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連于慧 2024/11.12

中國記憶體廠長鑫存儲近日來傳出合肥晶圓廠因為人為疏失，導致出現上數萬片晶圓報廢事件，甚至該工廠的廠長遭到撤換。據悉，該名長鑫合肥廠的高管是之前台積電上海松江廠的廠長，當年甚至從台積電位於上海松江8寸和南京12寸晶圓廠帶兵百人投靠長鑫存儲。業內認為，原本整個PC、手機、消費性產品市場的終端需求原本就極為疲弱，如果該事件導致有不良品低價賣到市場，恐進一步壓抑DRAM價格。
 

在生成式AI需求爆炸性帶動下，全球記憶體的光芒都集中在高頻寬記憶體HBM身上，更成為SK海力士、美光、三星競技戰場，反而是傳統DRAM和快閃記憶體NAND Flash，因為PC、手機、消費性電子、車用等需求疲軟，一直乏人問津，今年以來的價格走勢更是疲軟。原本市場期待HBM在量產和拉升良率的過程中，因為大量消耗wafer，大幅排擠DDR5的產能，帶動價格攀升，但實則效果有限，再加上DDR4和DDR3庫存問題，實在很難看到DRAM市場何時才能走出谷底。
 

中國記憶體廠的大舉擴增產能動作，一直被視為是未來DRAM和NAND Flash市場供需的一大變數。沒想到，近日卻傳出長鑫存儲的合肥廠出現晶圓報廢事件。原本業界認為，隨著美國出口管制一年年趨嚴，中國半導體持續加速設備和材料進入快速國產化階段，在過程中出現良率損失或影響晶圓廠運行效率的狀況，其實是不令人意外。因此，原本各界認為這次長鑫合肥廠的失誤，可能與導入國產化的材料或設備有關。不過，根據供應鏈人士指出，這事件應該是人為失誤，因此出現有高管被撤換。
 

據了解，長鑫存儲的DRAM月產能約20萬片，將逐步朝月產能30萬片邁進，主要產品除了原有的DDR4和LPDDR4，也開始跨入DDR5、LPDDR5X，並且計劃跨入HBM記憶體，傳出已購入半導體設備將發展堆疊8層的HBM2。由於長鑫存儲主要產品在利基型DRAM晶片上，隨著產能不斷擴大，首當其衝影響的會是台廠南亞科和華邦電。在需求疲弱、供給增加的雙重壓力下，DRAM價格也確實一直被壓抑。
 

長鑫存儲成立於2016年，與長江存儲同年成立，當年度美光併購台系DRAM合資廠華亞科（南亞科和德商英飛凌合資），全球DRAM產業陷入一陣大整頓，於是出現華亞科的300~400名工程師被長鑫和長江存儲挖角到中國工作，當時因為長鑫的合肥晶圓廠建設速度比較快，華亞科的工程師主要都被長鑫存儲挖走，當時傳出薪水是台灣薪資的三倍起跳。
 

幾年後，長鑫存儲的台灣籍員工已經離職一大部分，大多數都讓本地員工取代。據悉，長鑫在台籍員工多數離職後，從台積電上海松江廠和南京廠挖角上百名工程師。這次報廢事件遭到撤換的合肥廠長，當年就是從台積電上海松江廠跳槽去長鑫工作。
 

長鑫存儲目前產能超過20萬片，除了合肥廠，也有北京廠，今年以來更增加上海廠，據了解上海廠會從前段做到後段一條龍統包。同時，長鑫存儲也將跨入AI領域的主戰場HBM記憶體，從HBM2切入。
 

半導體業界對於中國切入自主HBM開發並不意外。因為，一直傳言美國出口管制禁令的重點，會是在中國的HBM。這次台積電的7奈米製程先被美國商務部口頭要求部分審查，應該是因為華為白手套事件的突發狀況因此『插隊』。不然，下一輪科技戰的主戰場會是在HBM。
 

業內人士透露，對於美國出口管制鎖定HBM一事，最緊張的是三星，因為SK海力士的HBM主要都供應給Nvidia，美光也成功獲得Nvidia認證，一直到明後年出貨配合的數量都會放大。
 

相較起來，三星對於中國市場的依賴度最高，仍有一定比重的HBM是供應給中國數據中心的客戶，如果接下來HBM輸中被列入出口管制，對三星衝擊最大。因此傳出三星一直在遊說美方放寬HBM出口管制的範圍，例如只管制HBM3以上，但就規格的HBM2以下希望能放行。

連于慧 2024/10/3

中國資本市場上半年狀況不佳，為了避免市場信心崩盤，上海、深圳、北京三大交易所幾乎是取消了所有IPO申請，直到進入下半年，各大交易所才再次重新受理企業IPO。
 



2024年下半，上交所受理的第一個IPO項目，是一家意義上具有重量等級的公司—武漢新芯，其背後代表的是中國NAND Flash大廠長江存儲，同時武漢新芯也正在開發人工智能AI相關的記憶體HBM技術。
 



