題在買氣不振和庫存仍高，DRAM現貨價格仍是下跌。大家看好7、8月傳統旺季會有需求刺激買氣，然若是今年走上旺季不旺的格局，DDR4和DDR3加速拋出庫存，恐讓價格更疲弱。
 



第二，AI PC是今年COMPUTEX最大賣點，更是整個科技產業寄與厚望的殺手級應用。高通高喊的「The PC Reborn」僅是開短而已，這是PC產業大復興的機會，不會是短線炒作的商機而已。不過，假如首波AI PC買氣有限，DDR5價格不排除會出現補跌。
 



長線而言，要密切觀察的當然是中國DRAM廠的擴產會逐漸傾巢而出。首當其衝的不會是三星、SK海力士、美光三大記憶體大廠火拼的HBM和DDDR5戰場，受到正面衝擊的都是台系記憶體廠南亞科和華邦的DDR4/DDR3/LPDDR5等產品，因此這部分要滾動式觀察其發展。

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2024年COMPUTEX創下史上空前盛況，加上Nvidia黃仁勳帶動的“逛夜市”風潮，台灣成為全世界最閃亮的地方。Nvidia於COMPUTEX期間舉行的全球媒體記者會中，第一個被提出的問題居然是與AI息息相關的HBM記憶體，在盛況空前的COMPUTEX舉行當下，國際記憶體大廠的HBM武力佈局完全沒有鬆懈的一刻！
 



美光Micron在COMPUTEX期間舉行了一場新技術發佈會，宣布推出GDDR7繪圖記憶體，採用美光1-beta技術。不過，在場媒體最關心的話題，仍是HBM！ 連美光主管在當天主軸是GDDR7的聯訪記者會開到最後，都開玩笑表示：“還有任何關於HBM的問題嗎？”
 



HBM技術非常複雜，要做十幾、二十層的堆疊，技術門檻非常高。但是，如果沒有HBM記憶體，GPU也無用武之地，AI商機也是海市蜃樓。
 



美光的HBM記憶體將在台灣和日本兩地生產。事實上，美光有60%的DRAM產能放在台灣生產，1-Beta 製程已在台灣廠房進入量產，預計2025年會在台灣引入EUV機台來生產1γ（Gamma）製程DRAM晶片。在日本廣島廠方面，美光也會引入EUV機台，在2025年生產1γ(Gamma) DRAM。
 



美光2024年已經宣佈24GB的HBM3E記憶體正式量產，採用1-Beta 製程技術，獲得Nvidia的H200 GPU採用，預計2024年第二季開始出貨，第三季放量。同時，美光也宣布推出12 層堆疊的36GB HBM3E樣品。
 



美光看好到了2025年HBM3E的市占率將可望上升到20~25%，與美光在全球DRAM市佔率相當。HBM市佔率的提升，背後象徵兩大意義，一是技術上站穩腳步，二是產能要能跟上腳步。另外，H200的採用也是一大助力。
 



美光在HBM上急起直追，以及強大的企圖心，看在日前傳出HBM產品不順、出現過熱且未通過Nvidia認證的三星的眼裡，勢必是著急不已。
 



接下來，來談一天COMPUTEX當天美光的技術發佈會的重點。
 



美光次世代GDDR7繪圖記憶體已正式送樣，採用美光1β (1-beta) DRAM技術和創新架構，最高速度達每秒32 Gb，系統頻寬提升至1.5 TB/s以上，頻寬相較前一代美光GDDR6高出60%。
 



相比前一代GDDR6，美光GDDR7的能源效率亦提升超過50%，有效改善散熱問題並延長電池壽命。GDDR7新的睡眠模式可降低系統待機功耗最高達70%。
 



美光GDDR7擁有四個獨立通道，最佳化工作負載與更快的回應速度、更流暢的遊戲體驗並顯著縮短處理時間。
 



美光預計，採用GDDR7製作的顯示卡在1080p、1440p和4K解析度下的光線追蹤和光柵化每秒幀數（FPS）相較於GDDR6和GDDR6X可提升超過30%。
 



GDDR7產品的推出，讓完美光的產品布局CPU、NPU和GPU元件的邊緣 AI 推理應用，提供 DDR、LPDDR 和 GDDR 記憶體選項。針對遊戲應用，美光GDDR7記憶體透過效能和幀緩衝區擴展，以可隨遊戲內容變換的場景、玩家和故事情節實現 AI 增強的遊戲體驗。
 



