連于慧 2024/12/18
AI和非AI造成全球科技產業極度懸殊的貧富差距，也反映在記憶體產業上！ 傳統DRAM和NAND Flash乏人問津，高頻寬記憶體HBM卻是洛陽紙貴，原本在該領域腳步一直落後的台系記憶體廠，也決定高調出招！ 南亞科董事會宣布參與DRAM IC設計公司補丁科技的現金增資，以總投資額不超過新台幣6.6億元，現增後取得補丁38%股權。據了解，雙方要一起開發類HBM技術。
補丁科技是何方神聖？ 補丁科技原本就是南亞科的子公司，由丁達剛創立。最早期，丁達剛曾在英特爾、貝爾實驗室工作，1990年代回台灣後，次微米計畫發展DRAM技術時，由美國回來的盧超群、丁達剛、趙瑚、毛敘、陳冠中等人一同實現了自有DRAM技術的量產，之後更是創立了鈺創科技，而基於微米計畫發展的DRAM自有技術也在1994年成立世界先進，當時世界先進就是做DRAM自有技術，一直到2004年才轉型為晶圓代工至今。丁達剛在鈺創成立初期擔任過IC設計副總，也在南亞科工作過，後來成立補丁科技至今，一直是從事DRAM IC設計領域。
補丁科技研發的高頻寬記憶體為HBLL-RAM，立體堆疊記憶體的技術做法和華邦的Cube、力積電/愛普的解決方案類似，都是不需要用到台積電的CoWoS封裝技術。
在應用市場面上，台積電、SK海力士、三星、美光的HBM＋CoWoS封裝是鎖定雲端資料中心伺服器，而南亞科/補丁、華邦、力積電/愛普的解決方案比較偏向鎖定邊緣Edge AI領域，訴求是運算高性能AI計算時，能耗非常低。
據了解，南亞科以10nm DRAM製程和補丁科技一起針對客製化高頻寬記憶體的合作，是要一起開發第二代的HBLL 2。業界人士分析，南亞科內部一直有開發設計這種客製化類HBM技術的團隊，只是一直沒有浮上檯面，這次公開與補丁科技攜手，可能是南亞科內部的類HBM技術開發團隊進度還未成熟，同時補丁科技此時也有資金需求，因此雙方決定一起開發類HBM技術，希望能加速AI應用技術的突破。
記憶體廠佈局AI領域是一道不能迴避的必考題。但是，如果直接去挑戰HBM技術，等同是和美光、SK海力士、三星這幾家DRAM大廠競爭雲端資料中心市場，其技術門檻之高，需要投入資金之龐大，對於台灣記憶體廠而言，完全不實際，更何況三星這樣的強勢競爭者都可以屢屢受挫。
如何做出類似傳統HBM，但可以不需要用到2.5D/3D封裝技術，繞開台積電的CoWoS封裝技術，是台灣記憶體廠商正在做的解決方案。更重要的是，台記憶體廠這樣做法不需要最先進製程的技術，只需要用成熟的半導體技術就可以實現，差別在於容量密度和耗電，特別適合用在邊緣AI領域。這種類HBM的做法，也比傳統且真正的HBM記憶體便宜非常多，台廠也能利用高性價比的優勢，來創造出一些客製化和特殊需求的市場，來開創藍海。