武漢新芯究竟是何方神聖？ 它是一家三維整合、特色存儲的晶圓代工廠，也有與台系記憶體廠NOR Flash旺宏、華邦相同的SPI NOR Flash產品線，而武漢新芯背後更重要的身份和意義，是中國NAND Flash大廠長江存儲持股68%的子公司。
 



武漢新芯這次的IPO預計募資48億人民幣，這金額不算太高。不過，業界仍將武漢新芯的IPO計劃，視為未來長江存儲的「血庫」之一，因為長江存儲本身要上市有一定難度，但身上又背負NAND Flash芯片國產化的目標，需要擴大NAND Flash產能。
 



武漢新芯前身成立於2006年，最早是中芯國際與武漢政府合作成立，由武漢政府出資成立12吋半導體生產線，製程為65nm～40nm，委由中芯國際代管，於2008年9月正式投產，主要是生產中芯為美國NOR Flash大廠飛索Spansion代工的訂單，以65nm製程技術生產。
 



2008年金融海嘯期間，由於飛索Spansion訂單劇減，武漢新芯陷入嚴重虧損，導致武漢政府想要出售股權。
 



當時，美光積極接洽欲入股武漢新芯，甚至傳出台積電也參與武漢新芯股權的洽談。只是到了最後，中方希望該半導體廠的主導權能維持在中方手上，發一場業界稱為「武漢保衛戰」之役，最後成功由中芯國際注資，並持續保有武漢新芯主導權。
 



中芯國際與武漢新芯的合作到2013年正式結束，由武漢政府接手。期間，新芯也曾和飛索合作3D NAND技術研發，以及與豪威OmniVision（被韋爾半導體收購）合作開發3D IC技術，奠定日後朝3D堆疊發展的根基。
 



長江存儲是一家成立於2016年的NAND Flash半導體公司，雖然成立的時間晚於武漢新芯，但長江存儲成立後，武漢新芯遂變成其旗下轉投資公司，目前長存對武芯持股約68%。
 



2019年長江存儲發表獨家的Xtacking技術，將邏輯與記憶體晶片片做堆疊，以規避既有國際記憶體大廠的專利，該Xtacking技術就是源自於武漢新芯的3D IC技術根基來開發。
 



除此之外，武漢新芯有兩個值得關注的背景。第一，其目前的法定代表人是楊士寧。他過去曾任新加坡特許半導體的CEO、中芯國際COO，同時也曾任長江存儲CEO，之後因為其美籍身份，長江存儲被美國商務部關注後，楊逐漸從長江存儲退下，轉去掌舵武漢新芯。
 



第二，武漢新芯傳出建設12吋的HBM記憶體廠，開始購入HBM技術相關設備，初期月產能為3000片。
 



眾所周知，HBM為技術門檻十分高，目前技術以SK海力士為首，三星和美光極力追趕，HBM記憶體更是AI的敲門磚，武漢新芯作為長江存儲旗下的子公司，也極力參與HBM技術開發、設備採購，以及生產線打造，自然引人注目。







 




根據武漢新芯IPO招股書，是一家具特色工藝晶圓代工企業，聚焦於特色存儲、數模混合和三維整合等業務領域，可提供基於多種技術節點、不同工藝平台的各類半導體產品晶圓代工。
 



2023年營收比重中，晶圓代工佔67%、自有品牌佔16%。以技術平台劃分，特色存儲佔67.7%、數模混合佔20.26%、三維整合佔4.54%。招股書中指出，公司多項技術及產品已廣泛應用於汽車電子、工業控制、消費性電子、電腦等下游領域。
 

 
中美貿易戰隨著美國宣布對電動車、半導體、鋰電池課徵高關稅而再度緊張。尤其，美國針對中國半導體的關稅提高到50%，將導致現在中國已經供過於求的成熟製程產能，未來過剩的情況更嚴重，因為採用中國成熟製程所生產的半導體產品，勢必因為高關稅而減少外銷。
 



因此，預計中國官方將祭出更多的政策與方案，來加大力度來推動國產化，可能是更多的補貼政策刺激國產化的速度前進。否則，這幾年中國瘋狂新建的成熟製程晶圓代工廠，產能過剩的情況將難以想像。
 



美國這次的大舉提高關稅，最大一刀是砍向電動車，關稅直接拉到100%，呼應特斯拉馬斯克所言「如果沒有貿易壁壘，世界上多數汽車企業都會被中企擊垮。」但目前比亞迪並未進軍美國，中國電動車在美國佔比不高，提高電動車關稅是在防範未來，要觀察的是歐盟會不會跟進針對中國電動車課高關稅，因為中國電動車在歐洲佔比很高。
 