美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，透過採用先進製程和介面技術打造出最高頻寬的記憶體解決方案，再次引領記憶體產業創新，並維持在繪圖記憶體效能的領導地位。

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慧榮苟嘉章：AI帶動伺服器強大需求，NAND Flash價格下半年續漲

鈺創董事長盧超群指出，自家利基型記憶體DRAM陸續導入WiFi 7、機器人、汽車、智慧家庭等新應用領域，整體來看2024年下半年景氣會優於上半年，2025年會延續這股景氣回升力道，DRAM價格可望重回疫情前水平。
 



全球記憶體產業谷底翻身的軌跡，也是拜OpenAI帶動生成式AI狂潮之賜，新式HBM記憶體成為AI伺服器必備，吃掉越來越多DDR5的產能。再者，DDR5是PC主流規格，下半年起又有AI PC題材發酵，使得國際DRAM大廠需要不斷加大HBM、DDR5投片，陸續棄守DDR3、DDR4市場。利基型記憶體市場在此背景下，開始邁向供需平衡，待庫存消化後，產業會越來越健康。
 



盧超群表示，鈺創耕耘的不少新產品領域逐漸發酵，尤其網通相關的利基型記憶體產品一直是鈺創的重點佈局，占營收比重超過30%，鈺創提供完整的DRAM、SPI NAND Flash解決方案，滿足客戶從WiFi 5、WiFi 6/WiFi 6E、WiFi 7需要的規格與容量。
 



他進一步指出，鈺創的利基型記憶體產品線已經獲得WiFI主晶片供應商包括高通、博通、聯發科和瑞昱列入合格供應商清單 (Approved Vendor List，AVL)。並且，已經看到8Gb/4Gb的DDR4、4Gb DDR3導入印太和歐洲客戶的Wi-Fi 6E產品並進入量產，且在WiFi 7方面，8Gb/4Gb DDR4也獲得Wi-Fi 7晶片組供應商的清單認可，陸續向終端客戶提供樣品。
 



不單是網通，公司也指出，在汽車、智慧家電等業務上，日前都有回升跡象，像是汽車領域，鈺創的產品導入車子車載市場包括顯示器、娛樂系統、硬碟、數位音訊、行車記錄器等、環景系統、ADAS等。
 



智慧家電方面，鈺創的KGD和Discrete方案也導入像是智慧門鎖、全景相機、藍光DVD播放器、智慧音箱、掃地機器人等，未來期待更多邊緣AI商機落地。
 



展望未來，盧超群指出，2030 年全球由 AI 主導的經濟產值高達 80 兆美元，其中硬體僅佔40分之1，大概 2 兆美元，而半導體約0.5兆美元。台灣建立了半導體加異質整合的應用堡壘，一定會卡位到創新技術，就如同台灣過往在 PC、手機等，都抓到應用爆發的關鍵。
 



他也訂下目標，鈺創要在半導體0.5兆美元佔有一席之地，尤其懂邏輯的業者不一定懂記憶體，懂記憶體的不一定懂異質整合，鈺創因為掌握了邏輯IC和DRAM兩大技術，位居獨特地位，要利用異質整合技術的優勢，贏得AI時代的巨大商機。
 



再者，鈺創看好許許多利基型DRAM客戶在拿到產品後，需要額外找尋封裝和Controller IP服務，導致效能犧牲和成本墊高。因此，鈺創提出一站式開發服務「MemorAiLink」，提供多樣化的記憶體選擇，並提供完整的IP服務，實現高度複雜晶片設計並縮短產品上市時間。
 



