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2024年COMPUTEX創下史上空前盛況，加上Nvidia黃仁勳帶動的“逛夜市”風潮，台灣成為全世界最閃亮的地方。Nvidia於COMPUTEX期間舉行的全球媒體記者會中，第一個被提出的問題居然是與AI息息相關的HBM記憶體，在盛況空前的COMPUTEX舉行當下，國際記憶體大廠的HBM武力佈局完全沒有鬆懈的一刻！
 



美光Micron在COMPUTEX期間舉行了一場新技術發佈會，宣布推出GDDR7繪圖記憶體，採用美光1-beta技術。不過，在場媒體最關心的話題，仍是HBM！ 連美光主管在當天主軸是GDDR7的聯訪記者會開到最後，都開玩笑表示：“還有任何關於HBM的問題嗎？”
 



HBM技術非常複雜，要做十幾、二十層的堆疊，技術門檻非常高。但是，如果沒有HBM記憶體，GPU也無用武之地，AI商機也是海市蜃樓。
 



美光的HBM記憶體將在台灣和日本兩地生產。事實上，美光有60%的DRAM產能放在台灣生產，1-Beta 製程已在台灣廠房進入量產，預計2025年會在台灣引入EUV機台來生產1γ（Gamma）製程DRAM晶片。在日本廣島廠方面，美光也會引入EUV機台，在2025年生產1γ(Gamma) DRAM。
 



美光2024年已經宣佈24GB的HBM3E記憶體正式量產，採用1-Beta 製程技術，獲得Nvidia的H200 GPU採用，預計2024年第二季開始出貨，第三季放量。同時，美光也宣布推出12 層堆疊的36GB HBM3E樣品。
 



美光看好到了2025年HBM3E的市占率將可望上升到20~25%，與美光在全球DRAM市佔率相當。HBM市佔率的提升，背後象徵兩大意義，一是技術上站穩腳步，二是產能要能跟上腳步。另外，H200的採用也是一大助力。
 



美光在HBM上急起直追，以及強大的企圖心，看在日前傳出HBM產品不順、出現過熱且未通過Nvidia認證的三星的眼裡，勢必是著急不已。
 



接下來，來談一天COMPUTEX當天美光的技術發佈會的重點。
 



美光次世代GDDR7繪圖記憶體已正式送樣，採用美光1β (1-beta) DRAM技術和創新架構，最高速度達每秒32 Gb，系統頻寬提升至1.5 TB/s以上，頻寬相較前一代美光GDDR6高出60%。
 



相比前一代GDDR6，美光GDDR7的能源效率亦提升超過50%，有效改善散熱問題並延長電池壽命。GDDR7新的睡眠模式可降低系統待機功耗最高達70%。
 



美光GDDR7擁有四個獨立通道，最佳化工作負載與更快的回應速度、更流暢的遊戲體驗並顯著縮短處理時間。
 



美光預計，採用GDDR7製作的顯示卡在1080p、1440p和4K解析度下的光線追蹤和光柵化每秒幀數（FPS）相較於GDDR6和GDDR6X可提升超過30%。
 



GDDR7產品的推出，讓完美光的產品布局CPU、NPU和GPU元件的邊緣 AI 推理應用，提供 DDR、LPDDR 和 GDDR 記憶體選項。針對遊戲應用，美光GDDR7記憶體透過效能和幀緩衝區擴展，以可隨遊戲內容變換的場景、玩家和故事情節實現 AI 增強的遊戲體驗。
 



美光副總裁暨運算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示，透過採用先進製程和介面技術打造出最高頻寬的記憶體解決方案，再次引領記憶體產業創新，並維持在繪圖記憶體效能的領導地位。

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台積電今日舉行2024年股東會，這是是劉德音作為台積電董事長的最後一“Show”。劉德音誠摯表示：“感謝台積電的經營團隊，給予最高敬意，未來一定能帶領公司走向更高層次。”
 



在今日股東會中，劉德音針對現場小股東許多提問均一一回覆。更重要的是，伴隨著“魏哲家時代”的來臨，他是台積電在創辦人張忠謀之後，再度出現的一位同時集Chairman與CEO權力於一身的新領導者。
 



半導體業界都知道，魏哲家是生性幽默且能言善道，一開口妙語如珠，非常受客戶歡迎，但他在上任台積電總裁這幾年，鮮少單獨接受媒體採訪。他能言，但非常低調。
 



今日股東會後，也是他上任台積電董事長兼總裁後，第一次與媒體暢談將近一小時，所有問題通通接招，來者不拒。他笑臉說：“有了這個位子，就要把該做的事情做好！”
 



值得一提的是，提到COMPUTEX前後在台灣有如天王巨星般待遇的Nvidia黃仁勳，魏哲家趣談：我有跟他抱怨他東西太貴了！不過，也確實“有價值啦！” 所以呢，我也要開始跟他 “show我的價值”。（漲價啦！！畢竟Nvidia最新財報毛利率78%）大家想想，有人居然用你東西（內含台積電晶片）賣回來給你（系統），然後告訴你這非常有價值........
 



以下是劉德音在主持2024年股東會提到的幾個點，以及魏哲家接受媒體專訪時，談到的幾個重點：
 




有股東會到，COMPUTEX期間，AMD的Lisa Su宣布和台積電緊密合作，黃仁勳找創辦人張忠謀去逛夜市，到底哪一家和台積電比較好？

劉德音：這問題是破壞我們和客戶關係嗎？（講完哄堂大笑）
魏哲家：台積電和兩家公司關係都非常良好，我們都一起共同成長。

 




最近美股有蘋果宣布1000億美元回購，以及Nvidia宣布股票一拆十，台積電是否有買回庫藏股和分拆計畫？

 劉德音：半導體是重資產公司，需要資金，因此沒有回購計劃。台積電股票也沒高到需要分割，未來可以更高。

財務長：內部仔細評估過，逐漸增加現金股利對股東是最好的回報，穩定現金股利會比不定期特回購好。另外，現在也可以零股交易，其實不用分拆股票。
 




華為是競爭對手嗎？ 什麼時候會被其他的競爭對手趕上？


劉德音：華為不華為沒有關係，台積電的自我要求是技術領先，且著重在進步速度是否比競爭對手更快。對於什麼時候會被競爭對手趕上？ 我想這個問題也不需要CC（魏哲家）回答，趕上是不太可能的事。
 




美國廠建置成本高，台積電如何因應？


劉德音：美國建廠的成本是比台灣高，但台積電比已經其他人在美國建廠的成本低。去美國建廠是國際破碎化的結果，不只是台積電，其實大家都去，只是我們做得早一點。這和30年前台積電在台灣蓋第一個八吋廠一樣，過程有很多需要學習的地方和挑戰。借鏡歷史，台積電總能一一克服。
 