美國關稅的第二大刀是對中國半導體出手，關稅從25%提高到50%，主要目的是降低美國對中國成熟製程產能的依賴。
 



美國手上有兩張牌「關稅」與「出口管制」，在先進製程上，美國拿出的是出口管制禁令，而在成熟製程上，則是拿出籌謀已經的關稅政策。
 



過去幾年美國已循序漸進透過限制設備與材料的進口，封鎖中國在14~16nm以下的先進製程的邏輯晶片製造。
 



後遺症是，中國開始往成熟製程領域來擴充產能，過去幾年加速購買機台設備，甚至是二手機台設備也搶購，中國半導體廠就是怕美國的禁令一步步逼近下，連成熟製程都被封鎖。
 

長期下來，演變成中國的成熟製程產能過剩，便宜的IC、廉價的產品逐漸外銷到全世界且極具競爭力，席捲全球，美國也因此有了警戒。
 



不過，對中國成熟製程發出限制令不是美國想做的，祭出高關稅的手段壓制，才是美國一直以來的計畫。
 



除了要阻擋中國低價產品輸出海外，晶片透過外銷產品滲透到所有電子產品之外，美國打得另一個算盤是，降低對中國製造的傳統晶片的依賴度，於是宣佈將半導體關稅提高到50%。未來將會產生四個影響：
 



第一，過去幾年來，歐美客戶原本委由中國半導體代工，在地緣政治的氣氛下，都逐漸將訂單轉出，首選當然是轉給台灣半導體廠代工，包括台積電、聯電、力積電、世界先進。像是，面板驅動IC原本是台灣的強項，後來中國不斷逼近追趕，一方面也是狹持其在面板上的優勢之故。
 



未來中國的晶圓代工廠會承接中國客戶訂單為主，形成一個世界，兩個系統。至於NAND Flash和DRAM記憶體產品，目前中國分別有長江存儲和合肥長鑫為供應商，未來也將以供給本土需求為主。
 



第二，中國會加速推展「國產化」，祭出更多政策來鼓勵國產化進程。
 



美國對中國半導體課徵50%關稅，就是衝著中國成熟製程產能而來，如果中國不加速去推國產化，使用國產IC，未來成熟製程供過於求的嚴重程度，會難以想像。總之，未來中國應該會加速「國產化」，以去除嚴重過剩的成熟製程產能。
 



第三，如果有想要外銷給美國市場的中國客戶，搞不好會選擇到非中國本土系統的晶圓代工廠投片，或是使用非中國製造的IC，不然半導體產品會被課徵50%關稅，估計消費型產品的機率最大。
 



第四，該趨勢發展下去，全世界電子相關產品會持續面臨成本上漲的挑戰。原本全球化運作的世界，現在分裂成兩個系統運作，自然會帶來成本上升。

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長江儲存董事長陳南翔指出，過去50年半導體產業蓬勃發展，全球化的合作功不可沒，展望2030年全球半導體產業規模將達一兆美元，但現在面臨地緣政治和國家安全帶來的強大不 確定性，未來是否還能達到此目標預期，是有問號的。
 

再者，他也在演講結尾呼籲：請建設誠信和公平原則，假設長江存儲依法合規買的設備拿不到或是無法使用，可以設一個時間內，把設備在新的條件下回購， 這樣才公平。



台積電創辦人張忠謀說：“全球化已死”，有人說這是“再全球化”。 陳南翔表示，他個人同意張忠謀的說法，全球化確實死了。
 

不過，陳南翔也針對「再全球化」的觀點，做了一些思考與分享，他用三個緯度來判斷「再全球化」：當企業在進行中長期發展規劃時，是否具備足夠的系統性、 一致性，以及持續性，這是衡量「在全球化」是否能達成的重要指標。



他分享，過去，促進產業繁榮的全球化離不開和諧五要素：市場與競爭、創新與技術標準、供應鏈、人才流動、資源分配。
 

這當中，要特別說明一個點是，過去半導體的全球化主要驅動力是市場化和商業化思維，創造出全球化＋在地化優勢，帶來商業最大化。 但在地緣政治思考、國家安全思考下，去風險化、抑制他人發展等，都把過去和諧的要素都打破。



陳南翔指出，全球化市場對促進產業發展很重要，全球化的創新和標準像是60年代IBM發明DRAM，發揚光大是在韓國，這些發明和創新不屬於任何一個企業或國家，而是任何一個企業或 國家對全球產業鏈價值的貢獻。
 

手機是全球全球化、標準化最極致的展現。 他分享，15年前出差去日本要配另一支專門手機，去其他國家充電器也要另外帶，現在手機已經是全球標準了，給全球消費者最大的效率和便利性。



全球化供應鏈直接參與者有25個國家，間接參與23個國家，相當接近50個國家參與全球化體系，形成「我當中有你，你中有我」。
 

針對全球人才流動中，許多國家推出許多限制措施，防止自己產業人才流失。 另外，在全球化的資源配置方面，中國在高品質發展下，大量外企在中國設廠，以及中國企業到海外作收購佈局，也是全球化資源配置。



只是，這幾年全球化資源配置也被打亂。 疫情後，美國資源配置增加了新加波、馬來西亞、印度、越南等，這些國家都不是傳統的半導體產業重鎮，這當中反應了對當今半導體產業的國家安全思考的結果。