半導體
三星3D NAND堆疊至400層以上,傳出將使用長江存儲Xtacking技術專利
連于慧 2025/2/25
傳出三星電子在400層的第10代3D NAND(V10)將使用中國3D NAND廠商長江存儲的Xtacking專利,尤其是「混合鍵合」封裝技術中的W2W(Wafer-to-Wafer)。長江存儲的Xtacking專利特性,是將記憶體晶片和邏輯晶片分別製造後,利用特殊的混合鍵合技術將兩者黏合在一起。 對於雙方針對該專利授權協議的消息,我們求證三星電子,公司表示「無法確認。」
三星電子目前在記憶體領域的現狀,不單是AI上使用的高頻寬記憶體HBM落後SK海力士,在企業等級的SSD技術上,也處於追趕狀態。因此,十分可以理解三星亟欲突破現狀,朝著重拾記憶體龍頭目標前進。
三星目前的NAND技術為第九代的286層3D NAND(V9),先前就傳出三星為了追趕競爭對手,將跳過300層的3D NAND技術,直接朝400層的3D NAND技術前進,推出時間點約莫在2026年。
三星從V10開始就傳出可能會採用鍵合技術。主要是因為目前的NAND是在晶圓上配置控制電路(Peripheral),再向上堆疊記憶體單元(cell),但隨著cell堆疊層數增加後,會導底部的控制電路Peripheral承壓過大而受損。因此,三星打算先堆疊cell,再接合peri,也就是把兩個分開做,然後再用混合鍵合方式接合在一起。而這樣的方式就是多年前長江存儲推出的Xtacking技術,因此這次傳出三星與長江存儲就這方面的專利合作,業界其實不意外。
SK海力士先前也傳出要在2025年開發400層以上的3D NAND技術,並且協同設備商、材料商共同研發,業界認為,當3D NAND堆疊到400層以上,都必須採用混合鍵合技術中的晶圓對晶圓(W2W)技術,將兩片晶圓直接黏合,如此才能讓高層數穩定,且不會損失太多良率。SK海力士先前量產238層3D NAND,日前更宣布量產321層,再次提升SSD儲存密度,非常適合用在資料中心等。
傳出三星電子在400層的第10代3D NAND(V10)將使用中國3D NAND廠商長江存儲的Xtacking專利,尤其是「混合鍵合」封裝技術中的W2W(Wafer-to-Wafer)。長江存儲的Xtacking專利特性,是將記憶體晶片和邏輯晶片分別製造後,利用特殊的混合鍵合技術將兩者黏合在一起。 對於雙方針對該專利授權協議的消息,我們求證三星電子,公司表示「無法確認。」
三星電子目前在記憶體領域的現狀,不單是AI上使用的高頻寬記憶體HBM落後SK海力士,在企業等級的SSD技術上,也處於追趕狀態。因此,十分可以理解三星亟欲突破現狀,朝著重拾記憶體龍頭目標前進。
三星目前的NAND技術為第九代的286層3D NAND(V9),先前就傳出三星為了追趕競爭對手,將跳過300層的3D NAND技術,直接朝400層的3D NAND技術前進,推出時間點約莫在2026年。
三星從V10開始就傳出可能會採用鍵合技術。主要是因為目前的NAND是在晶圓上配置控制電路(Peripheral),再向上堆疊記憶體單元(cell),但隨著cell堆疊層數增加後,會導底部的控制電路Peripheral承壓過大而受損。因此,三星打算先堆疊cell,再接合peri,也就是把兩個分開做,然後再用混合鍵合方式接合在一起。而這樣的方式就是多年前長江存儲推出的Xtacking技術,因此這次傳出三星與長江存儲就這方面的專利合作,業界其實不意外。
SK海力士先前也傳出要在2025年開發400層以上的3D NAND技術,並且協同設備商、材料商共同研發,業界認為,當3D NAND堆疊到400層以上,都必須採用混合鍵合技術中的晶圓對晶圓(W2W)技術,將兩片晶圓直接黏合,如此才能讓高層數穩定,且不會損失太多良率。SK海力士先前量產238層3D NAND,日前更宣布量產321層,再次提升SSD儲存密度,非常適合用在資料中心等。