盧超群解釋，要發揮鈺創在邏輯IC和記憶體兩邊的強項，MemorAiLink平台可讓記憶體與不同元件封裝整合，實現高度複雜的晶片設計及縮短產品上市時間，MemorAiLink平台率先推出異質整合晶片產品，切入影音擷取IC次系統市場，且現在客戶已經進入量產，可讓客戶產品多重訊號切換或融合，讓影音串流應用或商業模式提供更多可能性。

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中美貿易戰隨著美國宣布對電動車、半導體、鋰電池課徵高關稅而再度緊張。尤其，美國針對中國半導體的關稅提高到50%，將導致現在中國已經供過於求的成熟製程產能，未來過剩的情況更嚴重，因為採用中國成熟製程所生產的半導體產品，勢必因為高關稅而減少外銷。
 



因此，預計中國官方將祭出更多的政策與方案，來加大力度來推動國產化，可能是更多的補貼政策刺激國產化的速度前進。否則，這幾年中國瘋狂新建的成熟製程晶圓代工廠，產能過剩的情況將難以想像。
 



美國這次的大舉提高關稅，最大一刀是砍向電動車，關稅直接拉到100%，呼應特斯拉馬斯克所言「如果沒有貿易壁壘，世界上多數汽車企業都會被中企擊垮。」但目前比亞迪並未進軍美國，中國電動車在美國佔比不高，提高電動車關稅是在防範未來，要觀察的是歐盟會不會跟進針對中國電動車課高關稅，因為中國電動車在歐洲佔比很高。
 



美國關稅的第二大刀是對中國半導體出手，關稅從25%提高到50%，主要目的是降低美國對中國成熟製程產能的依賴。
 



美國手上有兩張牌「關稅」與「出口管制」，在先進製程上，美國拿出的是出口管制禁令，而在成熟製程上，則是拿出籌謀已經的關稅政策。
 



過去幾年美國已循序漸進透過限制設備與材料的進口，封鎖中國在14~16nm以下的先進製程的邏輯晶片製造。
 



後遺症是，中國開始往成熟製程領域來擴充產能，過去幾年加速購買機台設備，甚至是二手機台設備也搶購，中國半導體廠就是怕美國的禁令一步步逼近下，連成熟製程都被封鎖。
 

長期下來，演變成中國的成熟製程產能過剩，便宜的IC、廉價的產品逐漸外銷到全世界且極具競爭力，席捲全球，美國也因此有了警戒。
 



不過，對中國成熟製程發出限制令不是美國想做的，祭出高關稅的手段壓制，才是美國一直以來的計畫。
 



除了要阻擋中國低價產品輸出海外，晶片透過外銷產品滲透到所有電子產品之外，美國打得另一個算盤是，降低對中國製造的傳統晶片的依賴度，於是宣佈將半導體關稅提高到50%。未來將會產生四個影響：
 



第一，過去幾年來，歐美客戶原本委由中國半導體代工，在地緣政治的氣氛下，都逐漸將訂單轉出，首選當然是轉給台灣半導體廠代工，包括台積電、聯電、力積電、世界先進。像是，面板驅動IC原本是台灣的強項，後來中國不斷逼近追趕，一方面也是狹持其在面板上的優勢之故。
 



未來中國的晶圓代工廠會承接中國客戶訂單為主，形成一個世界，兩個系統。至於NAND Flash和DRAM記憶體產品，目前中國分別有長江存儲和合肥長鑫為供應商，未來也將以供給本土需求為主。
 



第二，中國會加速推展「國產化」，祭出更多政策來鼓勵國產化進程。
 



美國對中國半導體課徵50%關稅，就是衝著中國成熟製程產能而來，如果中國不加速去推國產化，使用國產IC，未來成熟製程供過於求的嚴重程度，會難以想像。總之，未來中國應該會加速「國產化」，以去除嚴重過剩的成熟製程產能。
 



第三，如果有想要外銷給美國市場的中國客戶，搞不好會選擇到非中國本土系統的晶圓代工廠投片，或是使用非中國製造的IC，不然半導體產品會被課徵50%關稅，估計消費型產品的機率最大。
 