即將到來的美國總統大選會不會影響到美國亞利桑那州廠房的補助進度？


劉德音：對美國晶片法案的支持，是兩黨共識，不認為選舉結果會讓這件事有變化。
 



以下部分則是魏哲家在今日股東會後記者會的重點重點摘錄：

 


地緣政治下，如果客戶不斷要求把生產線移到美國，台積電會如何因應？




魏哲家表示：台積電的台灣產能占80%以上，要移出台灣是不可能的！
 




上任董事長後的第一個任務是什麼？


將工作往跟政府關係轉移，其他工作分擔給夥伴們，大家都20～30年默契，彼此合作無間。
 




在產能佈局上的優先順序上？


台灣優先。最先進的製程一定從台灣開始，站穩腳步後，才會考慮台灣以外的地方。
 




談到美國廠的成本與補貼是否太少？




美國生產成本確實比較高，但我的原則是不能拿美國和台灣比，兩邊完全不同。在美國，應該要和美國的同業比，台積電的生產成本永遠會贏他們。放心在美國廠有天一定會有很好的獲利，這一輩子台積電都不會有loss。
 




談到AI


不斷強調前途一片美好。魏哲家更表示，台積電的技術永遠是領先，良率都比別人好，有人會覺得台積電的wafer比別人貴，但其實換算成die是最便宜。
 



那缺電呢？ 魏哲家：這要和政府密切合作，應該不會有問題，其實每次看報紙寫的都會害怕，但跟政府官員聊完都很有信心。
 

再者，科技界的好處是可以不斷利用創新，努力將用電量降低，例如現在有發明一種方式可以讓Data Center的用電量降低30%。
 




OpenAI的Sam Altman提到7兆美元蓋晶圓廠？




雖然AI需求一直上升，但他的想法實在too aggressive for me to believe. 台積電是全世界對AI需求資訊搜集最齊全的地方，因為所有要做AI的人都會跟台積電討論，我們都會蒐集完資料，才會去決定要蓋多少生產線。
 




傳出AMD可能會去三星投片3nm製程？




魏哲家：我再說一次，台積電沒有競爭對手，不要太在意報紙寫的。之前我們法說會也說過，全球只有一家大型半導體公司不是台積電的客戶。
 




台積電日前才宣布由秦永沛和米玉傑出任共同營運長，同時也安排侯永清和張曉強擔任兩位營運長的副手，外界對於台積電未來的繼承人有什麼安排？




魏哲家開玩笑表示，“我才剛剛上任，你們就一直問我接班人，讓我有點尷尬。”  接著他進一步表示，因為公司要有制度，是想要推出繼承制度，讓公司井井有條。
 




對於台積電的繼承者和接班人條件是什麼？




魏哲家表示，台積電的傳統關於誠信、正直，是一步都不讓，完全不能打折，且對客戶要尊重和支持。唯有客戶成功，台積電才有生意，因此要幫忙客戶成功。公司也會朝年輕化和制度化發展，並再找好的人才進來，讓公司一直成長。
 




談到投資理財的建議？




Stay with tsmc，希望能再漲價。

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中國國家積體電路產業投資基金（大基金）三期於2024年5月24日成立，註冊資本3440億RMB（約480億美元），超過大基金第一、二期總和，預計三期會投入三大領域：先進製程晶圓代工解鎖AI算力晶片、解決被ASML卡脖子的曝光機技術，以及擴大NAND Flash和DRAM產能和研發生產HBM晶片。
 



大基金第三期第一大股東為財政部，持股17.44%，合計共19 位股東，相較第二期27個股東減少。 最值得關注的是，這次地方政府只有北京、上海、廣東三地，不同於過還有合肥、武漢、成都、重慶等。 若要解讀更深一層意義，應該是投資力量更集中，不再像過去讓半導體投資、晶圓廠遍地開花。
 



大基金三期的成立，除了資金是一、二期的總和超達3440億RMB，總註冊資金3440億大致可分為四類：
 

• 中央財政 1060億


 財政部600億
 國開金融360億
 國家開發投資集團100億


• 地方國資950億（主要北京、上海、廣東三地）


北京國資350億，其中亦莊國投200億、北京國誼億元150億
上海國資300億，由上海國盛出資
 廣東國資300億，其中深圳鯤鵬170億、廣州產投90億、粵財投控40億


• 銀行1140億


中國建設銀行215億
中國銀行215億
中國農業銀行215億
中國工商行215億
交通銀行200億
郵儲銀行 80億


• 央企290億


中國誠通100億
中國菸草100億
華潤集團 50億
中國移動 40億





大基金三期到底會投資在哪些領域？  根據研判，會聚焦在三大方向：




第一，先進製程的晶圓代工製造和先進封裝如CoWoS等。 第三期會著重在佈局半導體製造，但不會是成熟製程，因為中國的成熟製程產能已經過剩，真正缺乏的是AI晶片算力，尤其是Nvidia的GPU平替方案。
 



現在中國有非常多GPU、AI加速卡設計公司像是壁刃、摩爾線程、沐曦、天數智芯、燧原，CPU公司有海思、兆芯、龍芯、飛騰、海光、申威等，但沒有先進製程，預計大基金三期會在這部分著力。
 



第二，擴大NAND Flash和DRAM記憶體晶片的產能，並且朝向HBM發展。 中國內需的記憶體晶片用量非常大，且中國的武漢長江存儲和合肥長鑫已經量產，前者卡在設備被禁運，後者要朝更高技術開發生產，相較於AI晶片，中國的記憶體晶片完成國產替代概率更高且是現在進行式，大基金三期目標是擴大產能，增加市佔率。
 



日前合肥長鑫、通富微、華為已申請HBM技術相關專利，長鑫也與通富微合作開發HBM晶片，一步步邁向HBM3。 大基金三期是要解開AI算力瓶頸，儲存技術端的HBM研發也要同步配合。
 



第三，進一步完成半導體關鍵設備與材料的國產替代，由重點在光刻機、光阻等，像是蝕刻等機台國產化產品已經非常成熟，未來重點會是ASML替代的產品。 要說替代太沈重，但未來ASML不單是極紫外光EUV機台不能進入中國，部分成熟製程DUV設備自2024年開始都會落實禁運，因此替代ASML機台會是未來中國在國產設備領域研發的重點。
 



其實，大基金二期已經重點扶植半導體設備和材料，也帶動許多民營投資基金大舉投入這兩大領域，導致設備和材料成為兩大最「卷」的領域。 但光刻機的研發與投資不是民營投資做得來的，需要規劃性帶領。
 



