鈺創董事長盧超群出席力積電銅鑼12吋廠啟用儀式時對《SEMICONVoice》表示，AI廣泛使用的高頻寬記憶體HBM要堆疊8層、16層，售價高達300美元～600美元，這在半導體產業根本是天價，而且還一堆客戶都搶著要買。
盧超群進一步分析，現在HBM記憶體還在技術與良率的摸索期，良率瓶頸要完全打開至少要花上2～3年時間，因此HBM對傳統DRAM產能的排擠才剛開始而已。
重點是，現在三大DRAM廠都在搶著爭奪HBM巨大商機，每一家記憶體廠都想當HBM老大，根本沒有力氣去對付傳統DRAM，更是傾公司所有資源和最優秀的工程師都去做HBM，預期下半年利基型DRAM產業會供給量不足，價格一定會水漲船高。
DRAM業界人士更對《SEMICONVoice》透露，投產HBM記憶體不單有耗損wafer面積的問題，且HBM投產製程周期是DDR5的三倍之多，良率又還沒拉上來，現在HBM商機大爆發，但DRAM廠的生產和產能準備沒跟上腳步。
尤其，過去兩年記憶體廠財報出現鉅額虧損，因此都沒有積極擴增新產能，只是把原本減產的部分逐漸恢復正常生產，但這對於未來AI時代所需要用到的DRAM和NAND Flash產能根本不夠，現在又有HBM技術瓶頸，未來DRAM產能會十分緊俏。
或許你覺得現在終端需求還不好，但半導體產業鏈已經渡過漫長的庫存消化，等到PC、手機、伺服器的需求都恢復正常後，客戶和通路商開始會回補庫存，DRAM吃緊的問題會更加嚴重。
市調機構TrendForce也發布報告指出，在403地震前，原先預估第二季DRAM合約價會上漲約3～8%，而最新統計出來的數據是上修漲幅大漲至13～18%。
針對HBM排擠DRAM產能的程度，三星的HBM3e產品是採用1alpha製程節點，預計到2024年底將占用1alpha製程產能約60%，會排擠到DDR5供給量。尤其，第三季HBM3e進入生產放量的時間點，買方已經同意提前到第二季備貨，以防第三季HBM供應會出現短缺。
TrendForce也統計，HBM位元需求可望高度成長，2024年將成長近200%，2025年再進一步倍增。2024年HBM產值占DRAM比重將超過20%，2025年將有機會突破30%。
身為HBM龍頭的SK海力士也指出，DRAM產業需求確實之前較為疲弱，但下半年需求逐漸復甦，加上HBM會吃掉更多的產能，隨著越來越多DRAM產能挪移去生產HBM，傳統DRAM供應量勢必會減少，且慢慢地，供應鏈現有的庫存都會消化殆盡，看好DRAM後勢價格走勢。
SK海力士也宣布，2024年HBM產能全部售罄，2025年產能基本上也賣完，為了鞏固SK海力士在HBM領域的領先地位，計畫5月會推出12層堆疊的HBM3E樣品，規劃第三季進入量產。
更早前，美光也宣布2024年HBM產能全部售罄，2025年產能多數產能也都被預訂。HBM全球狂熱的程度，算是記憶體史上罕見！
SK海力士為了鞏固HBM技術的領先地位，也宣布最新世代堆疊16層的HBM3E技術研發進度，目標是2026年進入量產。據了解，相較12層的HBM，SK海力士的16層HBM以相同的高度堆疊更多DRAM晶粒（die），更關鍵的是能同步減少DRAM厚度，並防止出現晶圓翹曲（warpage），SK海力士為克服這些技術難題，從HBM2E開始就採用領先的MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）技術，並且不斷進行改良。
在HBM大戰中，長年龍頭的三星居然成為SK海力士的手下敗將，日前傳出不服輸的三星，精挑細選集結了100名頂尖的工程師，組成一支HBM團隊，目的就是爭取Nvidia的HBM訂單，讓良率和品質能通過Nvidia的標準，進而一步步蠶食鯨吞SK海力士手上的訂單。
三星目前的重心是在全球首款36GB 12層堆疊HBM3E，相較堆疊8層的HBM產品，堆疊12層的HBM3E可讓AI學習速度提升34%。三星總裁兼執行長慶桂顯Kye Hyun Kyung指出：“第一回合輸了，但第二回合是非贏不可。”
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