第四，該趨勢發展下去，全世界電子相關產品會持續面臨成本上漲的挑戰。原本全球化運作的世界，現在分裂成兩個系統運作，自然會帶來成本上升。

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鈺創董事長盧超群出席力積電銅鑼12吋廠啟用儀式時對《SEMICONVoice》表示，AI廣泛使用的高頻寬記憶體HBM要堆疊8層、16層，售價高達300美元～600美元，這在半導體產業根本是天價，而且還一堆客戶都搶著要買。
 



盧超群進一步分析，現在HBM記憶體還在技術與良率的摸索期，良率瓶頸要完全打開至少要花上2～3年時間，因此HBM對傳統DRAM產能的排擠才剛開始而已。
 



重點是，現在三大DRAM廠都在搶著爭奪HBM巨大商機，每一家記憶體廠都想當HBM老大，根本沒有力氣去對付傳統DRAM，更是傾公司所有資源和最優秀的工程師都去做HBM，預期下半年利基型DRAM產業會供給量不足，價格一定會水漲船高。
 



DRAM業界人士更對《SEMICONVoice》透露，投產HBM記憶體不單有耗損wafer面積的問題，且HBM投產製程周期是DDR5的三倍之多，良率又還沒拉上來，現在HBM商機大爆發，但DRAM廠的生產和產能準備沒跟上腳步。
 



尤其，過去兩年記憶體廠財報出現鉅額虧損，因此都沒有積極擴增新產能，只是把原本減產的部分逐漸恢復正常生產，但這對於未來AI時代所需要用到的DRAM和NAND Flash產能根本不夠，現在又有HBM技術瓶頸，未來DRAM產能會十分緊俏。
 



或許你覺得現在終端需求還不好，但半導體產業鏈已經渡過漫長的庫存消化，等到PC、手機、伺服器的需求都恢復正常後，客戶和通路商開始會回補庫存，DRAM吃緊的問題會更加嚴重。
 



市調機構TrendForce也發布報告指出，在403地震前，原先預估第二季DRAM合約價會上漲約3～8%，而最新統計出來的數據是上修漲幅大漲至13～18%。
 



針對HBM排擠DRAM產能的程度，三星的HBM3e產品是採用1alpha製程節點，預計到2024年底將占用1alpha製程產能約60%，會排擠到DDR5供給量。尤其，第三季HBM3e進入生產放量的時間點，買方已經同意提前到第二季備貨，以防第三季HBM供應會出現短缺。
 



TrendForce也統計，HBM位元需求可望高度成長，2024年將成長近200%，2025年再進一步倍增。2024年HBM產值占DRAM比重將超過20%，2025年將有機會突破30%。
 



身為HBM龍頭的SK海力士也指出，DRAM產業需求確實之前較為疲弱，但下半年需求逐漸復甦，加上HBM會吃掉更多的產能，隨著越來越多DRAM產能挪移去生產HBM，傳統DRAM供應量勢必會減少，且慢慢地，供應鏈現有的庫存都會消化殆盡，看好DRAM後勢價格走勢。
 



SK海力士也宣布，2024年HBM產能全部售罄，2025年產能基本上也賣完，為了鞏固SK海力士在HBM領域的領先地位，計畫5月會推出12層堆疊的HBM3E樣品，規劃第三季進入量產。
 



更早前，美光也宣布2024年HBM產能全部售罄，2025年產能多數產能也都被預訂。HBM全球狂熱的程度，算是記憶體史上罕見！
 



SK海力士為了鞏固HBM技術的領先地位，也宣布最新世代堆疊16層的HBM3E技術研發進度，目標是2026年進入量產。據了解，相較12層的HBM，SK海力士的16層HBM以相同的高度堆疊更多DRAM晶粒（die），更關鍵的是能同步減少DRAM厚度，並防止出現晶圓翹曲（warpage），SK海力士為克服這些技術難題，從HBM2E開始就採用領先的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術，並且不斷進行改良。
 



在HBM大戰中，長年龍頭的三星居然成為SK海力士的手下敗將，日前傳出不服輸的三星，精挑細選集結了100名頂尖的工程師，組成一支HBM團隊，目的就是爭取Nvidia的HBM訂單，讓良率和品質能通過Nvidia的標準，進而一步步蠶食鯨吞SK海力士手上的訂單。
 