三期的註冊金額為470億美元，實際募款額應該更大。 尤其，如果要肩負先進製程、ASML機台開發、記憶體晶片擴產等三大任務，需要更多的資金。 台積電光是一年資本支出就要300億美元。 另一個觀察點是，根據向大基金三期注資的銀行公告，出資額將在10年內實繳到位，470億美元金額看似很大，但出資方分10年投入其實也還好。
 



大基金第一期成立於2014 年，註冊資本987億，總募資規模達1387億RMB，重點投向晶片製造領域，撬動了5,145 億元社會資金（包括股權融資、企業債券、銀行等金融機構貸款 ）。 大基金第一期於2018年投資完畢，細數投資標的，製造67％、設計17％、封測10％、設備和材料類6％，被投企業包括晶圓代工廠中芯國際、上海華虹 、長江存儲、紫光展銳、華大九天、三安光電、長電科技、北方華創和中微半導體等。
 



大基金二期成立於2019年10月，規模超過2,000億RMB，投資標的涉及全產業鏈，半導體製造佔比高達75%、EDA/設計佔10%、封測2.6%、設備及材料10%， 以及少數的應用類。 大基金二期最大投資為中芯國際，其他重點投資聚焦在設備和材料，包括刻蝕機、薄膜設備、測試設備、清洗設備、矽晶圓、光刻膠、光罩版、電子特氣等。

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要說AI拯救全世界是一點也不為過！2022年底OpenAI刮起的炫風，到2024年都還是熱騰騰的巨大商機。NAND Flash控制晶片大廠慧榮SMI總經理苟嘉章指出，Nvidia囊括AI領域90%市占，其霸主地位在未來3～5年內都很難被撼動，且未來AI算力從雲端會逐漸下放到邊緣端，對存儲產業而言會是史上難得一見機會！
 



即將登場的COMPUTEX 2024也是宛如全球科技界的AI盛會，不但Nvidia、AMD、英特爾、高通、Arm等科技巨頭齊聚一堂，除了AI帶動伺服器和資料中心繼續火熱，更有AI PC、生成式AI手機題材要開始發酵，AI幾乎拯救了全世界的科技產業！
 



苟嘉章也認為，受惠資料中心對於NAND Flash的需求旺，雖然現貨通路端買氣不佳，但資料中心的需求非常強勁，需要的存儲容量從原本4~8TB增加到32TB，估計NAND價格漲到2024年下半年沒問題，一直到2025年上半年目前都沒看到敗象。
 



從供給端來看，苟嘉章也分析，NAND Flash原廠2024年才剛剛轉虧為盈，開始賺錢而已，恢復正常生產會循序漸進，且不會躁進馬上擴建新晶圓廠，大家有志一同以利潤為優先，先把虧的錢賺回來再說。
 



SK海力士第一季毛利率39%，美光20%，據了解，至少要等這些NAND Flash原廠的毛利率連續數季站穩40%以上，才會考慮增加新產能，至少今年都會是NAND Flash存儲產業的甜蜜年。
 



存儲產業在供給端的另一個觀察是各大廠的軍備競賽都集中在DRAM HBM記憶體。最近才傳出三星的HBM3過熱，沒通過Nvidia測試，三星要取代SK海力士成為HBM龍頭的夢想，只能再等等，日前三星才宣布半導體負責人換帥，就是因為AI進度落後之故。
 



業界透露，其實SK海力士現在的HBM技術團隊，其實當初是從三星過去的，三星現在應該是悔不當初。事實上，三星這幾年在Foundrr和Memory兩大關鍵版圖上都狂掉隊很明顯，這與接班人李在鎔2017年入獄有很大關係。這麼大的財閥企業群龍無首，估計各個事業部的負責人也不敢拍板做大決定，等到2021年李在鎔特赦出來，世界早已經出現翻天覆地的變化，現在三星要奮力追趕，自然需花上更多的功夫。
 



苟嘉章的觀點是，三星在記憶體領域長期奠定很深遠的記憶實力，未來在HBM發展上仍是很有機會，且現在最著急的人應該是Nvidia，因為如果HBM主要供應都掌握在一家手裡，Nvidia的AI產品在產能和價格上會一直無法取得更高主導權，因此Nvidia一定會協助三星HBM技術盡快有突破。
 



另外，他也表示QLC NAND也很適合用在資料中心，慧榮會和NAND Flash大廠、模組廠、服務器廠商一起推動AI發展。另外，生成式AI手機會是一大機，平價手機也需要AI功能，未來各項應用對於存儲需要的容量會呈現爆炸性成長。

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今天台積電技術論壇上，2024年3月升任共同營運長，現任台積電業務開發、海外營運辦公室資深副總暨副共同營運長的張曉強現場金句連發：
 




台積電做系統整合超過20年，領先推出CoWoS技術，我相信在座各位都可以拼出C-o-W-o-S-.......有天我發現連電視台主播都會拼這個詞，你要是沒聽過CoWoS，大概是外星人了！

 


過陣子也不用我和Cliff上台來演講了，create一個AI來講就好！

 


（現場張曉強show出一張PPT標誌著Nvidia近代GPU產品採用台積電製程技術的性能成長曲線直線向上）他說：AI發展快速，Nvidia產品從V100採用N12、A100採用N7、H100採用N4，一直最新一代Blackwell採用N4P製程+CoWoS封裝讓算力成長1000倍，這迅猛的長曲線讓人想到了昨晚的Nvidia股價.......

 


台積電今日技術論壇中，現場含金量最高的一張圖應該是3D Integrated HPC Technology platform for AI。張曉強說這張圖是“Money Sheet”（既然價值連城，就不在此大放送！其實是因為現場是禁止攝影）從現場的圖上看，是一款用于HPC和AI的新封裝平台，並以矽光子來改善互聯。他表示矽光子技術已經量產，只是這是第一次引入HPC中，用在Data Center。

 


如果有人要寫台積電歷史，一定要提到7nm，這是台積電第一次提供全世界最先進的技術，在此之前都是IDM。之後台積電在2020年更領先進入5nm製程，2023年進入3nm製程。
 




以下是今日舉行台灣場的技術論壇幾個重點：
 




AI將掀起第四次工業革命，2030年全世界將有10萬個生成式AI機器人，生成式AI手機出貨量將達2.4億支。

 


為了滿足AI運算需求，3D堆疊、先進封裝技術越來越重要，未來幾年將實現單晶片上整合超過2,000億個電晶體並透過3D封裝達到超過一兆個電晶體。

 


2024年3nm產能比2023年增加三倍，但還是不夠用！！

 


2020~2024年，先進製程產能的年複合成長25%，特殊製程產能的複合成長率10%。車用晶片出貨複合成長率約50%。

 


SOIC在2022～2026年的產能複合成長100%，CoWoS在2022～2026年的產能複合成長超過60%

 


台積電從2019年正式使用EUV設備，目前全球56%的EUV機台都在台積電。

 


