半導體
力積電：DRAM吃緊到明年上半，邏輯面臨關稅與消費旺季不旺的挑戰
連于慧 2025.10.21
力積電在今日召開法人說明會中指出，受惠AI熱潮的高頻寬記憶體HBM產能排擠，DRAM至少吃緊到2026年上半，但邏輯晶片面臨挑戰較多，包括關稅未定，以及中國十一長假對消費性電子的採購力道未出現，以及中國廠商也看淡雙十一購物節，備貨並不積極。另外在歐美市場上，美國取消小額包裹免稅的政策，以及中國電動車持續擴張壓縮歐美日汽車產業，面臨低產能利用率、裁員等問題。一句話總結：記憶體強、邏輯弱（只有台積電的邏輯先進製程強勁）。
力積電2025年第三季虧損縮小，單季每股虧損0.65元，產能利用率比第二季75%提升，來到78%，主要是受惠記憶體產品價格上揚，展望第四季產能利用率，預計和第三季差不多，主因是記憶體的產能利用率已達滿載，但邏輯產品目前仍處於較為低迷的現狀。
近期DRAM價格大漲，力積電看好DRAM在AI需求帶動的HBM產能排擠之下，會持續吃緊到2026年上半，下半年目前還看不到。在SLC NAND產品上，受惠韓系兩大記憶體廠三星、SK海力士減產效應，第三季價格谷底翻揚，整個市場的熱度大大提升，不過SLC NAND的市場主要是標案為主，因此在這塊的需求上沒有太大拉貨的跡象，也沒有殺手級應用。NOR Flash方面，隨著物聯網應用對於低功耗記憶體需求增加，NOR Flash價格也持續上揚。
邏輯製程方面，中國十一長假期間，主要是刺激旅遊需求，對於消費性電子產品採購力道並未出現，因此在長假後，當地面板廠普遍控產，使得產能利用率下降，使得面板驅動IC的客戶需求較為疲弱，電源管理IC則是需求相對穩健。手機需求方面，整個市場呈現兩極化表現，高階機種刺激需求，但中低階仍是買氣疲弱。即將來臨的雙11購物節，中國廠商的備貨也明顯偏保守。
全球的汽車市場也面臨供應鏈重組壓力，主要是中國電動車品牌持續擴張，歐美日的汽車品牌受到衝擊不小，歐洲整體車廠產能利用率僅約55％，Bosch更在9月底宣布裁員1.3萬人。
力積電也提到，AI時代除了讓高頻寬記憶體HBM引領風騷之外，高頻寬快閃記憶體HBF（High Bandwidth Flash）未來也會是一大亮點。
HBF與HBM類似，都是透過矽穿孔TSV將多層晶片堆疊連接，與GPU做整合，差別在於HBM是堆連結DRAM晶片，HBF是堆疊連結NAND Flash晶片，可以因應AI時代需要生成巨量文字圖片，甚至是影片，需要非常龐大的記憶體容量。
HBF是由SanDisk提出，結合HBM高頻寬的特性和Flash非揮發性和大容量的優勢，將多層 NAND dies 堆疊，Layer 之間使用矽穿孔TSV連接，底部有logic die或 I/O die，可以直接透過High-Bandwidth 通道介面連接GPU或ASIC ，減少傳統SS透過=PCl的延遲與頻寬瓶頸。