三星目前的重心是在全球首款36GB 12層堆疊HBM3E，相較堆疊8層的HBM產品，堆疊12層的HBM3E可讓AI學習速度提升34%。三星總裁兼執行長慶桂顯Kye Hyun Kyung指出：“第一回合輸了，但第二回合是非贏不可。”

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三星從2年前就規劃逐步要退出DDR3供應，市場傳出，原本計畫2024年底要針對DDR3做EOL（end-of-life）現在提前至2024年中停止生產DDR3，而SK海力士在DDR3晶片上的供應原本就不多，預計未來會更淡出DDR3供應之列。業界預期，DDR3提前退役，可望加速DDR3庫存消化，準備啟動另一番漲勢。
 



記憶體今年市況不錯，主要是2023年上游原廠虧損嚴重，開始從源頭控盤拉抬價格，這招式是千年不變，萬年受用！NAND Flash和DRAM產業也在這一輪的景氣循環中，正大光明地走出谷底，等待終端需求大力添加柴火。
 



這一波DRAM產業有兩個題材，一是AI需要的高頻寬記憶體HBM對於DDR5的排擠效應，且HBM真的吃掉很多記憶體的Wafer產能; 第二是韓系國際記憶體大廠年底前要陸續退出DDR3的生產之列。
 



兩大韓廠三星、SK海力士要退出DDR3生產已經規劃許久，日前傳出最大供應商三星原本是計劃年底前停止生產，基於產能配置，提前到2024年中停止生產DDR3，SK海力士原本的DDR3供應數量就很少，逐步淡出符合預期規劃，這對於台灣DRAM相關廠商是好消息。
 



HBM在AI時代成為要角，記憶體產業主軸是“排擠”。

首先，HBM是SK海力士的翻身之作，未來在技術、產能、資源分配上，無論是SK海力士、三星或美光，絕對是全力搶占HBM市佔率，AI才是未來主角。因此，這些大廠不可能會有太多產能給傳統的DRAM，HBM對DDR5產能的排擠，恐怕剛開始而已。除非，你覺得AI是泡沫，是曇花一現，你覺得ChatGPT很快會消失。
 



業界分析，HBM生產週期包含TSV封裝，比DDR5的生產週期至少多出1.5個月，HBM3E的Wafer面積更是DDR5的三倍大。假如投片16Gb DDR5顆粒，每片Wafer的Gross die是1800顆，同樣的Wafer拿去生產HBM3E，搞不好只剩下600顆。
 



DRAM廠為了解決HBM瓶頸且拉升良率，只會有越來越多的DRAM產能轉移到HBM身上。有消息指出，HBM平均良率約在65%左右，但業界認為實際的良率其實更低。而且，HBM一旦有一個晶片有缺陷，整個封裝都不能用。另外，HBM的生命週期又比傳統DRAM短。
 



美光執行長Sanjay Mehrotra 曾表示，HBM因為包含了邏輯控制晶片，加上更複雜的封裝堆疊，且生產HBM過程會很大幅度影響良率，因此生產HBM3和HBM3E會吃掉很大部分的DRAM Wafer供應。
 



輝達Nvidia執行長黃仁勳也指出，HBM是技術奇蹟，它的技術非常複雜，但能提高AI效能，附加價值非常高，他非常重視與SK 海力士、三星在HBM記憶體上的合作關係。
 



全球市場中，HBM市佔率最高的是SK海力士，其次是三星，兩者合計應該有占90%市場，美光排名第三。
 



目前，SK 海力士的 HBM3E已經量產，輝達Nvidia絕對是優先出貨的重要客戶。
 



三星的8層HBM3E在量產時程上微幅落後，外傳，三星HBM3的良率只有10~20%，但SK海力士的HBM3良率卻已來到60~70%。幸好，三星最終仍是拿下輝達H200訂單。三星也強調自己將會推出業界首款12層HBM3E，是目前容量最高HBM產品，預計會很快量產。

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