N3E已依計畫在2023年第四季進入量產，客戶的產品良率相當好。台積電也開發出N3P技術，已通過驗證，目前良率表現接近於N3E。N3P已經收到了客戶產品設計定案tape-outs,將於 2024 年下半年開始量產。

 


2nm是台積電第一次使用奈米片Nano-Sheet電晶體架構，目前進展非常順利，NanoSheet奈米片的轉換目標達90%，換成良率也超過80%，根據計畫2nm是2025年下半年量產。

 


針對製程後段，會導入新製程與材料，將電阻/電容延遲(RC delay)降低高達10%。此外，為了強化功率傳輸，台積電也提供了超高性能金屬/絕緣體/金屬電容(SHPMIM)，其容量密度是上一代技術的兩倍之多。

 


台積電進入埃米（angstrom）時代的A16，結合2nm製程+超級電軌(Super Power Rail)架構設計。




 






A16 技術的超級電軌(Super Power Rail)架構是一種創新的最佳晶圓背面供電網路解決方案。A16 將供電網路移到晶圓背面而在晶圓正面釋出更多訊號網路的佈局空間，藉以提升邏輯密度和效能。此外，它還可以改善功率傳輸,並大幅減少IR 壓降。

 


再者，台積電的創新晶圓背面傳輸方案也是業界首創，保留了柵極密度與元件寬度的彈性，是具有複雜訊號佈線及密集供電網路的HPC產品的最佳解決方案。相較於台積公司的 N2P 製程，A16 在相同 Vdd (工作電壓)下，速度增快8～10%; 在相同速度下，功耗降低15~20%，晶片密度提升高達 1.10X。台積電計畫在 2026 年下半年量產。

 


NanoSheet奈米片電晶體的下一代會是互補式場效電晶體CFET架構，藉由不同材料的上下堆疊，讓垂直堆疊的不同場效電晶體更靠近，改善電流且密度增加1.5~2倍。台積電強調CFET不是紙上談兵，研發已經成功驗證在wafer siliocon上。





台積電指出，當電晶體架構從平面式(planer)發展到 FinFET，並即將轉變至奈米片(nanosheet)架構之後，公司認為垂直堆疊的 nFET 和 pFET (即互補式場效電晶體CFET)是未來製程架構選項之一。

 


台積電進一步指出，內部一直在積極研究將 CFET 用於未來製程架構的可能性。在考量佈線和製程複雜性後，CFET 密度將可提升 1.5 至 2X，除了 CFET，在低維材料方面取得了突破，也可實現進一步的尺寸和能源微縮。再者，台積電也計畫導入新的互連技術，以提升互連效能。首先，對於銅互連技術，計畫導入一個全新的通路結構(via scheme)，進而將業界領先的通路電阻(via resistance)再降低 25%。再者，計畫採用一種全新的通路蝕刻停止層(via etch-stop-layer)，可降低約6%的耦合電容。還有，正在研發一種新的銅阻障方案(Cu barrier)，可降低約 15%的銅線電阻。除銅互連外，台積電也在研發一種含有氣隙的新型金屬材料,可降低約 25%的耦合電容。另外，嵌入石墨烯(Intercalated graphene)也是一種極具前景的新材料,可大幅縮短互連延遲。
 




TSMC 3DFabricTM技術方面，包含三大平台:TSMC-SoIC、CoWoS和InFO。
 


SoIC 平台：用於 3D 矽晶片堆疊，並提供 SoIC-P 和 SoIC-X 兩種堆疊方案。SoIC-P是一種微凸塊堆疊解決方案，適用於講求成本效益的應用如行動裝置。CoWoS 平台包括成熟度最高、採用矽中介層的 CoWoS-S，以及採用有機中介層的CoWoS-L 和 CoWoS-R。InFO PoP 和 InFO-3D 適用於高階行動式應用,InFO 2.5D 則適用於高效能運算的小晶片整合。另外，根據產品需求，SoIC 晶片可與 CoWoS 或 InFO 整合。
 





適用於 3D 小晶片堆疊技術的 SoIC：SoIC-X 無凸塊堆疊解決方案,無論是現有的 9 微米鍵合間距前到後堆疊方案(front-to-back scheme)，還是將於2027 年上市的 3 微米鍵合間距前到前堆疊方案(front-to-front scheme)，裸晶到裸晶(die-to-die)互連密度均比 40 微米到 18 微米間距的微凸塊前到前堆疊方案高出 10X 以上。台積電的SoIC-X 技術非常適用於對效能要求極高的各類HPC應用。
 





台積電更指出，看到客戶對於 SoIC-X 技術的需求逐漸增加，預計到 2026 年底將會有 30 個客戶設計定案tape-outs。

 


CoWoS 技術：可將先進的 SoC 或 SoIC 晶片與先進的高頻寬記憶體HBM進行整合，滿足AI 晶片的嚴苛要求。台積電的SoIC 已透過 CoWoS-S 量產出貨，並計畫開發一種 8 倍光罩尺寸且具備採用A16 製程技術的 SoIC 晶片和 12 個HBM堆疊的 CoWoS 解決方案，計將在 2027 年開始量產。直至今年年底,台積公司將為超過 25 個客戶啟動超過 150 個 CoWoS 客戶產品設計定案tape-outs。

 


台積電與Nvidia合作推出Blackwell AI 加速器，是全球首款量產並將 2 個採用 5 奈米製程技術的 SoC 和 8 個HBM堆疊整合在一個模組中的 CoWoS-L 產品。




 






矽光子：台積電表示矽光子是共同封裝光學元件CPO的最佳選擇，因為其與半導體相容，且可與 EIC/PIC/交換器在封裝層高度整合。台積電創新的緊湊型通用光子引擎(COUPETM)技術透過最短路徑的同質銅-銅介面整合電子積體電路(PIC)和光子積體電路(EIC),進而實現超高速射頻(RF)訊號(200G/λ)。

 


COUPE 解決方案可最小化使用面積,且具備光柵耦合器(GC)和邊際耦合器(EC)，可滿足客戶的各式需求。台積電計畫在 2025 年完成小型插拔式連接器的 COUPE 驗證，2026 年將其整合於共同封裝光學元件的 CoWoS 封裝基板，藉此可降低 2X 功耗、將延遲降低10X。同時，台積電也探索一種更先進的共同封裝光學元件方案，將 COUPE 整合於 CoWoS中介層，進而將功耗再降低 5X、將延遲再降低 2X。


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AI PC大戰開打，高通拿下首局勝利

台積電總裁魏哲家上周進行了一趟非常重要的“歐洲行”，拜訪了三家與延續摩爾定律息息相關的歐洲半導體企業，分別是荷商ASML、德商蔡司Zeiss和德商創浦TRUMPF。
 



ASML執行長Christophe Fouquet在Linkedin上表示，上週在企業總部Veldhoven接待了魏哲家，且藉由此寶貴機會強化ASML和台積電的緊密合作關係。並且展示了ASML最新產品和創新技術，透過改善EUV曝光機平台，持續推動半導體技術往前。
 



Christophe Fouquet進一步指出，在ASML生產最新0.33 NA EUV系統的EUV工廠中，與魏哲家分享了 TWINSCAN NXE:3800E曝光機如何以更具成本效益的方式來生產最先進的製程技術。此外，在比利時微電子imec ASML EUV High NA 實驗室中，也展示了高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）如何支援多個未來的製程技術節點。
 



ASML特別強調要和生態系統合作夥伴德國蔡司Zeiss、雷射源供應商創浦TRUMPF、荷蘭VDL集團強化聯盟力量，以達成延續摩爾定律的目標。
 



Christophe Fouquet更強調，ASML與客戶的關係是由對創新和技術進步的共同承諾所推動的。ASML與台積電的合作關係體現了這一宗旨：近四十年來，它建立在信任、協作和對卓越的承諾的基礎上。
 



Christophe Fouquet剛於4月接下ASML執行長一職，但這並非是與魏哲家的首次會面。Christophe Fouquet當時以ASML商務長的身份，與ASML前執行長Peter Wennink年初曾進行亞洲巡訪客戶，拜訪台積電總部自然是當時重要行程之一。
 



眾所皆知，針對ASML最新一代、一台要價4億美元的High NA EUV曝光機設備，英特爾的採用意願非常積極且下了訂單，台積電維持過往的保守風格，非常謹慎評估，不會輕易在轉進新一代製程技術的第一版，就導入最先進的設備。
 



另外，從ASML日前端出的2024年第一季財報可知，中國營收貢獻仍是該公司支柱，但隨著美國的出口管制越來越嚴格和逐季落實，ASML勢必要找尋更多的營收來源。業界認為，說服台積電早日導入High NA EUV曝光機設備，並且下訂單，會是兩家公司下一步的關鍵發展，且是雙方高層會面的重點，包括這次魏哲家親訪ASML總部。







德國蔡司Zeiss半導體也在Linkedin上提到了魏哲家拜訪總部Oberkochen。擁有獨特歷史的蔡司，總部位於德國西南部巴登-符騰堡州（Baden-Württemberg）的Oberkochen鎮，該小鎮的人口僅8000人，卻掌握著全球最精密、最先進的半導體晶片設備的反射鏡和透視鏡。
 



蔡司是ASML非常重要的技術合作夥伴，是ASML唯一的鏡頭供應商。蔡司不但擁有獨特的微影和光罩系統技術，手上更有超過2,000個與EUV微影設備相關的關鍵技術專利。2016年ASML曾收購蔡司子公司蔡司半導體24.9%股權，為的就是發展High NA EUV設備。



ASML前執行長Peter Wennink曾說過，沒有蔡司的光學器件，ASML將無法生產極紫外光EUV曝光機設備，而沒有EUV曝光機，也無法生產人工智慧AI、自動駕駛這些尖端技術的晶片。
 



蔡司在ASML開發先進製程技術曝光機的重要性上，可從另一件事來看出端倪。早在今年4月，三星電子會長李在鎔就搶先魏哲家一步，先去德國總部拜訪蔡司，雙方共表示要加強晶片製造的合作，提高晶片良率和效能。這次魏哲家拜訪蔡司德國總部，應該也是有「固樁」的意思。

隨著Copilot+首次登場，AI PC大戰宣布開打！微軟宣布推出搭載高通Snapdragon X Elite和Snapdragon X Plus的 PC，徹底改變 PC的使用體驗。除了微軟自家Surface PC之外，更宣布宏碁、華碩、Dell、HP、聯想、三星等所有AI PC全都用高通的解決方案！
 



微軟將「Copilot+ PC」定義為帶有NPU的Windows PC，除了有CPU、GPU外，還要結合強大性能NPU，建構出全新AI系統的架構，且電池續航力更強，單次充電可支援長達22小時影片播放。微軟表示「Copilot+ PC」效能比蘋果搭載M3晶片的15吋MacBook Air，還要高出58%。
 



值得注意的是，微軟首批「Copilot+ PC」全都是搭載高通Snapdragon X Elite和X Plus處理器，包括微軟自家Surface PC，還有宏碁、華碩、Dell、HP、聯想、三星等合作推出AI PC。除了高通的解決方案，之後也會有搭載英特爾和超微處理器的機型問世。
 



在這波PC熱潮中，高通找到著力點，正在重塑Windows PC生態系的效能領先地位，搭載於Snapdragon X Elite的領先NPU能為筆記型電腦提供最高的每瓦NPU效能，比M3高出2.6倍，比Core Ultra 7高出5.4倍。
 



此款NPU整合高通Hexagon NPU架構，可以在超解析度（Super Resolution）等使用案例中提供高達每瓦24 TOPS的峰值效能。藉由高通Oryon CPU，Snapdragon X Elite在每瓦效能取得領先，PC CPU達到相同峰值效能時功耗較競品低60%。







高通也宣布全球OEM合作夥伴推出了首批獨家搭載今日發表的搭載Snapdragon X Elite和X Plus的Copilot+ PC包括：
 



宏碁：推出Swift 14 AI。Swift 14 AI 結合強大的Snapdragon X系列平台、Windows 11中的Copilot+功能以及Acer  PurifiedView 2.0 和Acer PurifiedVoice 2.0等解決方案，運用AI功能無縫提升生產力和創造力。此款產品提供配備2.5K觸控螢幕顯示器的選項，可實現沉浸式視覺效果，以獨家的Copilot+ PC設計脫穎而出，在正面配置獨特AI商標以及在觸控板上採用活動指示器（Activity Indicator）。
 



華碩：將Snapdragon X Elite和X Plus整合到ASUS Vivobook S 15中，象徵個人運算的典範轉移。透過整合45 NPU TOPS和無可比擬的45W TDP，支援ASUS IceCool散熱技術，使用者將享受迅速的裝置上AI處理能力。ASUS Vivobook S 15配備15.6吋3K 120 Hz OLED顯示器。以上功能皆整合至輕薄的外形中，並提供整套的I／O埠，是多功能的隨身夥伴。
 



戴爾：推出五款搭載Snapdragon X Elite和Snapdragon X Plus的全新筆記型電腦，為消費者和商用提供全面的產品組合，包括XPS 13、Inspiron 14 Plus、Inspiron 14、Latitude 7455和Latitude 5455，均具備卓越的速度和AI效能，以及突破性的電池續航力，提升運算能力並簡化任務。新裝置也採用NGAI，實現變革的AI PC體驗。
 



惠普：新一代AI PC是專為Snapdragon X Elite平台，以及其專用的神經處理單元（NPU）而設計，每秒能夠執行45兆次運作（TOPS），可在裝置上運行語言模型和生成式AI。HP OmniBook X AI PC和HP EliteBook Ultra AI PC採用最強大的AI PC技術，電池續航力長達26小時，可在裝置上快速充電和進行AI功能最佳化，提高生產力。HP EliteBook Ultra也為商用消費者提供附加功能，包括Wolf Pro Security的 新一代防毒軟體（NGAV），透過硬體安全功能保護PC直達韌體等級，全面防護使用者憑證和其他關鍵資訊，獲得微軟安全核心PC指定（一種晶片到雲端的安全技術，提供安全身份、安全驗證和加密服務）和三年保固。
 



聯想：推出聯想Yoga Slim 7x與聯想ThinkPad T14s Gen 6，為首款搭載Snapdragon X Elite的AI PC。這些筆記型電腦提供頂級每瓦PC效能和基於NPU的快速 AI 處理能力，每秒最高達45 兆次運作（TOPS）。Windows 11和Copilot+的強化功能支援離線存取LLM功能，提升創造力、生產力和安全性。
 



微軟Surface：全新Surface筆記型電腦是迄今為止最快且最智慧的Surface筆記型電腦，現在採用超長的電池續航力和由Snapdragon X Elite和Snapdragon X Plus平台支援的全新AI體驗，尺寸包括13.8吋和15吋顯示器尺寸。
 



三星：三星 Galaxy Book4 Edge配備頂尖的混合式AI整合功能，並搭載最快速且最強大的Snapdragon X Elite，使筆記型電腦實現45 TOPS NPU的運算能力。此裝置以納入連結最為緊密的Galaxy AI生態系。透過提供14吋和 16吋的Dynamic AMOLED 2X顯示器的選項，Galaxy Book4 Edge釋放全新等級的創造力和生產力，同時以直觀的功能和簡單的語言提示打破溝通障礙。這款裝置也將深受喜愛的Galaxy AI功能，像是Google的搜尋圈、即時翻譯和聊天助理導入更大尺寸的PC顯示器上。

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GlobalFoundries宣布業界擁有豐沛人脈的洪啟財（KC Ang) 為亞洲區總裁兼中國區主席。外界解讀為，GlobalFoundries不但是想藉由洪啟財在半導體產業超過30年的經歷，重振亞洲市場業務，且據了解也有意在中國推出屬於GlobalFoundries特色的「中國在地化」策略！
 



洪啟財畢業於台灣大學機械工程學士學位，並擁有德州大學工程碩士學位，最早是在新加坡特許半導體Chartered，2010年加入GlobalFoundries，負責全球生產基地的管理，尤其是新加坡的生產基地，後來曾擔任GlobalFoundries台灣區董事長。
 



洪啟財也是新加坡晶片產業發展的關鍵人物，也是新加坡國立研究基金會（National Research Foundation in Singapore）董事會成員，並兼任國際半導體產業協會（SEMI ）東南亞區域諮詢委員會主席。
 



GlobalFoundries的新人事命令安排被外界認為是要重用洪啟財30多年來在半導體產業累積的人命關係，重新整理亞洲區業務，且GlobalFoundries也規劃提出擁有GlobalFoundries特色，融合中美風格的「中國在地化」業務策略！
 



GlobalFoundries特色的「中國在地化」業務策略卡在一點，就是GlobalFoundries本身在中國沒有晶圓廠，當初的成都12吋基地賣給華紅了。在沒有晶圓廠的前提下，如何做「中國在地化」呢？ 或許，找中國其他夥伴，有晶圓廠的夥伴進行策略聯盟，是一條可行之道！大家拭目以待，GlobalFoundries如何在中國半導體市場，在中芯國際和華虹的前後夾擊下，走出一條創意之路！
 



GlobalFoundries在中國區業務這幾年面臨一些挑戰，主要是地緣政治的因素，使得中國許多客戶都轉投本地晶圓代工廠，GlobalFoundries在中國面臨中芯國際和華虹半導體的兩邊壓力，這也是亞洲區新人事安排要突圍之處。
 



2023年底，GlobalFoundries停擺多年的成都12吋生產基地，也正式由華虹集團接手，成為「成都華虹」，預計將建成一座月產能達3萬片的12吋晶圓廠。
 



根據研調機構Counterpoint針對2023 年第四季全球晶圓代工市佔率統計，台積電以61%穩居龍頭地位，三星以14%市佔率位居第二，聯電與GlobalFoundries以市佔率6 %並列第三大，中芯國際的佔有率約5%。
 



從以上市佔率排名可看出，台積電和三星AI商機加持，以及先進工藝的領先優勢，保持大幅度領先，而GlobalFoundries、聯電、中芯三家緊密纏鬥，市佔率彼此「很黏」。
 



中芯國際在中國業務的優勢，當然是受惠地緣政治下的國產化商機，國內IC設計客戶的投單增加，以及華為手機帶動的零組件需求回溫，都是中芯的收入持續衝刺的火種。
 



聯電有多元化的產品線，以及同樣是地緣政治下的國際客戶投單增加，未來則是有與英特爾在成熟過程上策略聯盟的想像空間。 GlobalFoundries在中國市場曾經主打FD-SOI，以及中國內需龐大的車用商機，這次換帥後，如何在地緣政治的變動下，走出新格局，業界十分關注。

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鈺創董事長盧超群指出，自家利基型記憶體DRAM陸續導入WiFi 7、機器人、汽車、智慧家庭等新應用領域，整體來看2024年下半年景氣會優於上半年，2025年會延續這股景氣回升力道，DRAM價格可望重回疫情前水平。
 



全球記憶體產業谷底翻身的軌跡，也是拜OpenAI帶動生成式AI狂潮之賜，新式HBM記憶體成為AI伺服器必備，吃掉越來越多DDR5的產能。再者，DDR5是PC主流規格，下半年起又有AI PC題材發酵，使得國際DRAM大廠需要不斷加大HBM、DDR5投片，陸續棄守DDR3、DDR4市場。利基型記憶體市場在此背景下，開始邁向供需平衡，待庫存消化後，產業會越來越健康。
 



盧超群表示，鈺創耕耘的不少新產品領域逐漸發酵，尤其網通相關的利基型記憶體產品一直是鈺創的重點佈局，占營收比重超過30%，鈺創提供完整的DRAM、SPI NAND Flash解決方案，滿足客戶從WiFi 5、WiFi 6/WiFi 6E、WiFi 7需要的規格與容量。
 



他進一步指出，鈺創的利基型記憶體產品線已經獲得WiFI主晶片供應商包括高通、博通、聯發科和瑞昱列入合格供應商清單 (Approved Vendor List，AVL)。並且，已經看到8Gb/4Gb的DDR4、4Gb DDR3導入印太和歐洲客戶的Wi-Fi 6E產品並進入量產，且在WiFi 7方面，8Gb/4Gb DDR4也獲得Wi-Fi 7晶片組供應商的清單認可，陸續向終端客戶提供樣品。
 



不單是網通，公司也指出，在汽車、智慧家電等業務上，日前都有回升跡象，像是汽車領域，鈺創的產品導入車子車載市場包括顯示器、娛樂系統、硬碟、數位音訊、行車記錄器等、環景系統、ADAS等。
 



智慧家電方面，鈺創的KGD和Discrete方案也導入像是智慧門鎖、全景相機、藍光DVD播放器、智慧音箱、掃地機器人等，未來期待更多邊緣AI商機落地。
 



展望未來，盧超群指出，2030 年全球由 AI 主導的經濟產值高達 80 兆美元，其中硬體僅佔40分之1，大概 2 兆美元，而半導體約0.5兆美元。台灣建立了半導體加異質整合的應用堡壘，一定會卡位到創新技術，就如同台灣過往在 PC、手機等，都抓到應用爆發的關鍵。
 



他也訂下目標，鈺創要在半導體0.5兆美元佔有一席之地，尤其懂邏輯的業者不一定懂記憶體，懂記憶體的不一定懂異質整合，鈺創因為掌握了邏輯IC和DRAM兩大技術，位居獨特地位，要利用異質整合技術的優勢，贏得AI時代的巨大商機。
 



再者，鈺創看好許許多利基型DRAM客戶在拿到產品後，需要額外找尋封裝和Controller IP服務，導致效能犧牲和成本墊高。因此，鈺創提出一站式開發服務「MemorAiLink」，提供多樣化的記憶體選擇，並提供完整的IP服務，實現高度複雜晶片設計並縮短產品上市時間。
 



盧超群解釋，要發揮鈺創在邏輯IC和記憶體兩邊的強項，MemorAiLink平台可讓記憶體與不同元件封裝整合，實現高度複雜的晶片設計及縮短產品上市時間，MemorAiLink平台率先推出異質整合晶片產品，切入影音擷取IC次系統市場，且現在客戶已經進入量產，可讓客戶產品多重訊號切換或融合，讓影音串流應用或商業模式提供更多可能性。

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中美貿易戰隨著美國宣布對電動車、半導體、鋰電池課徵高關稅而再度緊張。尤其，美國針對中國半導體的關稅提高到50%，將導致現在中國已經供過於求的成熟製程產能，未來過剩的情況更嚴重，因為採用中國成熟製程所生產的半導體產品，勢必因為高關稅而減少外銷。
 



因此，預計中國官方將祭出更多的政策與方案，來加大力度來推動國產化，可能是更多的補貼政策刺激國產化的速度前進。否則，這幾年中國瘋狂新建的成熟製程晶圓代工廠，產能過剩的情況將難以想像。
 



美國這次的大舉提高關稅，最大一刀是砍向電動車，關稅直接拉到100%，呼應特斯拉馬斯克所言「如果沒有貿易壁壘，世界上多數汽車企業都會被中企擊垮。」但目前比亞迪並未進軍美國，中國電動車在美國佔比不高，提高電動車關稅是在防範未來，要觀察的是歐盟會不會跟進針對中國電動車課高關稅，因為中國電動車在歐洲佔比很高。
 



美國關稅的第二大刀是對中國半導體出手，關稅從25%提高到50%，主要目的是降低美國對中國成熟製程產能的依賴。
 



美國手上有兩張牌「關稅」與「出口管制」，在先進製程上，美國拿出的是出口管制禁令，而在成熟製程上，則是拿出籌謀已經的關稅政策。
 



過去幾年美國已循序漸進透過限制設備與材料的進口，封鎖中國在14~16nm以下的先進製程的邏輯晶片製造。
 



後遺症是，中國開始往成熟製程領域來擴充產能，過去幾年加速購買機台設備，甚至是二手機台設備也搶購，中國半導體廠就是怕美國的禁令一步步逼近下，連成熟製程都被封鎖。
 

長期下來，演變成中國的成熟製程產能過剩，便宜的IC、廉價的產品逐漸外銷到全世界且極具競爭力，席捲全球，美國也因此有了警戒。
 



不過，對中國成熟製程發出限制令不是美國想做的，祭出高關稅的手段壓制，才是美國一直以來的計畫。
 



除了要阻擋中國低價產品輸出海外，晶片透過外銷產品滲透到所有電子產品之外，美國打得另一個算盤是，降低對中國製造的傳統晶片的依賴度，於是宣佈將半導體關稅提高到50%。未來將會產生四個影響：
 



第一，過去幾年來，歐美客戶原本委由中國半導體代工，在地緣政治的氣氛下，都逐漸將訂單轉出，首選當然是轉給台灣半導體廠代工，包括台積電、聯電、力積電、世界先進。像是，面板驅動IC原本是台灣的強項，後來中國不斷逼近追趕，一方面也是狹持其在面板上的優勢之故。
 



未來中國的晶圓代工廠會承接中國客戶訂單為主，形成一個世界，兩個系統。至於NAND Flash和DRAM記憶體產品，目前中國分別有長江存儲和合肥長鑫為供應商，未來也將以供給本土需求為主。
 



第二，中國會加速推展「國產化」，祭出更多政策來鼓勵國產化進程。
 



美國對中國半導體課徵50%關稅，就是衝著中國成熟製程產能而來，如果中國不加速去推國產化，使用國產IC，未來成熟製程供過於求的嚴重程度，會難以想像。總之，未來中國應該會加速「國產化」，以去除嚴重過剩的成熟製程產能。
 



第三，如果有想要外銷給美國市場的中國客戶，搞不好會選擇到非中國本土系統的晶圓代工廠投片，或是使用非中國製造的IC，不然半導體產品會被課徵50%關稅，估計消費型產品的機率最大。
 



第四，該趨勢發展下去，全世界電子相關產品會持續面臨成本上漲的挑戰。原本全球化運作的世界，現在分裂成兩個系統運作，自然會帶來成本上升。

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中芯國際在最新一季度的法說會中指出，在急單挹注下，今年2月以來12吋的平均產能都是滿載，但8吋晶圓市況還在低谷，可能要到2025年中之後才會恢復健康水平。
 



中芯國際CO-CEO趙海軍指出，原本對景氣看法是Double U，第三季還會往下走形成一個凹洞區，但因為12吋廠有急單填滿，下半年看法審慎樂觀，爭取下半年優於上半年。整體而言，他認為整個產業在剔除第一、二名台積電和三星後，今年約成長8%，中芯國際的成長可優於該平均值。
 



中芯國際今年宣佈高達75億美元的資本支出，以及巨大的攤提折舊，一直是外界關注的焦點。加上中國大陸本土的成熟製程產能過剩，殺價競爭激烈，中芯國際第一季淨利7,180萬美元，年減將近70%，第一季毛利率13.7%，預計第二季會進一步降至9~11%，主要是產能不斷擴大，被迫認列更多的設備折舊。
 



趙海軍也表示，Local for local策略是當前全球最時髦的做法，今明兩年都是產能建置的高峰年，去年設備採購單都發出去了，深圳、北京、臨港12吋廠持續擴建，即使意識到會共過於求，或許來年會減少投資，但已經發出去的投資現在也無法修正。
 



至於折舊壓力，趙海軍也指出，持續擴充12吋晶圓產能是為了滿足客戶需求，新建產能釋放過程折舊金額會上升，從虧損到實現經濟規模需要時間，這是行業規律。
 



中芯國際強調，28nm從2014年開始量產PolySion，2016年開始量產HKMG，28nm PolySion量產超過10年，HKMG量產也超過十多年了。公司表示，28nm是平面製程，性價比高，從民用、公用、汽車、消費性電子等，客戶需求都非常旺盛，長期來看供不應求。因此，當前面對如此巨大的景氣壓力，還是要咬著牙擴充28nm產能。
 



中芯國際也釋出三個需求面的好消息：
 



第一，舊產品的庫存消化差不多了，新產品也開始有備貨需求，像是低功耗元件、藍芽、mcu原本已經很久都不拿貨了，現在都開始拿貨加單，整個行業需求上來了，存量賣得多，庫存自然會下降。
 



之前才有研究報告指出，某一種類型的mcu庫存能繼續賣7年，因為當時市場需求是完全乾涸，但現在消費市場的需求明顯已經逐漸回來，市況好很多。
 



第二，今年是體育年，有美洲杯、歐洲杯、亞洲盃、奧運會，帶動機頂盒、電視等消費性產品的銷售量增加。
 



第三，中國智慧型手機廠商今年都在擴大市佔率，每家都在儲備庫存，自然帶動拉貨。
 



在價格方面，中芯國際認為第二季出貨量會持續增加，但平均售價會因為產品組合而下降，呈現量升價跌。
 



趙海軍指出，隨著本土產能不斷開出，行業競爭會越來越激烈。自從2月以來，中芯國際的12吋平均產能都是滿載，但戰略客戶仍在市場上仍是常遇到更低的價格，尤其是智慧型手機，常常幾千萬訂單就沒了，為了不讓客戶掉市佔率，這類標準型產品會和客戶站在同一戰線，直接參與競爭。
 



展望下半年，預計12吋廠平均產能滿載會持續一段時間，8吋廠預計要2025年中之後才會恢復健康，但8吋產品對價格較不敏感，再降價空間也不大。
 



至於上半年的12吋急單挹注，是否會透支下半年的需求？ 中芯國際表示，對於下半年態度持續謹慎觀察，還看不太清楚，公司目標是成長超越同業步伐（剔除台積電和三星）。



中芯國際2024年第一季營收為17.50億美元，季增4.3%，年增19.7%，毛利率為13.7%，較上季毛利率16.4%和去年同期毛利率20.8%減少，第一季淨利7,180萬美元，年減68.9%，出貨量179萬片（約當8吋晶圓），季增7%，產能利用率為80.8%。



營收比重方面，中國、美國、歐亞分別佔82%、15％、3％。手機31%、電腦/平板18%、消費31%、互聯13%、汽車7%。
 

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群聯5月10日舉行法說，執行長潘健成指出，第二季是電子產業傳統淡季，很多手機廠和PC廠都已經吃了很多庫存，暫時不餓，但遇上市場處於傳統淡季需求很弱，中國記憶體模組廠受不了開始低價拋售手上的NAND Flash，但群聯不打算跟進。
 



他指出公司在汽車、企業級SSD、PC OEM等更有附加價值的領域都有斬獲，不會跟進中國記憶體模組廠低價拋售NAND Flash庫存換現金，到了2026年，耕耘許久的高毛利企業級產品線，會是群聯電子最大的營收來源！
 



截至第一季底，群聯合併存貨金額為新台幣301.58億元，較2023年底244億元攀升。今年記憶體產業走出谷底，加上有AI手機、AI PC題材，群聯手握充足庫存，迎接記憶體產業黃金時刻。潘健成指出，現在庫存很夠用，但如果上游原廠需要幫忙，會考慮買一點。
 



群聯指出，NAND原廠渡過虧損的2023年，2024年第一季開始已轉虧為盈，此時的NAND Flash價格走勢穩定有助於產業供需更為健康，如果價格在短期內急增，等同讓終端需求再度縮手，或是縮減NAND搭載的容量。他更直言，NAND價格若在急漲，會出現泡沫化 (Bubble)。
 



在汽車領域，群聯的NAND Flash控制晶片滲透率不錯，但模組系統進入該市場需要時間，此次法說會釋出的好消息是模組系統已經拿下多個design-win案子，會持續在2025和2026年發酵。
 



在手機方面，群聯和高通、聯發科都有合作案子在走，很多都是針對中國本土智能手機的開案上。系統廠方面，第三季開始是傳統旺季，今年又有AI PC的全新換機題材，都陸續會有備貨需求。
 



在企業SSD方面，2023年第一季企業SSD模組佔營收3%，到了2024年第一季佔比提升至5%，公司預計企業SSD未來佔比會快速攀升。
 



群聯也指出，2024 年第一季的營收創歷史同期次高，主要是長期耕耘的Embedded ODM、伺服器應用等Design-in市場有顯著斬獲。再者，若不考慮庫存備抵回轉以及庫藏股轉讓員工費用等影響，1Q24 與 4Q23的原始毛利率其實是相近的，這也反應群聯在Design-in的布局上，有助公司整體的長期獲利穩定度。
 



針對營運，潘健成進一步說明，NAND 原廠在短期內推升市場價格，的確對消費型的 NAND 儲存需求有影響，然群聯廣泛布局 NAND 儲存應用包含工控系統、電競主機、車載應用、企業級 SSD，以及近期擴大推廣的獨家專利 AI 方案“aiDAPTIV+”等各種 Design-in持續如火如荼進行中，這些策略都有效提升群聯在各種“非消費型”應用的市占率及貢獻度提升，近一步貢獻獲利。
 



群聯2024年第一季合併營收新台幣 165.26 億元，較前季增加4.9%，較去年同期增加64%，毛利率33.9%，淨利24.2億元，每股盈餘12.02元。

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